二维材料及器件

二维材料及器件

 

特刊投稿截止日期:2018-12-30

特刊客座编辑
Professor Xiangfeng Duan
Department of Chemistry and Biochemistry, UCLA
607 Charles E. Young Drive East, Box 951569
Los Angeles, CA, USA
研究兴趣:Synthesis, Assembly and Characterization;Advanced Electronics and Photonics; Energy Harvesting, Conversion and Storage; Biomedical Sensing and therapeutics

徐杨教授
College of Information Science & Electronic Engineering,
Zhejiang University, China
研究兴趣:integration of 2D/3D heterostructures for next generation high performance sensors and photodetectors

特刊介绍
        二维材料作为电学、光电学体系中单位元件的新奇特性,具备与互补金属氧化半导体技术整合的能力引起了人们广泛的关注。从绝缘体氮化硼,半导体过渡金属硫化物,到金属特性的石墨烯,二维材料种类的多样性展示了它们在各个领域的多种应用。同时,各种堆叠和排列二维材料的组合或许会带来科学上的重要发现和技术方面的大幅提高。

        尽管传统的三维体材料,硅、锗或砷化镓、碳化硅、氮化镓等, 及基于它们的相关应用达到了较成熟的水平,更高性能的器件在大尺度、柔性、透明、高速、高效、宽谱、低功耗和低成本等方面始终有应用需求。石墨烯等二维材料独特的光学电学特性或许会在将来发挥重要作用。因此,基于石墨烯等二维材料器件的性能在过去几年中被深入的研究。其中的有些应用已经作为现有技术的有力竞争者在实现产业化的阶段。

        在这个特刊中,我们邀请来自世界各地的研究者发表他们在二维材料和器件的最新成果。这些探索二维材料特性以及它们潜在应用的工作,或许会对实现低成本、大批量、与现有光电体系结合的高性能器件提供理论基础和技术指导。我们欢迎各个领域相关工作的投稿。


投稿
        请于截止日期前,在物理化学学报网站(http://www.whxb.pku.edu.cn/journalx_wlhx/authorLogOn.action)在线投稿。文章接受后即予以出版,并在此特刊网页集中列出。文章类型可以是通讯、展望、专论、综述、论文中的任一种,可以用中文或英文撰写。
        所投稿件不能已经出版或准备在其他地方出版。所有稿件都需经过严格的同行评议,不向作者收取费用。更详细信息请见物理化学学报的征稿简则。

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