Please wait a minute...
物理化学学报  2013, Vol. 29 Issue (04): 667-677    DOI: 10.3866/PKU.WHXB201302062
综述     
类石墨烯二硫化钼及其在光电子器件上的应用
汤鹏, 肖坚坚, 郑超, 王石, 陈润锋
南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院, 有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地, 南京 210023
Graphene-Like Molybdenum Disulfide and Its Application in Optoelectronic Devices
TANG Peng, XIAO Jian-Jian, ZHENG Chao, WANG Shi, CHEN Run-Feng
Institute of Advanced Materials, Nanjing University of Posts and TelecommunicationsKey Laboratory for Organic Electronics & Information Displays, Nanjing 210023, P. R. China
 全文: PDF(2296 KB)   输出: BibTeX | EndNote (RIS) |
摘要：

由单层或几层二硫化钼构成的类石墨烯二硫化钼(graphene-like MoS2)是一种具有类似石墨烯结构和性能的新型二维(2D)层状化合物, 近年来以其独特的物理、化学性质而成为新兴的研究热点. 本文综述了近年来类石墨烯二硫化钼常见的几种制备方法, 包括以微机械力剥离、锂离子插层和液相超声法等为主的“自上而下”的剥离法, 以及以高温热分解、水热法等为主的“自下而上”的合成法; 介绍了其常用的结构表征方法, 包括原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱等; 概述了类石墨烯二硫化钼的紫外-可见(UV-Vis)吸收、荧光发射等基本光物理性质及其相关机理; 总结了类石墨烯二硫化钼在二次电池、场效应晶体管、传感器、有机电致发光二极管和电存储等光电子器件领域的应用原理及其研究进展, 展望了这类新型二维层状化合物的研究前景.
关键词： 类石墨烯二硫化钼;  二维层状化合物;  材料制备;  结构表征;  光物理性质;  光电子器件    
Abstract:

Graphene-like molybdenum disulfide (MoS2), which is composed of a monolayer or few layers of MoS2, is a new two-dimensional (2D) layered material that has attracted considerable attention recently because of its unique structure and optical and electronic properties. Here we first review the methods used to synthesize graphene-like MoS2. “Top-down” methods include micromechanical exfoliation, lithium-based intercalation and liquid exfoliation, while the“bottom-up”approaches covered are thermal decomposition and hydrothermal synthesis. We then discuss several methods used to characterize the 2D layered structures of MoS2, such as atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), and Raman spectroscopy. We describe the UV-Vis absorption and photoluminescent properties of graphene-like MoS2 and their related mechanisms. Finally, we summarize the application of graphene-like MoS2 in various optoelectronic devices such as secondary batteries, field-effect transistors, sensors, organic light-emitting diodes, and memory. The application principles and research progress are discussed, followed by a summary and outlook for the research of this emerging 2D layered nanomaterial.
Key words: Graphene-like molybdenum disulfide    2D layered material    Material synthesis    Structure characterization    Photophysical property    Optoelectronic device
收稿日期: 2012-11-28 出版日期: 2013-02-06
中图分类号:  O644  
基金资助:

国家重点基础研究发展规划项目(973) (2009CB930601); 国家自然科学基金(20804020, 21274065)和江苏省自然科学基金(BK2011751)资助
通讯作者: 陈润锋     E-mail: iamrfchen@njupt.edu.cn
服务　　
把本文推荐给朋友
加入引用管理器
E-mail Alert
RSS
作者相关文章　　
汤鹏
肖坚坚
郑超
王石
陈润锋

引用本文:

汤鹏, 肖坚坚, 郑超, 王石, 陈润锋. 类石墨烯二硫化钼及其在光电子器件上的应用[J]. 物理化学学报, 2013, 29(04): 667-677, 10.3866/PKU.WHXB201302062

TANG Peng, XIAO Jian-Jian, ZHENG Chao, WANG Shi, CHEN Run-Feng. Graphene-Like Molybdenum Disulfide and Its Application in Optoelectronic Devices. Acta Phys. -Chim. Sin., 2013, 29(04): 667-677, 10.3866/PKU.WHXB201302062.

