(1) Lee, C.; Li, Q. Y.; Kalb,W.; Liu, X. Z.; Berger, H.; Carpick, R.W.; Hone, J. Science 2010, 328, 76. doi: 10.1126/science.1184167
(2) Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Jiang, D.; Morozov, S. V.;Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieval, I. V. Science 2004,306, 666. doi: 10.1126/science.1102896
(3) Dean. C. R.; Young, A. F.; Meric, I.; Lee, C.;Wang, L.;Sorgenfrei, S.;Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Kim, P.; Shepard,K. L.; Hone, J. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722. doi: 10.1038/nnano.2010.172
(4) Pacile, D.; Meyer, J. C.; Girit, C. O.; Zettl, A. Appl. Phys. Lett.2008, 92, 133107. doi: 10.1063/1.2903702
(5) Lotya, M.; Hernandez, Y.; King, P. J.; Smith, R. J.; Nicolosi,V.; Karlsson, L. S.; Blighe, F. M.; De, S.;Wang, Z. M.;McGovern, I. T.; Duesberg, G. S.; Coleman, J. N. J. Am.Chem. Soc. 2009, 131, 3611. doi: 10.1021/ja807449u
(6) Liu,W.W.;Wang, J. N. Chem. Commun. 2011, 47, 6888. doi: 10.1039/c1cc11933h
(7) O'Neil, A.; Khan, U.; Nirmalraj, P. N.; Boland, J.; Coleman, J.N. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 5422. doi: 10.1021/jp110942e
(8) Lee, C.; Yan, H.; Brus, L. E.; Heinz, T. F.; Hone, J.; Ryu, S.ACS Nano 2010, 4, 2695. doi: 10.1021/nn1003937
(9) Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y. B.; Li, T. S.; Kim, J.; Chim,C. Y.; Galli, G.;Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271.
(10) Mak, K. F.; He, K.; Shan, J.; Heinz, T. F. Nat. Nanotechnol.2012, 7, 494. doi: 10.1038/nnano.2012.96
(11) Zeng, H. L.; Dai, J. F.; Yao,W.; Xiao, D.; Cui, X. D. Nat.Nanotechnol. 2012, 7, 490. doi: 10.1038/nnano.2012.95
(12) Cao, T.;Wang, G.; Han,W. P.; Ye, H. Q.; Zhu, C. R.; Shi, J. R.;Niu, Q.; Tan, P. H.;Wang, E.; Liu, B. L.; Feng, J. Nat.Commun. 2012, 3, 1.
(13) Golub, A. S.; Rupasov, D. P.; Lenenko, N. D.; Novikov, Y. N.Russ. J. Inorg. Chem. 2011, 55 (8), 1166.
(14) Brivio, J.; Alexander, D. T. L.; Kis, A. Nano Lett. 2011, 11,5148. doi: 10.1021/nl2022288
(15) Ataca, C.; Ciraci, S. Phys. Rev. B 2012, 85, 195410. doi: 10.1103/PhysRevB.85.195410
(16) Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.;Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
(17) Bromley, R. A.; Yoffe, A. D.; Murray, R. B. J. Phys. C: SolidState Phys. 1972, 5, 759. doi: 10.1088/0022-3719/5/7/007
(18) Mattheis, L. F. Phys. Rev. B 1973, 8, 3719. doi: 10.1103/PhysRevB.8.3719
(19) Coehoorn, R.; Haas, C.; Dijkstra, J.; Flipse, C. J. F. Phys. Rev.B 1987, 35, 6203. doi: 10.1103/PhysRevB.35.6203
(20) Böker, T.; Severin, R.; Müller, A.; Janowitz, C.; Manzke, R.Phys. Rev. B 2001, 64, 235305. doi: 10.1103/PhysRevB.64.235305
(21) Balendhran, S.; Ou, J. Z.; Bhaskaran, M.; Sriram, S.; Ippolito,S.; Vasic, Z.; Kats, E.; Bhargava, S.; Zhuiykov, S.; Zadeh, K.K. Nanoscale 2012, 4, 461. doi: 10.1039/c1nr10803d
(22) Mak, K. F.; Lee, C. G.; Hone, J.; Shan, J.; Heinz, T. F. Phys.Rev. Lett. 2010, 105, 136805. doi: 10.1103/PhysRevLett.105.136805
(23) Kuc, A.; Zibouche, N.; Heine, T. Phys. Rev. B 2011, 83,245213. doi: 10.1103/PhysRevB.83.245213
(24) Neto, A. H. C. Phys. Rev. Lett. 2001, 86, 4382. doi: 10.1103/PhysRevLett.86.4382
(25) Miremadi, B. K.; Morrison, S. R. J. Catal. 1987, 103, 334. doi: 10.1016/0021-9517(87)90125-4
(26) Tye, C. T.; Smith, K. J. Catal. Today 2006, 116, 461. doi: 10.1016/j.cattod.2006.06.028
(27) Fortin, E.; Sears,W. M. J. Phys. Chem. Solids 1982, 43, 881.doi: 10.1016/0022-3697(82)90037-3
(28) Cesano, F.; Bertarione, S.; Piovano, A.; Agostini, G.; Rahman,M. M.; Groppo, E.; Bonino, F.; Scarano, D.; Lamberti, C.;Bordiga, S.; Montanari, L.; Bonoldi, L.; Millini, R.; Zecchina,A. Catal. Sci. Technol. 2011, 1, 123.
