物理化学学报 >> 2001, Vol. 17 >> Issue (10): 931-935.doi: 10.3866/PKU.WHXB20011013
吴瑞阁;欧阳贱华;赵新生;黄小华;黄惠忠;吴念祖
Wu Rui-Ge;Ouyang Jian-Hua;Zhao Xin-Sheng;Huang Xiao-Hua;Huang Hui-Zhong;Wu Nian-Zu
摘要: 为了在硅基底上得到不同化学基团修饰的图形,在氢终止硅(111)表面运用光刻技术和光化学反应结合来控制表面成膜反应的位置,并用AFM、XPS、接触角测定等验证了这种方法的可行性.