物理化学学报 >> 2017, Vol. 33 >> Issue (8): 1514-1519.doi: 10.3866/PKU.WHXB201705123
收稿日期:
2017-03-27
发布日期:
2017-06-14
通讯作者:
金传洪
E-mail:chhjin@zju.edu.cn
基金资助:
Dan-Hui LÜ,Dan-Cheng ZHU,Chuan-Hong JIN*()
Received:
2017-03-27
Published:
2017-06-14
Contact:
Chuan-Hong JIN
E-mail:chhjin@zju.edu.cn
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摘要:
采用球差校正扫描透射电子显微镜(STEM)研究化学气相沉积法制备的二维MoS2(1-x)Se2x合金材料中Se元素掺杂、取代的微观过程和机理。定量和统计STEM表征结果发现:Se原子晶界处富集显著,晶界处Se元素含量远高于晶畴内部。进一步研究表明晶界中掺杂取代Se原子的浓度和分布与晶界结构密切相关。主要与晶界处的局域畸变及其诱导的反应活性有关。该结果对于二维过渡金属硫族化物合金体系的可控合成及应用拓展具有重要意义。
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