物理化学学报 >> 2009, Vol. 25 >> Issue (07): 1352-1356.doi: 10.3866/PKU.WHXB20090715
庞先勇, 邢斌, 王贵昌, YOSHITADA Morikawa, JUNJI Nakamura
PANG Xian-Yong, XING Bin, WANG Gui-Chang, YOSHITADA Morikawa, JUNJI Nakamura
摘要:
采用密度泛函理论(DFT)以及广义梯度近似方法(GGA)计算了甲酸根(HCOO)在Cu(110)、Ag(110)和Au(110)表面的吸附. 计算结果表明, 短桥位是最稳定的吸附位置, 计算的几何参数与以前的实验和计算结果吻合. 吸附热顺序为Cu(110)(-116 kJ·mol-1)>Ag(110)(-57 kJ·mol-1)>Au(110)(-27 kJ·mol-1), 与实验上甲酸根的分解温度相一致. 电子态密度分析表明, 吸附热顺序可以用吸附分子与金属d-带之间的Pauli 排斥来关联, 即排斥作用越大, 吸附越弱. 另外还从计算的吸附热数据以及实验上HCOO的分解温度估算了反应CO2+1/2H2→HCOO的活化能, 其大小顺序为Au(110)>Ag(110)>Cu(110).
MSC2000:
O641