综述 |
|
|
|
|
石墨炔与锡烯层状体系的形变势和电声耦合及载流子传输理论研究 |
奚晋扬1,中村悠马2,赵天琦2,王冬2,帅志刚*( ) |
1 上海大学材料基因组工程研究院,上海 200444 2 清华大学化学系,有机光电子与分子工程教育部重点实验室,北京 100084 |
|
Theoretical Studies on the Deformation Potential, Electron-Phonon Coupling, and Carrier Transports of Layered Systems |
Jinyang XI1,Yuma NAKAMURA2,Tianqi ZHAO2,Dong WANG2,Zhigang SHUAI*( ) |
1 Materials Genome Institute, Shanghai University, Shanghai 200444, P. R. China 2 MOE Key Laboratory of Organic OptoElectronics and Molecular Engineering, Department of Chemistry, Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China |
引用本文:
奚晋扬,中村悠马,赵天琦,王冬,帅志刚. 石墨炔与锡烯层状体系的形变势和电声耦合及载流子传输理论研究[J]. 物理化学学报, 2018, 34(9): 961-976.
Jinyang XI,Yuma NAKAMURA,Tianqi ZHAO,Dong WANG,Zhigang SHUAI. Theoretical Studies on the Deformation Potential, Electron-Phonon Coupling, and Carrier Transports of Layered Systems. Acta Physico-Chimica Sinca, 2018, 34(9): 961-976.
链接本文:
http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/10.3866/PKU.WHXB201802051
或
http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/Y2018/V34/I9/961
|
1 |
Kr?tschmer W. ; Lamb L. D. ; Fostiropoulos K. ; Huffman D. R. Nature 1990, 347, 354.
doi: 10.1038/347354a0
|
2 |
Iijima S. Nature 1991, 354, 56.
doi: 10.1038/354056a0
|
3 |
Novoselov K. S. ; Geim A. K. ; Morozov S. V. ; Jiang D. ; Zhang Y. ; Dubonos S. V. ; Grigorieva I. V. ; Firsov A. A. Science 2004, 306, 666.
doi: 10.1126/science.1102896
|
4 |
Taylor R. ; Walton D. R. M. Nature 1993, 363, 685.
doi: 10.1038/363685a0
|
5 |
Wong S. S. ; Joselevich E. ; Woolley A. T. ; Cheung C. L. ; Lieber C. M. Nature 1998, 394, 52.
doi: 10.1038/27873
|
6 |
Geim A. K. Science 2009, 324, 1530.
doi: 10.1126/science.1158877
|
7 |
Baughman R. H. ; Eckhardt H. ; Kertesz M. J. Chem. Phys. 1987, 87, 6687.
doi: 10.1063/1.453405
|
8 |
Haley M. M. Pure Appl. Chem. 2008, 80, 519.
doi: 10.1351/pac200880030519
|
9 |
Coluci V. R. ; Galv?o D. S. ; Baughman R. H. J. Chem. Phys. 2004, 121, 3228.
doi: 10.1063/1.1772756
|
10 |
Haley M. M. ; Brand S. C. ; Pak J. J. Angew. Chem. Int. Ed. 1997, 36, 836.
doi: 10.1002/anie.199708361
|
11 |
Narita N. ; Nagai S. ; Suzuki S. ; Nakao K. Phys. Rev. B 1998, 58, 11009.
doi: 10.1103/PhysRevB.58.11009
|
12 |
Li G. ; Li Y. ; Liu H. ; Guo Y. ; Li Y. ; Zhu D. Chem. Commun. 2010, 46, 3256.
doi: 10.1039/b922733d
|
13 |
Qian X. ; Ning Z. ; Li Y. ; Liu H. ; Ouyang C. ; Chen Q. ; Li Y. Dalton Trans. 2012, 41, 730.
doi: 10.1039/c1dt11641j
|
14 |
Li Y. ; Xu L. ; Liu H. ; Li Y. Chem. Soc. Rev. 2014, 43, 2572.
doi: 10.1039/c3cs60388a
|
15 |
Huang C. S. ; Li Y. L. Acta Phys.-Chim. Sin. 2016, 32, 1314.
doi: 10.3866/PKU.WHXB201605035
|
|
黄长水; 李玉良. 物理化学学报, 2016, 32, 1314.
doi: 10.3866/PKU.WHXB201605035
|
16 |
Luo G. ; Qian X. ; Liu H. ; Qin R. ; Zhou J. ; Li L. ; Gao Z. ; Wang E. ; Mei W.-N. ; Lu J. ; Li Y. ; Nagase S. Phys. Rev. B 2011, 84, 075439.
doi: 10.1103/PhysRevB.84.075439
|
17 |
Long M. Q. ; Tang L. ; Wang D. ; Li Y. L. ; Shuai Z. G. ACS Nano 2011, 5, 2593.
