物理化学学报 >> 2010, Vol. 26 >> Issue (01): 249-252.doi: 10.3866/PKU.WHXB20100101
王小燕, 董桂芳, 乔娟, 王立铎, 邱勇
WANG Xiao-Yan, DONG Gui-Fang, QIAO Juan, WANG Li-Duo, QIU Yong
摘要:
通过旋涂法, 采用不同浓度的前躯体制备了氧化锌多层膜, 并制备了基于此多层膜的薄膜晶体管器件. 实验证明, 基于按照氧化锌前躯体浓度顺序为0.25、0.10和0.05 mol·L-1依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的晶体管器件的载流子迁移率为0.02 cm2·V-1·s-1, 高于按照浓度顺序为0.05、0.10和0.25 mol·L-1依次旋涂前躯体溶液制备的氧化锌薄膜的载流子迁移率(0.013 cm2·V-1·s-1). 原子力显微镜(AFM)结果表明, 前一种薄膜粗糙度的均方根值(rms)为3.95 nm, 而后一种薄膜粗糙度的rms远远高于前者, 为4.52 nm, 这就说明了氧化锌薄膜的粗糙度对薄膜的半导体性质有很大的影响, 这是由于平整的薄膜有利于形成理想的源/漏电极与半导体层的接触. 在晶体管中, 起传输作用的半导体层是靠近ZnO/SiO2界面处的几纳米的半导体层中的氧化锌晶粒, 因此起始形成的氧化锌薄膜的结晶度影响着晶体管的性能. 采用X射线衍射(XRD)测试了多层膜中起始形成的薄膜的结晶性能. 对于前一种薄膜,起始形成的薄膜为多晶薄膜, 而对于后一种薄膜, 起始形成的薄膜是无定形薄膜. 因此, 粗糙度以及起始形成的薄膜的结晶度影响着多层半导体薄膜的性质.
MSC2000:
O649