摘要: 对基于锁相放大技术的表面光电压测量中的“最佳相位"的物理意义及影响因素进行了系统的理论分析及实验验证.结果表明,对于通常所采用的金属-绝缘体-半导体(MIS)“三明治"测量结构,其等效阻抗会很大程度地影响到最佳相位.对于体相材料,“最佳相位"仅与测量条件有关;对于纳米材料等体系,光照可以改变MIS结构的等效电阻(Rins)、等效电容(Cins),从而将引起最佳相位角的显著变化,使“最佳相位”与所研究材料的特性直接关联起来.因此,该手段有可能成为一种新的纳米材料光电检测方法.
庞山;张兴堂;程轲;李蕴才;黄亚彬;杜祖亮. 表面光电压测量中的最佳相位[J]. 物理化学学报, 2005, 21(01): 42-46.
PANG Shan;ZHANG Xing-Tang;CHENG Ke;LI Yun-Cai;HUANG Ya-Bin;DU Zu-Liang. The Optimal Phase in the Measurement of SPS[J]. Acta Phys. -Chim. Sin., 2005, 21(01): 42-46.