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ISSN 1000-6818CN 11-1892/O6CODEN WHXUEU
物理化学学报 >> 2017,Vol.33>> Issue(5)>> 941-948     doi: 10.3866/PKU.WHXB201702085         English Abstract
Ag3XO4(X = P,As,V)电子结构及光催化性质的第一性原理计算
李蛟1,2, 陈忠2
1 山东理工大学材料科学与工程学院, 山东 淄博 255049;
2 南洋理工大学材料科学与工程学院, 新加坡 639798
Full text: PDF (1375KB) 输出: BibTeX | EndNote (RIS)

基于密度泛函理论的第一性原理对Ag3XO4(X = P,As,V)电子结构及光催化性质进行了对比研究。与Ag3PO4相比,Ag3VO4较好的光催化稳定性主要源于其结构中Ag―O间较强的作用力增加了对Ag+的控制,而Ag3VO4弱的光催化活性与其导带底中存在d 轨道成份以及较低的价带边势(2.335 V,vs NHE)有关;对Ag3AsO4而言,其优于Ag3PO4光催化活性的原因基于三个方面:(1)由高分散Ag s-Ag s 杂化轨道构成的导带底能带;(2)窄的带隙(1.91 eV);(3)宽的可见光响应范围以及高的光吸收系数。此外,Ag3XO4(X = P,As,V)均为间接带隙半导体光催化材料,其中,Ag3VO4有用于分解水制氢研究的可能;上述计算结果与实验结果吻合。



关键词: 第一性原理   Ag3XO4(X = P   As   V)   能带结构   态密度   光催化  
收稿日期 2016-12-05 修回日期 2017-01-22 网出版日期 2017-02-08
通讯作者: 李蛟 Email: haiyan9943@163.com

基金资助: 山东省高等学校科技发展计划(J15LA08)资助项目

引用文本: 李蛟, 陈忠. Ag3XO4(X = P,As,V)电子结构及光催化性质的第一性原理计算[J]. 物理化学学报, 2017,33(5): 941-948.
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