物理化学学报 >> 1999, Vol. 15 >> Issue (02): 105-109.doi: 10.3866/PKU.WHXB19990203
信春雨, 高善民, 崔得良, 黄柏标, 秦晓燕, 蒋民华
Xin Chun-Yu, Gao Shan-Min, Cui De-Liang, Huang Bai-Biao, Qin Xiao-Yan, Jiang Min-Hua
摘要:
用高温高压苯热合成方法制备了GaP纳米晶,用X射线衍射、光吸收谱及透射电子显微镜对所得样品进行了分析测试.结果表明,GaP纳米晶在苯热条件下是亚稳定态的,反应时间过长及反应温度过高均不利于它的生成和生长.文中还讨论了晶粒度分布与合成条件间的关系,并进行了理论上的定性分析.