Graphene-Like Molybdenum Disulfide and Its Application in Optoelectronic Devices

Acta Phys Chim Sin >> 2013,Vol.29>> Issue(04)>> 667-677 doi: 10.3866/PKU.WHXB201302062 中文摘要

REVIEW

Previous Articles Next Articles

TANG Peng, XIAO Jian-Jian, ZHENG Chao, WANG Shi, CHEN Run-Feng
Institute of Advanced Materials, Nanjing University of Posts and TelecommunicationsKey Laboratory for Organic Electronics & Information Displays, Nanjing 210023, P. R. China

Abstract
References
Other similar articles

Full text: PDF (2296KB) Export: BibTeX | EndNote (RIS)

Graphene-like molybdenum disulfide (MoS₂), which is composed of a monolayer or few layers of MoS₂, is a new two-dimensional (2D) layered material that has attracted considerable attention recently because of its unique structure and optical and electronic properties. Here we first review the methods used to synthesize graphene-like MoS₂. “Top-down” methods include micromechanical exfoliation, lithium-based intercalation and liquid exfoliation, while the“bottom-up”approaches covered are thermal decomposition and hydrothermal synthesis. We then discuss several methods used to characterize the 2D layered structures of MoS₂, such as atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), and Raman spectroscopy. We describe the UV-Vis absorption and photoluminescent properties of graphene-like MoS₂ and their related mechanisms. Finally, we summarize the application of graphene-like MoS₂ in various optoelectronic devices such as secondary batteries, field-effect transistors, sensors, organic light-emitting diodes, and memory. The application principles and research progress are discussed, followed by a summary and outlook for the research of this emerging 2D layered nanomaterial.

Keywords: Graphene-like molybdenum disulfide 2D layered material Material synthesis Structure characterization Photophysical property Optoelectronic device
Received: 2012-11-28 Accepted: 2013-02-05 Publication Date (Web): 2013-02-06
Corresponding Authors: Email: iamrfchen@njupt.edu.cn

Fund: The project was supported by the National Key Basic Research Program of China (973) (2009CB930601), National Natural Science Foundation of China (20804020, 21274065), and Natural Science Foundation of Jiangsu Province, China (BK2011751).

Cite this article: TANG Peng, XIAO Jian-Jian, ZHENG Chao, WANG Shi, CHEN Run-Feng. Graphene-Like Molybdenum Disulfide and Its Application in Optoelectronic Devices[J]. Acta Phys. -Chim. Sin., 2013,29 (04): 667-677. doi: 10.3866/PKU.WHXB201302062

