物理化学学报 >> 1999, Vol. 15 >> Issue (07): 577-580.doi: 10.3866/PKU.WHXB19990701

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硫化镉纳米线的电沉积制备及表征

徐雅杰, 徐东升, 陈大鹏, 郭国霖, 李崇嘉   

  1. 北京大学物理化学研究所,北京 100871;哈尔滨工程大学化学工程系,哈尔滨 150001|云南工业大学材料科学系,昆明 650051
  • 收稿日期:1999-03-22 修回日期:1999-05-10 发布日期:1999-07-15
  • 通讯作者: 郭国霖

Electrochemistry Preparation and Characterization of CdS Nanowire Arrays

Xu Ya-Jie, Xu Dong-Sheng, Chen Da-Peng, Guo Guo-Lin, Li, C. J.   

  1. Institute of Physical Chemistry,Peking University,Beijing 100871;Department of Chemical Engineering,Harbin Engineering University,Harbin 150001|Department of Material Science Engineering,Yunnan Polytechnic University,Kunming 650051
  • Received:1999-03-22 Revised:1999-05-10 Published:1999-07-15
  • Contact: Guo Guo-Lin

关键词: CdS纳米线, 电沉积, 多孔阳极氧化铝, 模板

Abstract:

以不同孔径的多孔阳极氧化铝为模板,采用直流电沉积的方法,在含CdCl2和S的DMSO溶液中制备出了CdS纳米线.SEM、TEM表征的结果表明,在不同孔径的多孔阳极氧化铝模板中,通过沉积时间等条件的控制,制得直径不同、长度可达5μm的平行结构、均匀而连续的CdS纳米线阵列.电子衍射和能谱结果显示所得的纳米线属于六方晶系CdS,线中Cd和S原子比接近1:1.

Key words: CdS nanowires, Electrodeposition, Anodic aluminum oxide, Template