物理化学学报 >> 2010, Vol. 26 >> Issue (02): 507-510.doi: 10.3866/PKU.WHXB20100203
郭永福, 薛成山, 石锋, 庄惠照, 刘文军, 孙海波, 曹玉萍
GUO Yong-Fu, XUE Cheng-Shan, SHI Feng, ZHUANG Hui-Zhao, LIU Wen-Jun, SUN Hai-Bo, CAO Yu-Ping
摘要:
基于金属元素钯具有的催化特性, 采用射频磁控溅射方法, 在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜, 然后在950 ℃下对薄膜进行氨化, 制备出大量GaN纳米线. 采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析. 结果表明, 制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米线, 直径在20-60 nm范围内, 长度为几十微米, 表面光滑无杂质, 结晶质量较高. 用光致发光光谱对样品的发光特性进行测试, 分别在361.1、388.6和426.3 nm 处出现三个发光峰, 且与GaN体材料相比近带边紫外发光峰发生了较弱的蓝移. 对GaN纳米线的生长机制也进行了简单的讨论.
MSC2000:
O644