Service

Add to my bookshell

Add to citation manager

Authors

(1) Lee, C.; Li, Q. Y.; Kalb,W.; Liu, X. Z.; Berger, H.; Carpick, R.W.; Hone, J. Science 2010, 328, 76. doi: 10.1126/science.1184167
(2) Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Jiang, D.; Morozov, S. V.;Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieval, I. V. Science 2004,306, 666. doi: 10.1126/science.1102896
(3) Dean. C. R.; Young, A. F.; Meric, I.; Lee, C.;Wang, L.;Sorgenfrei, S.;Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Kim, P.; Shepard,K. L.; Hone, J. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722. doi: 10.1038/nnano.2010.172
(4) Pacile, D.; Meyer, J. C.; Girit, C. O.; Zettl, A. Appl. Phys. Lett.2008, 92, 133107. doi: 10.1063/1.2903702
(5) Lotya, M.; Hernandez, Y.; King, P. J.; Smith, R. J.; Nicolosi,V.; Karlsson, L. S.; Blighe, F. M.; De, S.;Wang, Z. M.;McGovern, I. T.; Duesberg, G. S.; Coleman, J. N. J. Am.Chem. Soc. 2009, 131, 3611. doi: 10.1021/ja807449u
(6) Liu,W.W.;Wang, J. N. Chem. Commun. 2011, 47, 6888. doi: 10.1039/c1cc11933h
(7) O'Neil, A.; Khan, U.; Nirmalraj, P. N.; Boland, J.; Coleman, J.N. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 5422. doi: 10.1021/jp110942e
(8) Lee, C.; Yan, H.; Brus, L. E.; Heinz, T. F.; Hone, J.; Ryu, S.ACS Nano 2010, 4, 2695. doi: 10.1021/nn1003937
(9) Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y. B.; Li, T. S.; Kim, J.; Chim,C. Y.; Galli, G.;Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271.
(10) Mak, K. F.; He, K.; Shan, J.; Heinz, T. F. Nat. Nanotechnol.2012, 7, 494. doi: 10.1038/nnano.2012.96
(11) Zeng, H. L.; Dai, J. F.; Yao,W.; Xiao, D.; Cui, X. D. Nat.Nanotechnol. 2012, 7, 490. doi: 10.1038/nnano.2012.95
(12) Cao, T.;Wang, G.; Han,W. P.; Ye, H. Q.; Zhu, C. R.; Shi, J. R.;Niu, Q.; Tan, P. H.;Wang, E.; Liu, B. L.; Feng, J. Nat.Commun. 2012, 3, 1.
(13) Golub, A. S.; Rupasov, D. P.; Lenenko, N. D.; Novikov, Y. N.Russ. J. Inorg. Chem. 2011, 55 (8), 1166.
(14) Brivio, J.; Alexander, D. T. L.; Kis, A. Nano Lett. 2011, 11,5148. doi: 10.1021/nl2022288
(15) Ataca, C.; Ciraci, S. Phys. Rev. B 2012, 85, 195410. doi: 10.1103/PhysRevB.85.195410
(16) Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.;Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
(17) Bromley, R. A.; Yoffe, A. D.; Murray, R. B. J. Phys. C: SolidState Phys. 1972, 5, 759. doi: 10.1088/0022-3719/5/7/007
(18) Mattheis, L. F. Phys. Rev. B 1973, 8, 3719. doi: 10.1103/PhysRevB.8.3719
(19) Coehoorn, R.; Haas, C.; Dijkstra, J.; Flipse, C. J. F. Phys. Rev.B 1987, 35, 6203. doi: 10.1103/PhysRevB.35.6203
(20) Böker, T.; Severin, R.; Müller, A.; Janowitz, C.; Manzke, R.Phys. Rev. B 2001, 64, 235305. doi: 10.1103/PhysRevB.64.235305
(21) Balendhran, S.; Ou, J. Z.; Bhaskaran, M.; Sriram, S.; Ippolito,S.; Vasic, Z.; Kats, E.; Bhargava, S.; Zhuiykov, S.; Zadeh, K.K. Nanoscale 2012, 4, 461. doi: 10.1039/c1nr10803d
