1 |
Kittl J. ; Opsomer K. ; Popovici M. ; Menou N. ; Kaczer B. ; Wang X. ; Adelmann C. ; Pawlak M. ; Tomida K. ; Rothschild A. Microelectron. Eng. 2009, 86, 1789.
doi: 10.1016/j.mee.2009.03.045
|
2 |
Schaeffer J. K. ; Samavedam S. B. ; Gilmer D. C. ; Dhandapani V. ; Tobin P. J. ; Mogab J. ; Nguyen B. Y. ; White B. E. ; Dakshina-Murthy S. ; Rai R. S. ; et al J. Vac. Sci. Technol. B 2003, 21, 11.
doi: 10.1116/1.1529650
|
3 |
Muller J. ; Boöscke T. S. ; Schroöder U. ; Mueller S. ; Brauhaus D. ; Bottger U. ; Frey L. ; Mikolajick T. Nano Lett. 2012, 12, 4318.
doi: 10.1021/nl302049k
|
4 |
Müller J. ; Böscke T. ; Bräuhaus D. ; Schröder U. ; Böttger U. ; Sundqvist J. ; Kücher P. ; Mikolajick T. ; Frey L. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 112901.
doi: 10.1063/1.3636417
|
5 |
Park M. H. ; Lee Y. H. ; Kim H. J. ; Kim Y. J. ; Moon T. ; Kim K. D. ; Mueller J. ; Kersch A. ; Schroeder U. ; Mikolajick T. Adv. Mater. 2015, 27, 1811.
doi: 10.1002/adma.201404531
|
6 |
Martin D. ; Müller J. ; Schenk T. ; Arruda T. M. ; Kumar A. ; Strelcov E. ; Yurchuk E. ; Müller S. ; Pohl D. ; Schröder U. Adv. Mater. 2014, 26, 8198.
doi: 10.1002/adma.201403115
|
7 |
Cheng C. H. ; Chin A. IEEE Electron Device Lett. 2014, 35, 138.
doi: 10.1109/led.2013.2290117
|
8 |
Mueller S. ; Müller J. ; Hoffmann R. ; Yurchuk E. ; Schlösser T. ; Boschke R. ; Paul J. ; Goldbach M. ; Herrmann T. ; Zaka A. IEEE Trans. Electron Devices 2013, 60, 4199.
doi: 10.1109/TED.2013.2283465
|
9 |
Yurchuk E. ; Müller J. ; Paul J. ; Schlösser T. ; Martin D. ; Hoffmann R. ; Müeller S. ; Slesazeck S. ; Schröeder U. ; Boschke R. IEEE Trans. Electron Devices 2014, 61, 3699.
doi: 10.1109/TED.2014.2354833
|
10 |
Park M. H. ; Kim H. J. ; Kim Y. J. ; Moon T. ; Kim K. D. ; Hwang C. S. Adv. Energy Mater. 2014, 4, 1400610.
doi: 10.1002/aenm.201400610
|
11 |
Böscke T. ; Müller J. ; Bräuhaus D. ; Schröder U. ; Böttger U. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 102903.
doi: 10.1063/1.3634052
|
12 |
Mueller S. ; Mueller J. ; Singh A. ; Riedel S. ; Sundqvist J. ; Schroeder U. ; Mikolajick T. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 2412.
doi: 10.1002/adfm.201103119
|
13 |
Mueller S. ; Adelmann C. ; Singh A. ; Van Elshocht S. ; Schroeder U. ; Mikolajick T. ECS J. Solid State Sci. Technol. 2012, 1, N123.
doi: 10.1149/2.002301jss
|
14 |
Schroeder U. ; Richter C. ; Park M. H. ; Schenk T. ; Pešić M. ; Hoffmann M. ; Fengler F. P. ; Pohl D. ; Rellinghaus B. ; Zhou C. Inorg. Chem. 2018, 57, 2752.
doi: 10.1021/acs.inorgchem.7b03149
|
15 |
Vulpe S. ; Nastase F. ; Dragoman M. ; Dinescu A. ; Romanitan C. ; Iftimie S. ; Moldovan A. ; Apostol N. Appl. Surf. Sci. 2019, 483, 324.
doi: 10.1016/j.apsusc.2019.03.166
|
16 |
Müller J. ; Schröder U. ; Böscke T. ; Müller I. ; Böttger U. ; Wilde L. ; Sundqvist J. ; Lemberger M. ; Kücher P. ; Mikolajick T. J. Appl. Phys. 2011, 110, 114113.
