摘要: 用密度泛函理论方法, 在B3LYP/6-31+G(d, p)水平上研究了不饱和类硅烯H2C=SiNaF的结构. 结果表明, 不饱和类硅烯H2C=SiNaF共有四种平衡构型, 其中非平面的p-配合物型构型能量最低, 是不饱和类硅烯H2C=SiNaF存在的主要构型. 对平衡构型间异构化反应的过渡态进行了计算, 求得了转化势垒. 计算预言了最稳定构型的振动频率和红外强度.
李文佐;宫宝安;程建波. 不饱和类硅烯H2C=SiNaF的DFT研究[J]. 物理化学学报, 2006, 22(06): 653-656.
LI Wen-Zuo;GONG Bao-An;CHENG Jian-Bo. DFT Study on the Unsaturated Silylenoid H2C=SiNaF[J]. Acta Phys. -Chim. Sin., 2006, 22(06): 653-656.