链接本文:

http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/10.3866/PKU.WHXB201302062    或    http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/Y2013/V29/I04/667

(1) Lee, C.; Li, Q. Y.; Kalb,W.; Liu, X. Z.; Berger, H.; Carpick, R.W.; Hone, J. Science 2010, 328, 76. doi: 10.1126/science.1184167
(2) Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Jiang, D.; Morozov, S. V.;Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieval, I. V. Science 2004,306, 666. doi: 10.1126/science.1102896
(3) Dean. C. R.; Young, A. F.; Meric, I.; Lee, C.;Wang, L.;Sorgenfrei, S.;Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Kim, P.; Shepard,K. L.; Hone, J. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722. doi: 10.1038/nnano.2010.172
(4) Pacile, D.; Meyer, J. C.; Girit, C. O.; Zettl, A. Appl. Phys. Lett.2008, 92, 133107. doi: 10.1063/1.2903702
(5) Lotya, M.; Hernandez, Y.; King, P. J.; Smith, R. J.; Nicolosi,V.; Karlsson, L. S.; Blighe, F. M.; De, S.;Wang, Z. M.;McGovern, I. T.; Duesberg, G. S.; Coleman, J. N. J. Am.Chem. Soc. 2009, 131, 3611. doi: 10.1021/ja807449u
(6) Liu,W.W.;Wang, J. N. Chem. Commun. 2011, 47, 6888. doi: 10.1039/c1cc11933h
(7) O'Neil, A.; Khan, U.; Nirmalraj, P. N.; Boland, J.; Coleman, J.N. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 5422. doi: 10.1021/jp110942e
(8) Lee, C.; Yan, H.; Brus, L. E.; Heinz, T. F.; Hone, J.; Ryu, S.ACS Nano 2010, 4, 2695. doi: 10.1021/nn1003937
(9) Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y. B.; Li, T. S.; Kim, J.; Chim,C. Y.; Galli, G.;Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271.
(10) Mak, K. F.; He, K.; Shan, J.; Heinz, T. F. Nat. Nanotechnol.2012, 7, 494. doi: 10.1038/nnano.2012.96
(11) Zeng, H. L.; Dai, J. F.; Yao,W.; Xiao, D.; Cui, X. D. Nat.Nanotechnol. 2012, 7, 490. doi: 10.1038/nnano.2012.95
(12) Cao, T.;Wang, G.; Han,W. P.; Ye, H. Q.; Zhu, C. R.; Shi, J. R.;Niu, Q.; Tan, P. H.;Wang, E.; Liu, B. L.; Feng, J. Nat.Commun. 2012, 3, 1.
(13) Golub, A. S.; Rupasov, D. P.; Lenenko, N. D.; Novikov, Y. N.Russ. J. Inorg. Chem. 2011, 55 (8), 1166.
(14) Brivio, J.; Alexander, D. T. L.; Kis, A. Nano Lett. 2011, 11,5148. doi: 10.1021/nl2022288
(15) Ataca, C.; Ciraci, S. Phys. Rev. B 2012, 85, 195410. doi: 10.1103/PhysRevB.85.195410
(16) Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.;Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
(17) Bromley, R. A.; Yoffe, A. D.; Murray, R. B. J. Phys. C: SolidState Phys. 1972, 5, 759. doi: 10.1088/0022-3719/5/7/007
(18) Mattheis, L. F. Phys. Rev. B 1973, 8, 3719. doi: 10.1103/PhysRevB.8.3719
(19) Coehoorn, R.; Haas, C.; Dijkstra, J.; Flipse, C. J. F. Phys. Rev.B 1987, 35, 6203. doi: 10.1103/PhysRevB.35.6203
(20) Böker, T.; Severin, R.; Müller, A.; Janowitz, C.; Manzke, R.Phys. Rev. B 2001, 64, 235305. doi: 10.1103/PhysRevB.64.235305
(21) Balendhran, S.; Ou, J. Z.; Bhaskaran, M.; Sriram, S.; Ippolito,S.; Vasic, Z.; Kats, E.; Bhargava, S.; Zhuiykov, S.; Zadeh, K.K. Nanoscale 2012, 4, 461. doi: 10.1039/c1nr10803d
(22) Mak, K. F.; Lee, C. G.; Hone, J.; Shan, J.; Heinz, T. F. Phys.Rev. Lett. 2010, 105, 136805. doi: 10.1103/PhysRevLett.105.136805
(23) Kuc, A.; Zibouche, N.; Heine, T. Phys. Rev. B 2011, 83,245213. doi: 10.1103/PhysRevB.83.245213
(24) Neto, A. H. C. Phys. Rev. Lett. 2001, 86, 4382. doi: 10.1103/PhysRevLett.86.4382
(25) Miremadi, B. K.; Morrison, S. R. J. Catal. 1987, 103, 334. doi: 10.1016/0021-9517(87)90125-4
(26) Tye, C. T.; Smith, K. J. Catal. Today 2006, 116, 461. doi: 10.1016/j.cattod.2006.06.028
(27) Fortin, E.; Sears,W. M. J. Phys. Chem. Solids 1982, 43, 881.doi: 10.1016/0022-3697(82)90037-3
(28) Cesano, F.; Bertarione, S.; Piovano, A.; Agostini, G.; Rahman,M. M.; Groppo, E.; Bonino, F.; Scarano, D.; Lamberti, C.;Bordiga, S.; Montanari, L.; Bonoldi, L.; Millini, R.; Zecchina,A. Catal. Sci. Technol. 2011, 1, 123.
