物理化学学报 >> 2004, Vol. 20 >> Issue (12): 1399-1403.doi: 10.3866/PKU.WHXB20041201
研究论文 下一篇
王娟; 张长瑞; 冯坚
Wang Juan; Zhang Chang-Rui; Feng Jian
摘要: 以正硅酸乙酯为先驱体,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用三甲基氯硅烷(TMCS)对该SiO2薄膜进行了表面修饰,采用FTIR、TG-DTA、AFM和椭偏仪等方法研究了TMCS修饰前后薄膜的结构、形貌、厚度与介电常数等性能.超临界干燥后的SiO2薄膜含有Si-O-Si与Si-OR结构,呈疏水性.在空气中250 ℃以上热处理后SiO2薄膜因含有Si-OH而呈吸水性. TMCS修饰后的SiO2薄膜在温度不高于450 ℃时可保持其疏水性和多孔结构. SiO2薄膜经TMCS修饰后基本粒子和孔隙尺寸增大,孔隙率提高,介电常数可降低至2.5以下.