(29) Perkins, F. K.; Friedman, A. L.; Cobas, E.; Campbell, P. M.;Jernigan, G. G.; Jonker, B. T. Nano Lett. 2013, 13, 668. doi: 10.1021/nl3043079
(30) Chen,W.; Santos, E. J. G.; Zhu,W. G.; Kaxiras, E.; Zhang, Z.Y. Nano Lett. 2013, 13, 509. doi: 10.1021/nl303909f
(31) Dresselhaus, S.; Chen, G.; Tang, M. Y.; Yang, R. G.; Lee, H.;Wang, D. Z.; Ren, Z. F.; Fleurial, J. P.; Gogna, P. Adv. Mater.2007, 19, 1043.
(32) Soon, J. M.; Loh, K. P. Electrochem. Solid State Lett. 2007, 10,A250.
(33) Tanaka, H.; Okumiya, T.; Ueda, S. K.; Taketani, Y.; Murakami,M. Mater. Res. Bull. 2009, 44, 1811.
(34) Zhan, J. H.; Zhang, Z. D.; Qian, X. F.;Wang, C.; Xie, Y.; Qian,Y. T. J. Solid. State Chem. 1998, 141, 270. doi: 10.1006/jssc.1998.7991
(35) Ray, S. C. J. Mater. Sci. Lett. 2000, 19 (9), 803. doi: 10.1023/A:1006737326527
(36) Matte, H. S. S. R.; Gomathi, A.; Manna, A. K.; Late, D. J.;Datta, R.; Pati, S. K.; Rao, C. N. R. Angew. Chem. Int. Edit.2010, 122, 4153.
(37) Tian, Y.; He, Y.; Zhu, Y. Mater. Chem. Phys. 2004, 87, 87. doi: 10.1016/j.matchemphys.2004.05.010
(38) Wang, H.W.; Skeldon, P.; Thompson, G. E. J. Mater. Sci.1998, 33 (12), 3079. doi: 10.1023/A:1004335604327
(39) Chu, G. S.; Bian, G. Z.; Fu, Y. L.; Zhang, Z. C. Mater. Lett.2000, 43 (3), 81. doi: 10.1016/S0167-577X(99)00235-9
(40) Philipe, R. B.; Robert, F. J.; Richard, B. K. Nature 1991, 349,510. doi: 10.1038/349510a0
(41) Sekhar, C. R.; Malay, K. K.; Dhruba, D. G. Surf. Coat. Tech.1998, 102, 73. doi: 10.1016/S0257-8972(97)00561-6
(42) Ponomarev, E. A.; Spallart, M. N.; Hodesand, G.; Clement, C.L. Thin Solid Films 1996, 280 (1), 86. doi: 10.1016/0040-6090(95)08204-2
(43) Zhang,W. Z. Chin. Molyb. Ind. 2000, 25 (4), 23. [张文钲. 中国钼业, 2000, 25 (4), 23.]
(44) Lin, C. Y. Chin. Molyb. Ind. 1994, 18 (1), 25. [林春元. 中国钼业, 1994, 18 (1), 25.]
(45) Zhou, L. C.;Wu,W. D.; Zhao, H. J. Chin. Electr. Soc. 2004, 23 (6), 618. [周丽春, 吴伟端, 赵煌. 电子显微学报, 2004, 23 (6), 618.]
