物理化学学报 >> 1992, Vol. 8 >> Issue (04): 433-435.doi: 10.3866/PKU.WHXB19920401

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多孔硅的电化学制备

钱必东; 蔡生民; 侯永田; 何国山; 张树霖   

  1. 北京大学化学系,北京 100871;北京大学物理系 100871
  • 收稿日期:1992-02-19 修回日期:1992-03-30 发布日期:1992-08-15
  • 通讯作者: 蔡生民

Electrochemical Formation of Porous Silicon

Qian Bi-Dong; Cai Sheng-Min; Hou Yong-Tian; He Guo-Shan; Zhang Shu-Lin   

  1. Department of Chemistry, Peking University, Beijing 100871; Department of Physics, Peking University, Beijing 100871
  • Received:1992-02-19 Revised:1992-03-30 Published:1992-08-15
  • Contact: Cai Sheng-Min

摘要: 单晶硅在氢氟酸溶液中阳极氧化可制得多孔硅, 多孔硅是一种以新形态存在的硅, 与单晶硅相比, 它表现出独特的物理性质和化学活性。荧光光谱峰的蓝移表明, 在p-型低掺杂衬底硅上形成的多孔硅中存在量子尺寸效应, 新近获得的Raman光谱也证实了这一点。

关键词: 多孔硅, 电化学, 荧光光谱, Raman光谱

Key words: Porous silicon, Electrochemistry, Photoluminescence spectrum, Raman spectrum