doi: 10.1021/nn102472s
|
18 |
Jiao Y. ; Du A. ; Hankel M. ; Zhu Z. ; Rudolph V. ; Smith S. C. Chem. Commun. 2011, 47, 11843.
doi: 10.1039/c1cc15129k
|
19 |
Enyashin A. N. ; Ivanovskii A. L. Phys. Status Solidi B 2011, 248, 1879.
doi: 10.1002/pssb.201046583
|
20 |
Malko D. ; Neiss C. ; Vi?es F. ; G rling A. Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 086804.
doi: 10.1103/PhysRevLett.108.086804
|
21 |
Chen J. M. ; Xi J. Y. ; Wang D. ; Shuai Z. G. J. Phys. Chem. Lett. 2013, 4, 1443.
doi: 10.1021/jz4005587
|
22 |
Cui H. J. ; Sheng X. L. ; Yan Q. B. ; Zheng Q. R. ; Su G. Phys. Chem. Chem. Phys. 2013, 15, 8179.
doi: 10.1039/c3cp44457k
|
23 |
Yue Q. ; Chang S. ; Kang J. ; Qin S. ; Li J. J. Phys. Chem. C 2013, 117, 14804.
doi: 10.1021/jp4021189
|
24 |
Pan L. D. ; Zhang L. Z. ; Song B. Q. ; Du S. X. ; Gao H. J. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 173102.
doi: 10.1063/1.3583507
|
25 |
Bai H. ; Zhu Y. ; Qiao W. ; Huang Y. RSC Adv. 2011, 1, 768.
doi: 10.1039/c1ra00481f
|
26 |
Kang J. ; Wu F. ; Li J. J. Phys.: Condensed Matter 2012, 24, 165301.
doi: 10.1088/0953-8984/24/16/165301
|
27 |
Zheng Q. ; Luo G. ; Liu Q. ; Quhe R. ; Zheng J. ; Tang K. ; Gao Z. ; Nagase S. ; Lu J. Nanoscale 2012, 4, 3990.
doi: 10.1039/c2nr12026g
|
28 |
Leenaerts O. ; Partoens B. ; Peeters F. M. Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 013105.
doi: 10.1063/1.4812977
|
29 |
Xi J. Y. ; Long M. Q. ; Tang L. ; Wang D. ; Shuai Z. G. Nanoscale 2012, 4, 4348.
doi: 10.1039/c2nr30585b
|
30 |
Xi J. Y. ; Wang D. ; Yi Y. P. ; Shuai Z. G. J. Chem. Phys. 2014, 141, 034704.
doi: 10.1063/1.4887538
|
31 |
Xi J. Y. ; Wang D. ; Shuai Z. G. WIRES: Comput. Mol. Sci. 2015, 5, 215.
doi: 10.1002/wcms.1213
|
32 |
Ivanovskii A. L. Prog. Solid State Chem. 2013, 41, 1.
doi: 10.1016/j.progsolidstchem.2012.12.001
|
33 |
Peng Q. ; Dearden A. K. ; Crean J. ; Han L. ; Liu S. ; Wen X. ; De S. Nanotechnol., Sci. Appl. 2014, 7, 1.
doi: 10.2147/nsa.s40324
|
34 |
Nakamura Y. ; Zhao T. Q. ; Xi J. Y. ; Shi W. ; Wang D. ; Shuai Z. G. Adv. Electron. Mater. 2017, 3, 1700143.
doi: 10.1002/aelm.201700143
|
35 |
Bardeen J. ; Shockley W. Phys. Rev. 1950, 80, 72.
doi: 10.1103/PhysRev.80.72
|
36 |
Baroni S. ; de Gironcoli S. ; Dal Corso A. ; Giannozzi P. Rev. Mod. Phys. 2001, 73, 515.
doi: 10.1103/RevModPhys.73.515
|
37 |
Giustino F. ; Cohen M. L. ; Louie S. G. Phys. Rev. B 2007, 76, 165108.
doi: 10.1103/PhysRevB.76.165108
|
38 |
Noffsinger J. ; Giustino F. ; Malone B. D. ; Park C.-H. ; Park C.-H. ; Louie S. G. ; Cohen M. L. Comput. Phys. Commun. 2010, 181, 2140.
doi: 10.1016/j.cpc.2010.08.027
|
39 |
Dinadayalane T. C. ; Leszczynski J. Struct. Chem. 2010, 21, 1155.
doi: 10.1007/s11224-010-9670-2
|
40 |
Allen M. J. ; Tung V. C. ; Kaner R. B. Chem. Rev. 2010, 110, 132.
doi: 10.1021/cr900070d
|
41 |
Fuhrer M. S. ; Lau C. N. ; MacDonald A. H. MRS Bull. 2010, 35, 289.
