物理化学学报 >> 2004, Vol. 20 >> Issue (06): 631-636.doi: 10.3866/PKU.WHXB20040616
孔德生;李亮
Kong De-Sheng;Li Liang
摘要: 利用电容测量技术,基于Mott-Sckottky分析,研究了在0.5 mol•L-1 H2SO4溶液中铬表面氧化膜的半导体性质,以及膜形成条件的影响.结果表明,铬在钝化电位区内所形成的表面氧化膜具有p-型半导体特性,膜的厚度约(1.2±0.3) nm.膜的阻抗响应表现出低频弥散行为,可以用介电弛豫普适定律来描述.膜的掺杂浓度NA随成膜电位及极化时间的延长而增大,溶液pH值则通过改变膜的表面电荷而影响膜的平带电位EFB.