物理化学学报 >> 2002, Vol. 18 >> Issue (01): 30-33.doi: 10.3866/PKU.WHXB20020107
施申蕾;楼辉;张建华;吕萍;江宁;何丕模;鲍世宁
Shi Shen-Lei;Lou Hui;Zhang Jian-Hua;Lü Ping;Jiang Ning;He Pi-Mo;Bao Shi-Ning
摘要: 采用紫外光电子能谱(UPS),分析了不对称四苯基四苯乙炔基环辛四烯(COTH)有机发光材料与金属之间的界面电子结构,研究了在金属/COTH界面上的逸出功变化.UPS谱中位于费米能级以下5.6、7.9和10.2 eV处的三个谱峰分别来自于COTH材料中苯环的πCC、σCC和σCH轨道.位于3.8 eV处的谱峰反映了八个苯环聚合后具有π轨道特性的C-C键.从UPS谱图中可以看到, COTH材料的最高占有态(HOS:highest occupied state)位于费米能级以下1.8 eV处.COTH材料的逸出功只有3.2 eV,比清洁Ru表面的逸出功小1.0 eV.角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)的结果表明,组成COTH分子应该近似平行于衬底表面.