物理化学学报 >> 1987, Vol. 3 >> Issue (04): 389-394.doi: 10.3866/PKU.WHXB19870411
郭沁林; 黄惠忠; 桂琳琳; 谢有畅; 唐有祺
Guo Qinlin; Huang Huizhong; Gui Linlin; Xie Youchang; Tang Youqi
摘要: 用XPS, SSIMS, ISS研究了CuCl在γ-Al_2O_3上的分散状态。结果指出: CuCl在γ-Al_2O_3表面呈单层分散, 用XPS得出的I_Cu/I_Al强度比与总CuCl含量曲线的转折点同XRD外推法得到的最大单层分散量相近。Cu 2p3/2光电子结合能随样品中CuCl浓度的增加而下降, 分散后的CuCl与纯CuCl在价带谱上有明显不同。ISS研究表明, CuCl/γ-Al_2O_3上单层分散的Cu~+对He~+的散射峰比纯CuCl高11 eV, 这些结果说明CuCl与γ-Al_2O_3表面有较强的相互作用。分散后CuCl的Auger峰变宽可由γ-Al_2O_3表面的不均匀性解释。