物理化学学报 >> 2010, Vol. 26 >> Issue (01): 253-258.doi: 10.3866/PKU.WHXB20100108
唐军, 刘忠良, 康朝阳, 闫文盛, 徐彭寿, 潘海斌, 韦世强, 高玉强, 徐现刚
TANG Jun, LIU Zhong-Liang, KANG Chao-Yang, YAN Wen-Sheng, XU Peng-Shou, PAN Hai-Bin, WEI Shi-Qiang, GAO Yu-Qiang, XU Xian-Gang
摘要:
在分子束外延(MBE)设备中, 采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯, 并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征. RHEED结果发现, 不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹. AFM测试表明, 外延石墨烯的厚度随退火时间增加而增大, 且样品孔洞减少、表面更加平整. Raman测试表明, 外延石墨烯拉曼谱中2D峰和G峰的位置相对高定向热解石墨(HOPG)中2D峰和G峰的位置蓝移, 且退火时间增加, 峰的蓝移量减小. 对样品中碳原子K边NEXAFS谱测量显示, 样品中存在sp2杂化的碳原子, 退火时间增加使碳原子的1s→π以及1s→σ吸收的强度增大, 且1s电子到π态的吸收峰相对HOPG的向高能偏移.
MSC2000:
O649