doi: 10.1063/1.3667205
|
17 |
Chernikova A. ; Kozodaev M. ; Markeev A. ; Negrov D. ; Spiridonov M. ; Zarubin S. ; Bak O. ; Buragohain P. ; Lu H. ; Suvorova E. ACS Appl. Mater. Interfaces 2016, 8, 7232.
doi: 10.1021/acsami.5b11653
|
18 |
Park M. H. ; Kim H. J. ; Kim Y. J. ; Lee W. ; Moon T. ; Kim K. D. ; Hwang C. S. Appl. Phys. Lett. 2014, 105, 072902.
doi: 10.1063/1.4893376
|
19 |
Chernikova A. ; Kozodaev M. ; Markeev A. ; Matveev Y. ; Negrov D. ; Orlov O. Microelectron. Eng. 2015, 147, 15.
doi: 10.1016/j.mee.2015.04.024
|
20 |
Hoffmann M. ; Schroeder U. ; Schenk T. ; Shimizu T. ; Funakubo H. ; Sakata O. ; Pohl D. ; Drescher M. ; Adelmann C. ; Materlik R. J. Appl. Phys. 2015, 118, 072006.
doi: 10.1063/1.4927805
|
21 |
Pešić M. ; Fengler F. P. G. ; Larcher L. ; Padovani A. ; Schenk T. ; Grimley E. D. ; Sang X. ; LeBeau J. M. ; Slesazeck S. ; Schroeder U. Adv. Funct. Mater. 2016, 26, 4601.
doi: 10.1002/adfm.201600590
|
22 |
Kim H. J. ; Park M. H. ; Kim Y. J. ; Lee Y. H. ; Moon T. ; Do Kim K. ; Hyun S. D. ; Hwang C. S. Nanoscale 2016, 8, 1383.
doi: 10.1039/C5NR05339K
|
23 |
Park M. H. ; Kim H. J. ; Kim Y. J. ; Lee Y. H. ; Moon T. ; Kim K. D. ; Hyun S. D. ; Hwang C. S. Appl. Phys. Lett. 2015, 107, 192907.
doi: 10.1063/1.4935588
|
24 |
Schenk T. ; Schroeder U. ; Pešić M. ; Popovici M. ; Pershin Y. V. ; Mikolajick T. ACS Appl. Mater. Interfaces 2014, 6, 19744.
doi: 10.1021/am504837r
|
25 |
Schenk T. ; Hoffmann M. ; Ocker J. ; Pešić M. ; Mikolajick T. ; Schroeder U. ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 20224.
doi: 10.1021/acsami.5b05773
|
26 |
Mittmann T. ; Materano M. ; Lomenzo P. D. ; Park M. H. ; Stolichnov I. ; Cavalieri M. ; Zhou C. ; Chung C. C. ; Jones J. L. ; Szyjka T. Adv. Mater. Interfaces 2019, 6, 1900042.
doi: 10.1002/admi.201900042
|
27 |
Pešić M. ; Knebel S. ; Cho K. ; Jung C. ; Chang J. ; Lim H. ; Kolomiiets N. ; Afanas'ev V. V. ; Mikolajick T. ; Schroeder U. Solid·State Electron. 2016, 115, 133.
doi: 10.1016/j.sse.2015.08.012
|
28 |
Weinreich W. ; Shariq A. ; Seidel K. ; Sundqvist J. ; Paskaleva A. ; Lemberger M. ; Bauer A. J. J. Vac. Sci. Technol. B 2013, 31, 01A.
doi: 10.1116/1.4768791
|
29 |
Park M. H. ; Kim H. J. ; Kim Y. J. ; Lee Y. H. ; Moon T. ; Kim K. D. ; Hyun S. D. ; Fengler F. ; Schroeder U. ; Hwang C. S. ACS Appl. Mater. Interfaces 2016, 8, 15466.
doi: 10.1021/acsami.6b03586
|
30 |
Chen, K. Y.; Chen, P. H.; Wu, Y. H. In Excellent Reliability of Ferroelectric HfZrOx Free from Wake-up and Fatigue Effects by NH3 Plasma Treatment; 2017 Symposium on VLSI Circuits, IEEE: 2017; pp. T84.
|
31 |
Hyuk Park M. ; Joon Kim H. ; Jin Kim Y. ; Lee W. ; Kyeom Kim H. ; Seong Hwang C. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 112914.