(22) Mak, K. F.; Lee, C. G.; Hone, J.; Shan, J.; Heinz, T. F. Phys.Rev. Lett. 2010, 105, 136805. doi: 10.1103/PhysRevLett.105.136805
(23) Kuc, A.; Zibouche, N.; Heine, T. Phys. Rev. B 2011, 83,245213. doi: 10.1103/PhysRevB.83.245213
(24) Neto, A. H. C. Phys. Rev. Lett. 2001, 86, 4382. doi: 10.1103/PhysRevLett.86.4382
(25) Miremadi, B. K.; Morrison, S. R. J. Catal. 1987, 103, 334. doi: 10.1016/0021-9517(87)90125-4
(26) Tye, C. T.; Smith, K. J. Catal. Today 2006, 116, 461. doi: 10.1016/j.cattod.2006.06.028
(27) Fortin, E.; Sears,W. M. J. Phys. Chem. Solids 1982, 43, 881.doi: 10.1016/0022-3697(82)90037-3
(28) Cesano, F.; Bertarione, S.; Piovano, A.; Agostini, G.; Rahman,M. M.; Groppo, E.; Bonino, F.; Scarano, D.; Lamberti, C.;Bordiga, S.; Montanari, L.; Bonoldi, L.; Millini, R.; Zecchina,A. Catal. Sci. Technol. 2011, 1, 123.
(29) Perkins, F. K.; Friedman, A. L.; Cobas, E.; Campbell, P. M.;Jernigan, G. G.; Jonker, B. T. Nano Lett. 2013, 13, 668. doi: 10.1021/nl3043079
(30) Chen,W.; Santos, E. J. G.; Zhu,W. G.; Kaxiras, E.; Zhang, Z.Y. Nano Lett. 2013, 13, 509. doi: 10.1021/nl303909f
(31) Dresselhaus, S.; Chen, G.; Tang, M. Y.; Yang, R. G.; Lee, H.;Wang, D. Z.; Ren, Z. F.; Fleurial, J. P.; Gogna, P. Adv. Mater.2007, 19, 1043.
(32) Soon, J. M.; Loh, K. P. Electrochem. Solid State Lett. 2007, 10,A250.
(33) Tanaka, H.; Okumiya, T.; Ueda, S. K.; Taketani, Y.; Murakami,M. Mater. Res. Bull. 2009, 44, 1811.
(34) Zhan, J. H.; Zhang, Z. D.; Qian, X. F.;Wang, C.; Xie, Y.; Qian,Y. T. J. Solid. State Chem. 1998, 141, 270. doi: 10.1006/jssc.1998.7991
(35) Ray, S. C. J. Mater. Sci. Lett. 2000, 19 (9), 803. doi: 10.1023/A:1006737326527
(36) Matte, H. S. S. R.; Gomathi, A.; Manna, A. K.; Late, D. J.;Datta, R.; Pati, S. K.; Rao, C. N. R. Angew. Chem. Int. Edit.2010, 122, 4153.
(37) Tian, Y.; He, Y.; Zhu, Y. Mater. Chem. Phys. 2004, 87, 87. doi: 10.1016/j.matchemphys.2004.05.010
(38) Wang, H.W.; Skeldon, P.; Thompson, G. E. J. Mater. Sci.1998, 33 (12), 3079. doi: 10.1023/A:1004335604327
(39) Chu, G. S.; Bian, G. Z.; Fu, Y. L.; Zhang, Z. C. Mater. Lett.2000, 43 (3), 81. doi: 10.1016/S0167-577X(99)00235-9
(40) Philipe, R. B.; Robert, F. J.; Richard, B. K. Nature 1991, 349,510. doi: 10.1038/349510a0
(41) Sekhar, C. R.; Malay, K. K.; Dhruba, D. G. Surf. Coat. Tech.1998, 102, 73. doi: 10.1016/S0257-8972(97)00561-6
(42) Ponomarev, E. A.; Spallart, M. N.; Hodesand, G.; Clement, C.L. Thin Solid Films 1996, 280 (1), 86. doi: 10.1016/0040-6090(95)08204-2
(43) Zhang,W. Z. Chin. Molyb. Ind. 2000, 25 (4), 23. [张文钲. 中国钼业, 2000, 25 (4), 23.]
(44) Lin, C. Y. Chin. Molyb. Ind. 1994, 18 (1), 25. [林春元. 中国钼业, 1994, 18 (1), 25.]
(45) Zhou, L. C.;Wu,W. D.; Zhao, H. J. Chin. Electr. Soc. 2004, 23 (6), 618. [周丽春, 吴伟端, 赵煌. 电子显微学报, 2004, 23 (6), 618.]
(46) Chhowalla, M.; Amaratunga, G. A. Nature 2000, 407, 164. doi: 10.1038/35025020
(47) Sen, R.; Govindaraj, A.; Suenaga, K. S.; Suzuki, H. K.; IijimaS.; Achiba, Y. Chem. Phys. Lett. 2001, 340, 242. doi: 10.1016/S0009-2614(01)00419-5
(48) Wang, J. H.; Lauwerens,W.;Wieers, E.; Stals, L. M.; He, J.W.; Celis, J. P. Surf. Coat. Tech. 2001, 139, 143. doi: 10.1016/S0257-8972(01)00988-4
(49) Frindt, R. F. J. Appl. Phys. 1966, 37, 1928.
(50) Han, S.W.; Kwon, H.; Kim, S. K.; Ryu, S.; Yun,W. S.; Kim,D. H.; Hwang, J. H.; Kang, J. S.; Baik, J.; Shin, H. J.; Hong, S.C. Phys. Rev. B 2011, 84, 045409. doi: 10.1103/PhysRevB.84.045409
(51) Yoon, Y.; Ganapathi, K.; Salahuddin, S. Nano Lett. 2011, 11,3768. doi: 10.1021/nl2018178
(52) Radisavljevic, B.; Michael, B.W.; Andras, K. ACS Nano 2011,5, 9934. doi: 10.1021/nn203715c
(53) Zhang, Y. J.; Ye, J. T.; Matsuhashi, Y. S.; Iwasa, Y. Nano Lett.2012, 12, 1136. doi: 10.1021/nl2021575
(54) Ghatak, S.; Pal, A. N.; Ghosh, A. ACS Nano 2011, 5, 7707. doi: 10.1021/nn202852j
(55) Li, H.; Yin, Z. Y.; He, Q. Y.; Li, H.; Huang, X.; Lu, G.; Fam,D.W. H.; Zhang, Q.; Zhang, H. Small 2012, 8 (1), 63. doi: 10.1002/smll.201101016
(56) Li, H.; Yin, Z. Y.; He, Q. Y.; Li, H.; Zhang, Q.; Zhang, H.Small 2012, 8 (5), 682. doi: 10.1002/smll.v8.5
(57) Joensen, P.; Frindt, R. F.; Morrison, S. R. Mater. Res. Bull.1986, 21, 457. doi: 10.1016/0025-5408(86)90011-5
(58) Murphy, D.W.; Disalvo, F. J.; Hull, G.W.;Waszczak, J. V.;Meyer, S. F.; Stewart, G. R.; Early, S.; Acrivos, J. V.; Geballe,T. H. J. Chem. Phys.1975, 62, 973. doi: 10.1063/1.430513
(59) Liu, C.; Singh, O.; Joensen, P.; Curzon, A. E.; Frindt, R. F.Thin Solid Films 1984, 113 (2), 165. doi: 10.1016/0040-6090(84)90025-7
(60) Frey, G. L.; Reynolds, K. J.; Friend, R. H. Adv. Mater. 2002,14, 265. doi: 10.1002/1521-4095(20020219)14:4<>1.0.CO;2-M
(61) Feng, J.; Peng, L.;Wu, C. Z.; Sun, X.; Hu, S. L.; Lin, C.W.;Dai, J.; Yang, J. L.; Xie, Y. Adv. Mater. 2012, 24, 1917. doi: 10.1002/adma.v24.15
(62) Frey, G. L.; Reynolds, K. J.; Friend, R. H.; Cohen, H.;Feldman, Y. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 5998. doi: 10.1021/ja020913o
(63) Aharon, E.; Albo, A.; Kalina, M.; Frey, G. L. Adv. Funct.Mater. 2006, 16, 980.
(64) Eda, G.; Yamaguchi, H.; Voiry, D.; Fujita, T.; Chen, M.W.;Chhowalla, M. Nano Lett. 2011, 11, 5111. doi: 10.1021/nl201874w
(65) Coleman, J. N.; Lotya, M.; O'neill, A.; Bergin, S. D.; King, P.J.; Khan, U.; Young, K.; Gaucher, A.; De, S.; Smith, R. J.;Shvets, I. V.; Arora, S. K.; Staton, G.; Kim, H. Y.; Lee, K. H.;Kim, G. T.; Duesberg, G. S.; Hallam, T.; Boland, J. J.;Wang, J.J.; Donegan, J. F.; Grunlan, J. C.; Moriarty, G.; Shmeliov, A.;Nicholls, R. J.; Perkins, J. M.; Grieveson, E. M.; Theuwissen,K.; McComb, D.W.; Nellist, P. D.; Nicolosi, V. Science 2011,331, 568. doi: 10.1126/science.1194975
