摘要: 用原位XRD方法证明V_2O_5能在硅胶表面自发分散, 但所需温度较高. 水汽对V_2O_5的分散有一定的阻碍作用. K_2SO_4可显著加快V_2O_5在SiO_2表面的分散速度, 并能降低V_2O_5/SiO_2的表面酸性. 被中和的主要是强酸位. 这可能是K_2SO_4能够改善V_2O_5/SiO_2催化剂在选择氧化反应中选择性的重要原因之一.
赵璧英;王秋霞;唐有祺. V2O5在硅胶表面的分散及助剂K2SO4作用的研究[J]. 物理化学学报, 1993, 9(02): 187-192.
Zhao Bi-Ying; Wang Qiu-Xia; Tang You-Qi. Study on Dispersion of V2O5 on Surface of SiO2 and the Effect of Promoter K2SO4[J]. Acta Phys. -Chim. Sin., 1993, 9(02): 187-192.