(29) Perkins, F. K.; Friedman, A. L.; Cobas, E.; Campbell, P. M.;Jernigan, G. G.; Jonker, B. T. Nano Lett. 2013, 13, 668. doi: 10.1021/nl3043079
(30) Chen,W.; Santos, E. J. G.; Zhu,W. G.; Kaxiras, E.; Zhang, Z.Y. Nano Lett. 2013, 13, 509. doi: 10.1021/nl303909f
(31) Dresselhaus, S.; Chen, G.; Tang, M. Y.; Yang, R. G.; Lee, H.;Wang, D. Z.; Ren, Z. F.; Fleurial, J. P.; Gogna, P. Adv. Mater.2007, 19, 1043.
(32) Soon, J. M.; Loh, K. P. Electrochem. Solid State Lett. 2007, 10,A250.
(33) Tanaka, H.; Okumiya, T.; Ueda, S. K.; Taketani, Y.; Murakami,M. Mater. Res. Bull. 2009, 44, 1811.
(34) Zhan, J. H.; Zhang, Z. D.; Qian, X. F.;Wang, C.; Xie, Y.; Qian,Y. T. J. Solid. State Chem. 1998, 141, 270. doi: 10.1006/jssc.1998.7991
(35) Ray, S. C. J. Mater. Sci. Lett. 2000, 19 (9), 803. doi: 10.1023/A:1006737326527
(36) Matte, H. S. S. R.; Gomathi, A.; Manna, A. K.; Late, D. J.;Datta, R.; Pati, S. K.; Rao, C. N. R. Angew. Chem. Int. Edit.2010, 122, 4153.
(37) Tian, Y.; He, Y.; Zhu, Y. Mater. Chem. Phys. 2004, 87, 87. doi: 10.1016/j.matchemphys.2004.05.010
(38) Wang, H.W.; Skeldon, P.; Thompson, G. E. J. Mater. Sci.1998, 33 (12), 3079. doi: 10.1023/A:1004335604327
(39) Chu, G. S.; Bian, G. Z.; Fu, Y. L.; Zhang, Z. C. Mater. Lett.2000, 43 (3), 81. doi: 10.1016/S0167-577X(99)00235-9
(40) Philipe, R. B.; Robert, F. J.; Richard, B. K. Nature 1991, 349,510. doi: 10.1038/349510a0
(41) Sekhar, C. R.; Malay, K. K.; Dhruba, D. G. Surf. Coat. Tech.1998, 102, 73. doi: 10.1016/S0257-8972(97)00561-6
(42) Ponomarev, E. A.; Spallart, M. N.; Hodesand, G.; Clement, C.L. Thin Solid Films 1996, 280 (1), 86. doi: 10.1016/0040-6090(95)08204-2
(43) Zhang,W. Z. Chin. Molyb. Ind. 2000, 25 (4), 23. [张文钲. 中国钼业, 2000, 25 (4), 23.]