doi: 10.1063/1.4798265
|
32 |
Kim H. J. ; Park M. H. ; Kim Y. J. ; Lee Y. H. ; Jeon W. ; Gwon T. ; Moon T. ; Kim K. D. ; Hwang C. S. Appl. Phys. Lett. 2014, 105, 192903.
doi: 10.1063/1.4902072
|
33 |
Batra R. ; Huan T. D. ; Rossetti G. A., Jr. ; Ramprasad R. Chem. Mater. 2017, 29, 9102.
doi: 10.1021/acs.chemmater.7b02835
|
34 |
Matveyev Y. ; Negrov D. ; Chernikova A. ; Lebedinskii Y. ; Kirtaev R. ; Zarubin S. ; Suvorova E. ; Gloskovskii A. ; Zenkevich A. ACS Appl. Mater. Interfaces 2017, 9, 43370.
doi: 10.1021/acsami.7b14369
|
35 |
Kim K. ; Park M. ; Kim H. ; Kim Y. ; Moon T. ; Lee Y. ; Hyun S. ; Gwon T. ; Hwang C. J. Mater. Chem. C 2016, 4, 6864.
doi: 10.1039/C6TC02003H
|
36 |
Xu L. ; Nishimura T. ; Shibayama S. ; Yajima T. ; Migita S. ; Toriumi A. Appl. Phys. Express 2016, 9, 091501.
doi: 10.7567/APEX.9.091501
|
37 |
Ding S. A. ; Yang H. Vaccum 2019, 56, 60.
doi: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.06.11
|
38 |
Sokolov A. S. ; Jeon Y. R. ; Kim S. ; Ku B. ; Lim D. ; Han H. ; Chae M. G. ; Lee J. ; Ha B. G. ; Choi C. Appl. Surf. Sci. 2018, 434, 822.
doi: 10.1016/j.apsusc.2017.11.016
|
39 |
Lowther J. E. ; Dewhurst J. K. ; Leger J. M. ; Haines J. Phys. Rev. B 1999, 60, 14485.
doi: 10.1103/PhysRevB.60.14485
|
40 |
Park M. H. ; Kim H. J. ; Kim Y. J. ; Lee W. ; Moon T. ; Hwang C. S. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 242905.
doi: 10.1063/1.4811483
|
41 |
Hudec B. ; Wang I. ; Lai W. ; Chang C. ; Jancovic P. ; Frohlich K. ; Micusik M. ; Omastova M. ; Hou T. J. Phys. D 2016, 49, 215102.
doi: 10.1088/0022-3727/49/21/215102
|
42 |
Wang Q. ; Niu G. ; Roy S. ; Wang Y. ; Zhang Y. ; Wu H. ; Zhai S. ; Bai W. ; Shi P. ; Song S. J. Mater. Chem. C 2019, 7, 12682.
doi: 10.1039/C9TC04880D
|
43 |
Niu G. ; Calka P. ; Huang P. ; Sharath S. U. ; Petzold S. ; Gloskovskii A. ; Frohlich K. ; Zhao Y. ; Kang J. ; Schubert M. A. Mater. Res. Lett. 2019, 7, 117.
doi: 10.1080/21663831.2018.1561535
|
44 |
Park M. H. ; Lee Y. H. ; Hwang C. S. Nanoscale 2019, 11, 19477.
doi: 10.1039/C9NR05768D
|
45 |
Zhang X. Y. ; Hsu C. H. ; Lien S. Y. ; Wu W. Y. ; Ou S. L. ; Chen S. Y. ; Huang W. ; Zhu W. Z. ; Xiong F. B. ; Zhang S. Nanoscale Res. Lett. 2019, 14, 83.
doi: 10.1186/s11671-019-2915-0
|
46 |
Liu F. M. ; Liu T. Y. ; Liu J. ; Li H. X. Acta Phys. -Chim. Sin. 2015, 31, 441.
|
|
刘凤明; 刘廷禹; 刘检; 李海心. 物理化学学报,, 2015, 31, 441.
doi: 10.3866/PKU.WHXB201412301
|
47 |
Kim K. D. ; Park M. H. ; Kim H. J. ; Kim Y. J. ; Moon T. ; Lee Y. H. ; Hyun S. D. ; Gwon T. ; Hwang C. S. J. Mater. Chem. C 2016, 4
doi: 10.1039/c6tc02003h
|