(46) Chhowalla, M.; Amaratunga, G. A. Nature 2000, 407, 164. doi: 10.1038/35025020
(47) Sen, R.; Govindaraj, A.; Suenaga, K. S.; Suzuki, H. K.; IijimaS.; Achiba, Y. Chem. Phys. Lett. 2001, 340, 242. doi: 10.1016/S0009-2614(01)00419-5
(48) Wang, J. H.; Lauwerens,W.;Wieers, E.; Stals, L. M.; He, J.W.; Celis, J. P. Surf. Coat. Tech. 2001, 139, 143. doi: 10.1016/S0257-8972(01)00988-4
(49) Frindt, R. F. J. Appl. Phys. 1966, 37, 1928.
(50) Han, S.W.; Kwon, H.; Kim, S. K.; Ryu, S.; Yun,W. S.; Kim,D. H.; Hwang, J. H.; Kang, J. S.; Baik, J.; Shin, H. J.; Hong, S.C. Phys. Rev. B 2011, 84, 045409. doi: 10.1103/PhysRevB.84.045409
(51) Yoon, Y.; Ganapathi, K.; Salahuddin, S. Nano Lett. 2011, 11,3768. doi: 10.1021/nl2018178
(52) Radisavljevic, B.; Michael, B.W.; Andras, K. ACS Nano 2011,5, 9934. doi: 10.1021/nn203715c
(53) Zhang, Y. J.; Ye, J. T.; Matsuhashi, Y. S.; Iwasa, Y. Nano Lett.2012, 12, 1136. doi: 10.1021/nl2021575
(54) Ghatak, S.; Pal, A. N.; Ghosh, A. ACS Nano 2011, 5, 7707. doi: 10.1021/nn202852j
(55) Li, H.; Yin, Z. Y.; He, Q. Y.; Li, H.; Huang, X.; Lu, G.; Fam,D.W. H.; Zhang, Q.; Zhang, H. Small 2012, 8 (1), 63. doi: 10.1002/smll.201101016
(56) Li, H.; Yin, Z. Y.; He, Q. Y.; Li, H.; Zhang, Q.; Zhang, H.Small 2012, 8 (5), 682. doi: 10.1002/smll.v8.5
(57) Joensen, P.; Frindt, R. F.; Morrison, S. R. Mater. Res. Bull.1986, 21, 457. doi: 10.1016/0025-5408(86)90011-5
(58) Murphy, D.W.; Disalvo, F. J.; Hull, G.W.;Waszczak, J. V.;Meyer, S. F.; Stewart, G. R.; Early, S.; Acrivos, J. V.; Geballe,T. H. J. Chem. Phys.1975, 62, 973. doi: 10.1063/1.430513
(59) Liu, C.; Singh, O.; Joensen, P.; Curzon, A. E.; Frindt, R. F.Thin Solid Films 1984, 113 (2), 165. doi: 10.1016/0040-6090(84)90025-7
(60) Frey, G. L.; Reynolds, K. J.; Friend, R. H. Adv. Mater. 2002,14, 265. doi: 10.1002/1521-4095(20020219)14:4<>1.0.CO;2-M
(61) Feng, J.; Peng, L.;Wu, C. Z.; Sun, X.; Hu, S. L.; Lin, C.W.;Dai, J.; Yang, J. L.; Xie, Y. Adv. Mater. 2012, 24, 1917. doi: 10.1002/adma.v24.15
(62) Frey, G. L.; Reynolds, K. J.; Friend, R. H.; Cohen, H.;Feldman, Y. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 5998. doi: 10.1021/ja020913o
(63) Aharon, E.; Albo, A.; Kalina, M.; Frey, G. L. Adv. Funct.Mater. 2006, 16, 980.
(64) Eda, G.; Yamaguchi, H.; Voiry, D.; Fujita, T.; Chen, M.W.;Chhowalla, M. Nano Lett. 2011, 11, 5111. doi: 10.1021/nl201874w
(65) Coleman, J. N.; Lotya, M.; O'neill, A.; Bergin, S. D.; King, P.J.; Khan, U.; Young, K.; Gaucher, A.; De, S.; Smith, R. J.;Shvets, I. V.; Arora, S. K.; Staton, G.; Kim, H. Y.; Lee, K. H.;Kim, G. T.; Duesberg, G. S.; Hallam, T.; Boland, J. J.;Wang, J.J.; Donegan, J. F.; Grunlan, J. C.; Moriarty, G.; Shmeliov, A.;Nicholls, R. J.; Perkins, J. M.; Grieveson, E. M.; Theuwissen,K.; McComb, D.W.; Nellist, P. D.; Nicolosi, V. Science 2011,331, 568. doi: 10.1126/science.1194975
(66) Lee, K. H.; Kim, H. Y.; Lotya, M.; Coleman, J. N.; Kim, G. T.;Duesberg, G. S. Adv. Mater. 2011, 23, 4178. doi: 10.1002/adma.201101013
(67) Smith, R. J.; King, P. J.; Lotya, M.;Wirtz, C.; Khan, U.; De,S.; O'neill, A.; Duesberg, G. S.; Grunlan, J. C.; Moriarty, G.;Chen, J.;Wang, J. Z.; Minett, A. I.; Nicolosi, V.; Coleman, J.N. Adv. Mater. 2011, 23, 3944.
(68) Liu, K. K.; Zhang,W. J.; Lee, Y. H.; Lin, Y. C.; Chang, M. T.;Su, C. Y.; Chang, C. S.; Li, H.; Shi, Y. M.; Zhang, H.; Lai, C.S.; Li, L. J. Nano Lett. 2012, 12, 1538. doi: 10.1021/nl2043612
(69) Helveg, S.; Lauritsen, J. V.; Lægsgaard, E.; Stensgaard, I.;Nørskov, J. K.; Clausen, B. S.; Topsæe, H.; Besenbacher, F.Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 951. doi: 10.1103/PhysRevLett.84.951
(70) Peng, Y. Y.; Meng, Z. Y.; Zhong, C.; Lu, J.; Yu,W. C.; Jia, Y.B.; Qian, Y. T. Chem. Lett. 2001, 8, 772.
(71) Peng, Y. Y.; Meng, Z. Y.; Zhong, C.; Lu, J.; Yu,W. C.;Yang, Z.P.; Qian, Y. P. J. Solid State Chem. 2001, 159, 170. doi: 10.1006/jssc.2001.9146
(72) Li, Q.; Newberg, J. T.;Walter, E. C.; Hemminger, J. C.;Penner, R. M. Nano Lett. 2004, 4, 277. doi: 10.1021/nl035011f
(73) Scragg, J. J.;Wätjen, J. T.; Edoff, M.; Ericson, T.; Kubart, T.;Björkman, C. P. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 19330. doi: 10.1021/ja308862n
(74) Zeng, Z. Y.; Yin, Z. Y.; Huang, X.; Li, H.; He, Q. Y.; Lu, G.;Boey, F.; Zhang, H. Angew. Chem. Int. Edit. 2011, 50, 1.
(75) Late, D. J.; Liu, B.; Matte, H. S. S. R.; Rao, C. N. R.; Dravid,V. P. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 1894. doi: 10.1002/adfm.201102913
(76) Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y. B.; Li, T. S.; Kim, J.W.;Chim, C. Y.; Galli, G.;Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271.doi: 10.1021/nl903868w
(77) Wo, H. Z.; Hu, K. H.; Hu, L. M.; Yu, K. Guangdong Chem.Ind. 2010, 37 (1), 73. [沃恒洲, 胡坤宏, 胡立明, 余凯. 广东化工, 2010, 37 (1), 73.]
(78) Lahouij, I.; Bucholz, E.W.; Vacher, B.; Sinnott, S. B.; Martin,J. M.; Dassenoy, F. Nat. Nanotechnol. 2012, 23, 375701.
(79) Golaz, B.; Tetouani, S.; Diomidis, N.; Michaud, V.; Mischler,S. J. Appl. Polym. Sci. 2012, 125 (5), 3745. doi: 10.1002/app.v125.5
(80) Stefanov, M.; Enyashin, A, N.; Heine, T.; Seifert, G. J. Phys.Chem. C 2008, 112, 17764. doi: 10.1021/jp808204n
(81) Feng, C. Q.; Ma, J.; Li, H.; Zeng, R.; Guo, Z. P.; Liu, H. K.Mater. Res. Bull. 2009, 44, 1811. doi: 10.1016/j.materresbull.2009.05.018
(82) Hwang, H.; Kim, H.; Cho, J. Nano Lett. 2011, 11, 4826. doi: 10.1021/nl202675f
(83) Li, X. L.; Li, Y. D. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 13893. doi: 10.1021/jp0367575
(84) Yan, L. L.; Feng, R. J.; Yang, S. Q.; Ma, H.; Jing, L.; Chen, J.Adv. Mater. 2011, 23, 640.
(85) Banerjee, S.; Richardson,W.; Coleman, C. A. IEEE ElectronDevice Lett. 1987, 8, 347. doi: 10.1109/EDL.1987.26655
(86) Wang, H.; Yu, L. L.; Lee, Y. H.; Shi, Y. M.; Hsu, A.; Chin, M.;Li, L. J.; Dubey, M.; Kong, J.; Palacios, T. Nano Lett. 2012,12, 4674. doi: 10.1021/nl302015v
(87) Lee, H. S.; Min, S.W.; Park, M. K.; Lee, Y. T.; Jeon, P. J.;Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. Small 2012, 8, 3111. doi: 10.1002/smll.v8.20
(88) Cheng, Y.W.; Yang, Z.;Wei, H.;Wang, Y. Y.;Wei, L. M.;Zhang, Y. F. Acta Phys. -Chim. Sin. 2010, 26 (12), 3127.[程应武, 杨志, 魏浩, 王艳艳, 魏良明, 张亚飞. 物理化学学报, 2010, 26 (12), 3127.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20101138
(89) Miremadi, B. K.; Singh, R. C.; Morrison, S. R.; Colbow, K.Appl. Phys. A-Mater. 1996, 63, 271.
(90) He, Q. Y.; Zeng, Z. Y.; Yin, Z. Y.; Li, H.;Wu, S. X.; Huang, X.;Zhang, H. Small 2012, 8, 2994. doi: 10.1002/smll.v8.19
(91) Gourmelon, E.; Lignier, O.; Hadouda, H.; Couturier, G.;Bernede, J. C.; Tedd, J.; Pouzet, J.; Salardenne, J. Sol. EnergyMater. Sol. Cells 1997, 46, 115. doi: 10.1016/S0927-0248(96)00096-7
(92) Yin, Z. Y.; Li, H.; Li, H.; Jiang, L.; Shi, Y. M.; Sun, Y. H.; Lu,G.; Zhang, Q.; Chen, X. D.; Zhang, H. ACS Nano 2012, 6, 74.doi: 10.1021/nn2024557
(93) Wang, Q. H.; Zadeh, K. K.; Kis, A.; Coleman, J. N.; Strano, M.S. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 699. doi: 10.1038/nnano.2012.193
(94) Lee, H. S.; Min, S.W.; Chang, Y. G.; Park, M. K.; Nam, T.;Kim, H.; Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. Nano Lett. 2012, 12,3695. doi: 10.1021/nl301485q
(95) Choi,W.; Cho, M. Y.; Konar, A.; Lee, J. H.; Cha, G. B.; Hong,S. C.; Kim, S.; Kim, J. Y.; Jena, D.; Joo, J.; Kim, S. Adv. Mater.2012, 24, 5832. doi: 10.1002/adma.201201909
(96) Deng, Z. R.; Yang, S. Y.; Meng, L. C.; Lou, Z. D. ActaPhys. -Chim. Sin. 2008, 24 (4), 700. [邓召儒, 杨盛谊, 孟令川, 娄志东. 物理化学学报, 2008, 24 (4), 700.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20080427
(97) Chen, R. F.; Xie, G. H.; Zhao, Y.; Zhang, S. L.; Yin, J.; Liu, S.Y.; Huang,W. Org. Electron. 2011, 12, 1619. doi: 10.1016/j.orgel.2011.05.025
(98) Tang, X. Q.; Yu, J. S.; Li, L.;Wang, J.; Jiang, Y. D. ActaPhys. -Chim. Sin. 2008, 24 (6), 1012. [唐晓庆, 于军胜,李璐, 王军, 蒋亚东. 物理化学学报, 2008, 24 (6), 1012.]doi: 10.3866/PKU.WHXB20080617
(99) Chen, R. F.; Zheng, C.; Fan, Q. L.; Huang,W. Prog. Chem.2010, 22, 696.
(100) Reynolds, K. J.; Barker, J. A.; Greenham, N. C.; Friend, R. H.;Frey, G. L. J. Appl. Phys. 2002, 92, 7556. doi: 10.1063/1.1522812
(101) Liu, J. Q.; Zeng, Z. Y.; Cao, X. H.; Lu, G.;Wang, L. H.; Fan,Q. L.; Huang,W.; Zhang, H. Small 2012, 8, 3517. doi: 10.1002/smll.v8.22 |