(44) Lin, C. Y. Chin. Molyb. Ind. 1994, 18 (1), 25. [林春元. 中国钼业, 1994, 18 (1), 25.]
(45) Zhou, L. C.;Wu,W. D.; Zhao, H. J. Chin. Electr. Soc. 2004, 23 (6), 618. [周丽春, 吴伟端, 赵煌. 电子显微学报, 2004, 23 (6), 618.]
(46) Chhowalla, M.; Amaratunga, G. A. Nature 2000, 407, 164. doi: 10.1038/35025020
(47) Sen, R.; Govindaraj, A.; Suenaga, K. S.; Suzuki, H. K.; IijimaS.; Achiba, Y. Chem. Phys. Lett. 2001, 340, 242. doi: 10.1016/S0009-2614(01)00419-5
(48) Wang, J. H.; Lauwerens,W.;Wieers, E.; Stals, L. M.; He, J.W.; Celis, J. P. Surf. Coat. Tech. 2001, 139, 143. doi: 10.1016/S0257-8972(01)00988-4
(49) Frindt, R. F. J. Appl. Phys. 1966, 37, 1928.
(50) Han, S.W.; Kwon, H.; Kim, S. K.; Ryu, S.; Yun,W. S.; Kim,D. H.; Hwang, J. H.; Kang, J. S.; Baik, J.; Shin, H. J.; Hong, S.C. Phys. Rev. B 2011, 84, 045409. doi: 10.1103/PhysRevB.84.045409
(51) Yoon, Y.; Ganapathi, K.; Salahuddin, S. Nano Lett. 2011, 11,3768. doi: 10.1021/nl2018178
(52) Radisavljevic, B.; Michael, B.W.; Andras, K. ACS Nano 2011,5, 9934. doi: 10.1021/nn203715c
(53) Zhang, Y. J.; Ye, J. T.; Matsuhashi, Y. S.; Iwasa, Y. Nano Lett.2012, 12, 1136. doi: 10.1021/nl2021575
(54) Ghatak, S.; Pal, A. N.; Ghosh, A. ACS Nano 2011, 5, 7707. doi: 10.1021/nn202852j
(55) Li, H.; Yin, Z. Y.; He, Q. Y.; Li, H.; Huang, X.; Lu, G.; Fam,D.W. H.; Zhang, Q.; Zhang, H. Small 2012, 8 (1), 63. doi: 10.1002/smll.201101016
(56) Li, H.; Yin, Z. Y.; He, Q. Y.; Li, H.; Zhang, Q.; Zhang, H.Small 2012, 8 (5), 682. doi: 10.1002/smll.v8.5
(57) Joensen, P.; Frindt, R. F.; Morrison, S. R. Mater. Res. Bull.1986, 21, 457. doi: 10.1016/0025-5408(86)90011-5
(58) Murphy, D.W.; Disalvo, F. J.; Hull, G.W.;Waszczak, J. V.;Meyer, S. F.; Stewart, G. R.; Early, S.; Acrivos, J. V.; Geballe,T. H. J. Chem. Phys.1975, 62, 973. doi: 10.1063/1.430513
(59) Liu, C.; Singh, O.; Joensen, P.; Curzon, A. E.; Frindt, R. F.Thin Solid Films 1984, 113 (2), 165. doi: 10.1016/0040-6090(84)90025-7
(60) Frey, G. L.; Reynolds, K. J.; Friend, R. H. Adv. Mater. 2002,14, 265. doi: 10.1002/1521-4095(20020219)14:4<>1.0.CO;2-M
(61) Feng, J.; Peng, L.;Wu, C. Z.; Sun, X.; Hu, S. L.; Lin, C.W.;Dai, J.; Yang, J. L.; Xie, Y. Adv. Mater. 2012, 24, 1917. doi: 10.1002/adma.v24.15
(62) Frey, G. L.; Reynolds, K. J.; Friend, R. H.; Cohen, H.;Feldman, Y. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 5998. doi: 10.1021/ja020913o
(63) Aharon, E.; Albo, A.; Kalina, M.; Frey, G. L. Adv. Funct.Mater. 2006, 16, 980.
(64) Eda, G.; Yamaguchi, H.; Voiry, D.; Fujita, T.; Chen, M.W.;Chhowalla, M. Nano Lett. 2011, 11, 5111. doi: 10.1021/nl201874w
(65) Coleman, J. N.; Lotya, M.; O'neill, A.; Bergin, S. D.; King, P.J.; Khan, U.; Young, K.; Gaucher, A.; De, S.; Smith, R. J.;Shvets, I. V.; Arora, S. K.; Staton, G.; Kim, H. Y.; Lee, K. H.;Kim, G. T.; Duesberg, G. S.; Hallam, T.; Boland, J. J.;Wang, J.J.; Donegan, J. F.; Grunlan, J. C.; Moriarty, G.; Shmeliov, A.;Nicholls, R. J.; Perkins, J. M.; Grieveson, E. M.; Theuwissen,K.; McComb, D.W.; Nellist, P. D.; Nicolosi, V. Science 2011,331, 568. doi: 10.1126/science.1194975
(66) Lee, K. H.; Kim, H. Y.; Lotya, M.; Coleman, J. N.; Kim, G. T.;Duesberg, G. S. Adv. Mater. 2011, 23, 4178. doi: 10.1002/adma.201101013
(67) Smith, R. J.; King, P. J.; Lotya, M.;Wirtz, C.; Khan, U.; De,S.; O'neill, A.; Duesberg, G. S.; Grunlan, J. C.; Moriarty, G.;Chen, J.;Wang, J. Z.; Minett, A. I.; Nicolosi, V.; Coleman, J.N. Adv. Mater. 2011, 23, 3944.
(68) Liu, K. K.; Zhang,W. J.; Lee, Y. H.; Lin, Y. C.; Chang, M. T.;Su, C. Y.; Chang, C. S.; Li, H.; Shi, Y. M.; Zhang, H.; Lai, C.S.; Li, L. J. Nano Lett. 2012, 12, 1538. doi: 10.1021/nl2043612
(69) Helveg, S.; Lauritsen, J. V.; Lægsgaard, E.; Stensgaard, I.;Nørskov, J. K.; Clausen, B. S.; Topsæe, H.; Besenbacher, F.Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 951. doi: 10.1103/PhysRevLett.84.951
(70) Peng, Y. Y.; Meng, Z. Y.; Zhong, C.; Lu, J.; Yu,W. C.; Jia, Y.B.; Qian, Y. T. Chem. Lett. 2001, 8, 772.
(71) Peng, Y. Y.; Meng, Z. Y.; Zhong, C.; Lu, J.; Yu,W. C.;Yang, Z.P.; Qian, Y. P. J. Solid State Chem. 2001, 159, 170. doi: 10.1006/jssc.2001.9146
(72) Li, Q.; Newberg, J. T.;Walter, E. C.; Hemminger, J. C.;Penner, R. M. Nano Lett. 2004, 4, 277. doi: 10.1021/nl035011f
(73) Scragg, J. J.;Wätjen, J. T.; Edoff, M.; Ericson, T.; Kubart, T.;Björkman, C. P. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 19330. doi: 10.1021/ja308862n
(74) Zeng, Z. Y.; Yin, Z. Y.; Huang, X.; Li, H.; He, Q. Y.; Lu, G.;Boey, F.; Zhang, H. Angew. Chem. Int. Edit. 2011, 50, 1.
(75) Late, D. J.; Liu, B.; Matte, H. S. S. R.; Rao, C. N. R.; Dravid,V. P. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 1894. doi: 10.1002/adfm.201102913
(76) Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y. B.; Li, T. S.; Kim, J.W.;Chim, C. Y.; Galli, G.;Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271.doi: 10.1021/nl903868w
(77) Wo, H. Z.; Hu, K. H.; Hu, L. M.; Yu, K. Guangdong Chem.Ind. 2010, 37 (1), 73. [沃恒洲, 胡坤宏, 胡立明, 余凯. 广东化工, 2010, 37 (1), 73.]
(78) Lahouij, I.; Bucholz, E.W.; Vacher, B.; Sinnott, S. B.; Martin,J. M.; Dassenoy, F. Nat. Nanotechnol. 2012, 23, 375701.