doi: 10.1557/mrs2010.551
|
42 |
Srinivasu K. ; Ghosh S. K. J. Phys. Chem. C 2012, 116, 5951.
doi: 10.1021/jp212181h
|
43 |
Long M. Q. ; Tang L. ; Wang D. ; Wang L. J. ; Shuai Z. G. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 17728.
doi: 10.1021/ja907528a
|
44 |
Terrones M. ; Botello-Méndez A. R. ; Campos-Delgado J. ; López-Urías F. ; Vega-Cantú Y. I. ; Rodríguez-Macías F. J. ; Elías A. L. ; Mu?oz-Sandoval E. ; Cano-Márquez A. G. ; Charlier J. C. ; Terrones H. Nano Today 2010, 5, 351.
doi: 10.1016/j.nantod.2010.06.010
|
45 |
Son Y. W. ; Cohen M. L. ; Louie S. G. Nature 2006, 444, 347.
doi: 10.1038/nature05180
|
46 |
Yue Q. ; Chang S. ; Kang J. ; Tan J. ; Qin S. ; Li J. J. Chem. Phys. 2012, 136, 244702.
doi: 10.1063/1.4730325
|
47 |
Das Sarma S. ; Adam S. ; Hwang E. H. ; Rossi E. Rev. Mod. Phys. 2011, 83, 407.
doi: 10.1103/RevModPhys.83.407
|
48 |
Wang L. J. ; Nan G. J. ; Yang X. D. ; Peng Q. ; Li Q. K. ; Shuai Z. G. Chem. Soc. Rev. 2010, 39, 423.
doi: 10.1039/b816406c
|
49 |
Shuai Z. G. ; Geng H. ; Xu W. ; Liao Y. ; Andre J. M. Chem. Soc. Rev. 2014, 43, 2662.
doi: 10.1039/c3cs60319a
|
50 |
Shuai Z. G. ; Wang L. J. ; Li Q. K. Adv. Mater. 2011, 23, 1145.
doi: 10.1002/adma.201003503
|
51 |
Ziman J. M. Principles of the Theory of Solids. Cambridge University: London 1972.
|
52 |
Grimvall G. The Electron-Phonon Interaction in Metals, Selected Topics in Solid State Physics. North-Holland: Amsterdam 1981.
|
53 |
Northrup J. E. Applied Physics Letters 2011, 99, 062111.
doi: 10.1063/1.3624588
|
54 |
Tang L. ; Long M. Q. ; Wang D. ; Shuai Z. G. Sci. China Ser. B: Chem. 2009, 52, 1646.
doi: 10.1007/s11426-009-0244-3
|
55 |
Shi W. ; Chen J. M. ; Xi J. Y. ; Wang D. ; Shuai Z. G. Chem. Mater. 2014, 26, 2669.
doi: 10.1021/cm500429w
|
56 |
Shi W. ; Zhao T. Q. ; Xi J. Y. ; Wang D. ; Shuai Z. G. J. Am. Chem. Soc. 2015, 137, 12929.
doi: 10.1021/jacs.5b06584
|
57 |
Zhao T. Q. ; Shi W. ; Xi J. Y. ; Wang D. ; Shuai Z. G. Sci. Rep. 2016, 6, 19968.
doi: 10.1038/srep19968
|
58 |
Zhao T. Q. ; Wang D. ; Shuai Z. G. Synth. Met. 2017, 225, 108.
doi: 10.1016/j.synthmet.2017.01.003
|
59 |
Beleznay F. B. ; Bogár F. ; Ladik J. J. Chem. Phys. 2003, 119, 5690.
doi: 10.1063/1.1595634
|
60 |
Giustino F. Rev. Mod. Phys. 2017, 89, 015003.
doi: 10.1103/RevModPhys.89.015003
|
61 |
Marzari N. ; Mostofi A. A. ; Yates J. R. ; Souza I. ; Vanderbilt D. Rev. Mod. Phys. 2012, 84, 1419.
doi: 10.1103/RevModPhys.84.1419
|
62 |
Ferry D. K. Semiconductor Transport. Taylor and Francis: New York 2000.
|
63 |
Borysenko K. M. ; Mullen J. T. ; Barry E. A. ; Paul S. ; Semenov Y. G. ; Zavada J. M. ; Nardelli M. B. ; Kim K. W. Phys. Rev. B 2010, 81, 121412.
doi: 10.1103/PhysRevB.81.121412
|
64 |
Kaasbjerg K. ; Thygesen K. S. ; Jacobsen K. W. Phys. Rev. B 2012, 85, 165440.
doi: 10.1103/PhysRevB.85.165440
|
65 |
Borysenko K. M. ; Mullen J. T. ; Li X. ; Semenov Y. G. ; Zavada J. M. ; Nardelli M. B. ; Kim K. W. Phys. Rev. B 2011, 83, 161402.
