物理化学学报 >> 2009, Vol. 25 >> Issue (10): 2137-2142.doi: 10.3866/PKU.WHXB20091042
孙强, 师进生
SUN Qiang, SHI Jin-Sheng
摘要:
研究了s1p1组态能级位置及能级劈裂同基质的关系. 结果表明, Sn2+的A、B、C带能级和In+、Tl+的A、B带能级位置同基质的环境因子he呈线性关系, 能级能量随he的增大而减小, 给出了相应的经验公式, 并计算了In+和Tl+自由离子的A、B带能级能量. 计算结果同实验数据十分吻合, 最大的偏差来自Tl+的B带, 偏差率仅为-7.34%. 随基质he的增大, 高能级能量比低能级下降得更快, A、B和C带间的能级间距相应变小. 通过对比发现: Sn2+、In+、Tl+的A、B带能级对基质的敏感性存在较大差异, Sn2+能级能量受基质变化影响最大, In+的能级能量随基质变化最小. 更为重要的是, 发现随着he的增大, Sn2+、In+和Tl+的A、B和C带能级劈裂相应变小, 甚至不再劈裂, 很好地解释了光谱现象.
MSC2000:
O641