(79) Golaz, B.; Tetouani, S.; Diomidis, N.; Michaud, V.; Mischler,S. J. Appl. Polym. Sci. 2012, 125 (5), 3745. doi: 10.1002/app.v125.5
(80) Stefanov, M.; Enyashin, A, N.; Heine, T.; Seifert, G. J. Phys.Chem. C 2008, 112, 17764. doi: 10.1021/jp808204n
(81) Feng, C. Q.; Ma, J.; Li, H.; Zeng, R.; Guo, Z. P.; Liu, H. K.Mater. Res. Bull. 2009, 44, 1811. doi: 10.1016/j.materresbull.2009.05.018
(82) Hwang, H.; Kim, H.; Cho, J. Nano Lett. 2011, 11, 4826. doi: 10.1021/nl202675f
(83) Li, X. L.; Li, Y. D. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 13893. doi: 10.1021/jp0367575
(84) Yan, L. L.; Feng, R. J.; Yang, S. Q.; Ma, H.; Jing, L.; Chen, J.Adv. Mater. 2011, 23, 640.
(85) Banerjee, S.; Richardson,W.; Coleman, C. A. IEEE ElectronDevice Lett. 1987, 8, 347. doi: 10.1109/EDL.1987.26655
(86) Wang, H.; Yu, L. L.; Lee, Y. H.; Shi, Y. M.; Hsu, A.; Chin, M.;Li, L. J.; Dubey, M.; Kong, J.; Palacios, T. Nano Lett. 2012,12, 4674. doi: 10.1021/nl302015v
(87) Lee, H. S.; Min, S.W.; Park, M. K.; Lee, Y. T.; Jeon, P. J.;Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. Small 2012, 8, 3111. doi: 10.1002/smll.v8.20
(88) Cheng, Y.W.; Yang, Z.;Wei, H.;Wang, Y. Y.;Wei, L. M.;Zhang, Y. F. Acta Phys. -Chim. Sin. 2010, 26 (12), 3127.[程应武, 杨志, 魏浩, 王艳艳, 魏良明, 张亚飞. 物理化学学报, 2010, 26 (12), 3127.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20101138
(89) Miremadi, B. K.; Singh, R. C.; Morrison, S. R.; Colbow, K.Appl. Phys. A-Mater. 1996, 63, 271.
(90) He, Q. Y.; Zeng, Z. Y.; Yin, Z. Y.; Li, H.;Wu, S. X.; Huang, X.;Zhang, H. Small 2012, 8, 2994. doi: 10.1002/smll.v8.19
(91) Gourmelon, E.; Lignier, O.; Hadouda, H.; Couturier, G.;Bernede, J. C.; Tedd, J.; Pouzet, J.; Salardenne, J. Sol. EnergyMater. Sol. Cells 1997, 46, 115. doi: 10.1016/S0927-0248(96)00096-7
(92) Yin, Z. Y.; Li, H.; Li, H.; Jiang, L.; Shi, Y. M.; Sun, Y. H.; Lu,G.; Zhang, Q.; Chen, X. D.; Zhang, H. ACS Nano 2012, 6, 74.doi: 10.1021/nn2024557
(93) Wang, Q. H.; Zadeh, K. K.; Kis, A.; Coleman, J. N.; Strano, M.S. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 699. doi: 10.1038/nnano.2012.193
(94) Lee, H. S.; Min, S.W.; Chang, Y. G.; Park, M. K.; Nam, T.;Kim, H.; Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. Nano Lett. 2012, 12,3695. doi: 10.1021/nl301485q
(95) Choi,W.; Cho, M. Y.; Konar, A.; Lee, J. H.; Cha, G. B.; Hong,S. C.; Kim, S.; Kim, J. Y.; Jena, D.; Joo, J.; Kim, S. Adv. Mater.2012, 24, 5832. doi: 10.1002/adma.201201909
(96) Deng, Z. R.; Yang, S. Y.; Meng, L. C.; Lou, Z. D. ActaPhys. -Chim. Sin. 2008, 24 (4), 700. [邓召儒, 杨盛谊, 孟令川, 娄志东. 物理化学学报, 2008, 24 (4), 700.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20080427
(97) Chen, R. F.; Xie, G. H.; Zhao, Y.; Zhang, S. L.; Yin, J.; Liu, S.Y.; Huang,W. Org. Electron. 2011, 12, 1619. doi: 10.1016/j.orgel.2011.05.025
(98) Tang, X. Q.; Yu, J. S.; Li, L.;Wang, J.; Jiang, Y. D. ActaPhys. -Chim. Sin. 2008, 24 (6), 1012. [唐晓庆, 于军胜,李璐, 王军, 蒋亚东. 物理化学学报, 2008, 24 (6), 1012.]doi: 10.3866/PKU.WHXB20080617
(99) Chen, R. F.; Zheng, C.; Fan, Q. L.; Huang,W. Prog. Chem.2010, 22, 696.
