物理化学学报 >> 2008, Vol. 24 >> Issue (07): 1277-1282.doi: 10.3866/PKU.WHXB20080726
王超; 钟庆东; 周国治; 鲁雄刚
WANG Chao; ZHONG Qing-Dong; CHOU Kuo-Chih; LU Xiong-Gang
摘要: 采用电位-电容测试和Mott-Schottky分析技术研究了环氧树脂/碳钢电极在0.5 mol·L-1硫酸中腐蚀失效过程中的半导体导电行为. 环氧树脂在刚刚浸入溶液时(10 min)为绝缘体, 随着浸泡时间延长, 由于离子的腐蚀,环氧树脂外层逐渐转变为n 型半导体. 半导体层中的载流子密度随着浸泡时间的延长而增大,载流子由浸泡7 h约1010 cm-3增大到48 h的约1012 cm-3数量级, 浸泡48 h 以内涂层没有完全转变为半导体, 碳钢表面包括环氧树脂层在浸泡7-48 h 期间为MIS(metal-insulator-semiconductor)结构. 此MIS 结构空间电荷层在-0.5 - 0.5 V内处于反型状态, 反型层内的载流子为空穴. 在较低频率下测得空间电荷层电容为反型层电容和耗尽层电容的串联电容, 随电位升高而减小;较高频率下测得空间电荷层电容仅为耗尽层电容, 不随极化电位变化. 该MIS结构的电位-电容特性曲线与理想MIS结构相比发生了阳极漂移.
MSC2000: