摘要: 通过低温压热的方法,在经过预先处理长满晶核的SnO2导电玻璃基底上制备出具有高度取向的ZnO亚微米棒阵列.用扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)及X射线粉末衍射(XRD),对制备出的ZnO亚微米棒的结构和形貌进行了表征.SEM测试结果表明,ZnO亚微米棒是六方型的,近乎垂直地长在基底上,棒的直径为400~500 nm,长度约为2 μm. SAED和XRD结果表明,ZnO亚微米棒为单晶,属于六方晶系,并且沿[001]方向择优取向生长.
郭敏;刁鹏;任焱杰;王斌;蔡生民. 高度取向ZnO单晶亚微米棒阵列的制备与表征[J]. 物理化学学报, 2003, 19(05): 478-480.
Guo Min;Diao Peng;Ren Yan-Jie;Wang Bin;Cai Sheng-Min. Preparation and Characterization of Highly Oriented ZnO Single Crystal Submicrorod Arrays[J]. Acta Phys. -Chim. Sin., 2003, 19(05): 478-480.