物理化学学报 >> 2004, Vol. 20 >> Issue (03): 237-239.doi: 10.3866/PKU.WHXB20040304
邵俊;徐桦;陆文聪;陈念贻
Shao Jun;Xu Hua;Lu Wen-Cong;Chen Nian-Yi
摘要: 在6000 K, 0~100 GPa范围内,对一系列Na2O-SiO2二元系进行了分子动力学模拟.这些体系包括SiO2、Na2O•10SiO2、Na2O•5SiO2、Na2O•2SiO2、Na2O•SiO2、2Na2O•SiO2.模拟结果显示,在前4个体系中,氧扩散系数随压力变化反常.在 Na2O•10SiO2, Na2O•5SiO2, Na2O•2SiO2 中,硅的扩散系数随压力变化也出现反常.在这些体系中, 20 GPa处氧的扩散系数比常压下高出一个数量级.在上述各体系中,氧扩散系数随压力变化的峰值都在20 GPa处,以前报导的SiO2体系中氧扩散系数随压力变化的峰值在30 GPa处.还观察到,在SiO2体系中,氧扩散系数最大值大致相当于硅-氧配位数以五配位为主;而在Na2O•10SiO2体系中,氧扩散系数最大值大致相当于硅-氧配位数以六配位为主.