doi: 10.1103/PhysRevB.83.161402
|
66 |
Li X. ; Mullen J. T. ; Jin Z. ; Borysenko K. M. ; Buongiorno Nardelli M. ; Kim K. W. Phys. Rev. B 2013, 87, 115418.
doi: 10.1103/PhysRevB.87.115418
|
67 |
Kaasbjerg K. ; Thygesen K. S. ; Jacobsen K. W. Phys. Rev. B 2012, 85, 115317.
doi: 10.1103/PhysRevB.85.115317
|
68 |
Bolotin K. I. ; Sikes K. J. ; Hone J. ; Stormer H. L. ; Kim P. Phys. Rev. Lett. 2008, 101, 096802.
doi: 10.1103/PhysRevLett.101.096802
|
69 |
Hong X. ; Posadas A. ; Zou K. ; Ahn C. H. ; Zhu J. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 136808.
doi: 10.1103/PhysRevLett.102.136808
|
70 |
Chen J. H. ; Jang C. ; Ishigami M. ; Xiao S. ; Cullen W. G. ; Williams E. D. ; Fuhrer M. S. Solid State Commun. 2009, 149, 1080.
doi: 10.1016/j.ssc.2009.02.042
|
71 |
Xu Y. ; Yan B. ; Zhang H.-J. ; Wang J. ; Xu G. ; Tang P. ; Duan W. ; Zhang S.-C. Phys. Rev. Lett. 2013, 111, 136804.
doi: 10.1103/PhysRevLett.111.136804
|
72 |
Zhu F. F. ; Chen W. J. ; Xu Y. ; Gao C. L. ; Guan D. D. ; Liu C. H. ; Qian D. ; Zhang S. C. ; Jia J. F. Nat. Mater. 2015, 14, 1020.
doi: 10.1038/nmat4384
|
73 |
Qi X. L. ; Zhang S. C. Rev. Mod. Phys. 2011, 83, 1057.
doi: 10.1103/RevModPhys.83.1057
|
74 |
Mermin N. D. ; Wagner H. Phys. Rev. Lett. 1966, 17, 1133.
doi: 10.1103/PhysRevLett.17.1133
|
75 |
Fischetti M. V. ; Vandenberghe W. G. Phys. Rev. B 2016, 93, 155413.
doi: 10.1103/PhysRevB.93.155413
|
76 |
Gaddemane G. ; Vandenberghe W. G. ; Fischetti M. V. In Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), IEEE: Nuremberg, Germany 2016, pp. 353.
|
77 |
Gunst T. ; Markussen T. ; Stokbro K. ; Brandbyge M. Phys. Rev. B 2016, 93, 035414.
doi: 10.1103/PhysRevB.93.035414
|
78 |
Balendhran S. ; Walia S. ; Nili H. ; Sriram S. ; Bhaskaran M. Small 2015, 11, 640.
doi: 10.1002/smll.201402041
|
79 |
Lars M. ; Olivia P. ; Friedhelm B. J. Phys.: Condens. Mat. 2013, 25, 395305.
doi: 10.1088/0953-8984/25/39/395305
|
80 |
Ye X. S. ; Shao Z. G. ; Zhao H. ; Yang L. ; Wang C. L. RSC Adv. 2014, 4, 21216.
doi: 10.1039/c4ra01802h
|
81 |
Jose D. ; Datta A. J. Phys. Chem. C 2012, 116, 24639.
doi: 10.1021/jp3084716
|
82 |
Ding Y. ; Wang Y. J. Phys. Chem. C 2013, 117, 18266.
doi: 10.1021/jp407666m
|
83 |
Shao Z. G. ; Ye X. S. ; Yang L. ; Wang C. L. J. Appl. Phys. 2013, 114, 093712.
doi: 10.1063/1.4820526
|
84 |
Hwang E. H. ; Das Sarma S. Phys. Rev. B 2008, 77, 115449.
doi: 10.1103/PhysRevB.77.115449
|
85 |
Cai Y. ; Zhang G. ; Zhang Y. W. J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 6269.
doi: 10.1021/ja4109787
|
86 |
Li W. Phys. Rev. B 2015, 92, 075405.
doi: 10.1103/PhysRevB.92.075405
|
87 |
Oscar D. R. ; Kevin E. K. ; Joshua G. ; Wolfgang W. New J. Phys. 2014, 16, 105009.
doi: 10.1088/1367-2630/16/10/105009
|
|
Viewed |
|
|
|
Full text
|
|
|
|
|
Abstract
|
|
|
|
|
Cited |
|
|
|
|
|
Shared |
|
|
|
|
|
Discussed |
|
|
|
|