(100) Reynolds, K. J.; Barker, J. A.; Greenham, N. C.; Friend, R. H.;Frey, G. L. J. Appl. Phys. 2002, 92, 7556. doi: 10.1063/1.1522812
(101) Liu, J. Q.; Zeng, Z. Y.; Cao, X. H.; Lu, G.;Wang, L. H.; Fan,Q. L.; Huang,W.; Zhang, H. Small 2012, 8, 3517. doi: 10.1002/smll.v8.22
[1] 卢秀利,韩莹莹,鲁统部. 石墨炔结构表征及在光电催化反应中的应用[J]. 物理化学学报, 2018, 34(9): 1014-1028.
[2] 高晓平,郭章龙,周亚男,敬方梨,储伟. 锐钛矿型TiO2担载的Pd催化剂用于乙炔选择加氢的催化性能及其表征[J]. 物理化学学报, 2017, 33(3): 602-610.
[3] 朱晋潇,刘晓东,薛敏钊,陈长鑫. 磷烯的制备、结构、性质及器件应用[J]. 物理化学学报, 2017, 33(11): 2153-2172.
[4] 占轩,赵芳,张蕾,吕标彪,彭素红,应晓,王惠,刘海洋. 卤代苯溶剂对镓咔咯配合物光物理性质的影响:外重原子效应[J]. 物理化学学报, 2016, 32(3): 771-779.
[5] 张金水, 王博, 王心晨. 石墨相氮化碳的化学合成及应用[J]. 物理化学学报, 2013, 29(09): 1865-1876.
[6] 刘淑娟, 马廷春, 许文娟, 刘湘梅, 赵强, 黄艳琴, 黄维. 以主族元素为桥的梯形化合物的光电性质[J]. 物理化学学报, 2012, 28(11): 2597-2604.
[7] 王羽, 蒋骏骢, 朱月香, 谢有畅. 有机物单层分散在相关材料制备中的应用[J]. 物理化学学报, 2012, 28(10): 2327-2335.
[8] 林翠英;赵剑曦;宋利. DMABN在表面活性剂胶束水溶液中的荧光性质[J]. 物理化学学报, 2008, 24(09): 1709-1713.
[9] 刘咏;孟明;姚金松;查宇清. 多元介孔混合氧化物La-Mn-Ce-O催化剂的制备与表征[J]. 物理化学学报, 2007, 23(05): 641-646.
[10] 金卫红;倪菁;LAI Yee-Hing;裴坚. 结构规整有序的寡聚噻吩修饰9,9'-螺二芴衍生物的光物理性质及其电化学聚合[J]. 物理化学学报, 2007, 23(04): 459-465.
[11] 葛爱英;许并社;王晓敏;李天保;韩培德;刘旭光. 洋葱状富勒烯电磁特性的研究[J]. 物理化学学报, 2006, 22(02): 203-208.
[12] 王海水;王一兵;席时权. 电荷转移配合物薄膜制备方法和结构表征的研究进展[J]. 物理化学学报, 2004, 20(10): 1281-1286.
[13] 宋春敏;阎子峰;Max Lu. 高表面积MCM-41的合成与性能[J]. 物理化学学报, 2002, 18(03): 279-283.
[14] 张建国, 张同来. {[Ag(ATO)2]ClO4}n的合成、结构表征和热分解机理[J]. 物理化学学报, 2000, 16(12): 1110-1114.
[15] 张晓昕, 马爱增, 慕旭宏, 闵恩泽, 黄晓茜, 王蓉. 负载型Ni-B非晶态合金催化剂的表征[J]. 物理化学学报, 2000, 16(02): 180-183.