物理化学学报 >> 2008, Vol. 24 >> Issue (11): 2007-2012.doi: 10.3866/PKU.WHXB20081112
冯晶; 陈敬超; 肖冰; 杜晔平; 王生浩; 张利娟
FENG Jing; CHEN Jing-Chao; XIAO Bing; DU Ye-Ping; WANG Sheng-Hao; ZHANG Li-Juan
摘要: 采用密度泛函微扰理论(DFPT)计算了Ag-Sn-O体系中O原子在Ag-Sn合金中的运动与反应, 及该体系中几种化合物的结合能、生成焓以及热容与自由能随温度的变化. 计算发现O原子存在于Ag晶格的四面体间隙, 若存在八面体间隙会使体系能量升高288.23 kJ·mol-1; Sn则在Ag晶格中主要以置换形式存在. 计算得到结合能大小顺序为Ag6O2>SnO2>Ag2SnO3>SnO>Ag2O. SnO2的稳定性最高, 生成焓约-591.1 kJ·mol-1, SnO是一种过渡相, 而Ag2SnO3和Ag6O2为亚稳相, 都能在常温下存在, 这与相关实验结果一致. 原子间相互作用曲线说明Sn—O的成键能力明显高于Ag—O, 氧化时只会形成Sn—O键. 准谐函数近似计算(QHA)表明Ag2SnO3的热容远高于其它化合物, 其德拜温度约500 K, 升温能力仅为SnO2的1/3, 可有效解决AgSnO2电接触材料中温升过快的问题, 而布居分布和Gibbs自由能则进一步说明SnO2是Ag-Sn-O体系中最稳定的相.
MSC2000: