物理化学学报 >> 2010, Vol. 26 >> Issue (07): 1779-1783.doi: 10.3866/PKU.WHXB20100736
GE Fang, CAO Rui-Guo, ZHU Bin, LI Jing-Jian, XU Dong-Sheng
摘要:
通过自组装方法将修饰有二茂铁基团的富T序列DNA分子(DNA-Fc)固定在金电极表面, 得到了一种基于DNA修饰电极的电化学汞离子(Hg2+)传感器. 当溶液中有Hg2+存在时, Hg2+可与修饰电极上DNA的T碱基发生较强的特异结合, 形成T-Hg2+-T发卡结构, 使DNA分子构象发生改变, 其末端具有电化学活性的二茂铁基团远离电极表面, 电化学响应随之发生变化. 示差脉冲伏安法(DPV)结果显示: DNA末端二茂铁基团的还原峰在0.26 V(vs 饱和甘汞电极(SCE))附近, 峰电流随溶液中Hg2+浓度的增加而降低; Hg2+浓度范围在0.1 nmol·L-1-1 μmol·L-1 时, 电流相对变化率与Hg2+浓度的对数呈现良好的线性关系. 该修饰电极对Hg2+的检测限为0.1 nmol·L-1, 可作为痕量Hg2+检测的电化学生物传感器. 干扰实验也表明, 该传感器对Hg2+具有良好的特异性与灵敏度.
MSC2000:
O646