(66) Lee, K. H.; Kim, H. Y.; Lotya, M.; Coleman, J. N.; Kim, G. T.;Duesberg, G. S. Adv. Mater. 2011, 23, 4178. doi: 10.1002/adma.201101013
(67) Smith, R. J.; King, P. J.; Lotya, M.;Wirtz, C.; Khan, U.; De,S.; O'neill, A.; Duesberg, G. S.; Grunlan, J. C.; Moriarty, G.;Chen, J.;Wang, J. Z.; Minett, A. I.; Nicolosi, V.; Coleman, J.N. Adv. Mater. 2011, 23, 3944.
(68) Liu, K. K.; Zhang,W. J.; Lee, Y. H.; Lin, Y. C.; Chang, M. T.;Su, C. Y.; Chang, C. S.; Li, H.; Shi, Y. M.; Zhang, H.; Lai, C.S.; Li, L. J. Nano Lett. 2012, 12, 1538. doi: 10.1021/nl2043612
(69) Helveg, S.; Lauritsen, J. V.; Lægsgaard, E.; Stensgaard, I.;Nørskov, J. K.; Clausen, B. S.; Topsæe, H.; Besenbacher, F.Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 951. doi: 10.1103/PhysRevLett.84.951
(70) Peng, Y. Y.; Meng, Z. Y.; Zhong, C.; Lu, J.; Yu,W. C.; Jia, Y.B.; Qian, Y. T. Chem. Lett. 2001, 8, 772.
(71) Peng, Y. Y.; Meng, Z. Y.; Zhong, C.; Lu, J.; Yu,W. C.;Yang, Z.P.; Qian, Y. P. J. Solid State Chem. 2001, 159, 170. doi: 10.1006/jssc.2001.9146
(72) Li, Q.; Newberg, J. T.;Walter, E. C.; Hemminger, J. C.;Penner, R. M. Nano Lett. 2004, 4, 277. doi: 10.1021/nl035011f
(73) Scragg, J. J.;Wätjen, J. T.; Edoff, M.; Ericson, T.; Kubart, T.;Björkman, C. P. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 19330. doi: 10.1021/ja308862n
(74) Zeng, Z. Y.; Yin, Z. Y.; Huang, X.; Li, H.; He, Q. Y.; Lu, G.;Boey, F.; Zhang, H. Angew. Chem. Int. Edit. 2011, 50, 1.
(75) Late, D. J.; Liu, B.; Matte, H. S. S. R.; Rao, C. N. R.; Dravid,V. P. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 1894. doi: 10.1002/adfm.201102913
(76) Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y. B.; Li, T. S.; Kim, J.W.;Chim, C. Y.; Galli, G.;Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271.doi: 10.1021/nl903868w
(77) Wo, H. Z.; Hu, K. H.; Hu, L. M.; Yu, K. Guangdong Chem.Ind. 2010, 37 (1), 73. [沃恒洲, 胡坤宏, 胡立明, 余凯. 广东化工, 2010, 37 (1), 73.]
(78) Lahouij, I.; Bucholz, E.W.; Vacher, B.; Sinnott, S. B.; Martin,J. M.; Dassenoy, F. Nat. Nanotechnol. 2012, 23, 375701.
(79) Golaz, B.; Tetouani, S.; Diomidis, N.; Michaud, V.; Mischler,S. J. Appl. Polym. Sci. 2012, 125 (5), 3745. doi: 10.1002/app.v125.5
(80) Stefanov, M.; Enyashin, A, N.; Heine, T.; Seifert, G. J. Phys.Chem. C 2008, 112, 17764. doi: 10.1021/jp808204n
(81) Feng, C. Q.; Ma, J.; Li, H.; Zeng, R.; Guo, Z. P.; Liu, H. K.Mater. Res. Bull. 2009, 44, 1811. doi: 10.1016/j.materresbull.2009.05.018
(82) Hwang, H.; Kim, H.; Cho, J. Nano Lett. 2011, 11, 4826. doi: 10.1021/nl202675f
(83) Li, X. L.; Li, Y. D. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 13893. doi: 10.1021/jp0367575
(84) Yan, L. L.; Feng, R. J.; Yang, S. Q.; Ma, H.; Jing, L.; Chen, J.Adv. Mater. 2011, 23, 640.
(85) Banerjee, S.; Richardson,W.; Coleman, C. A. IEEE ElectronDevice Lett. 1987, 8, 347. doi: 10.1109/EDL.1987.26655
(86) Wang, H.; Yu, L. L.; Lee, Y. H.; Shi, Y. M.; Hsu, A.; Chin, M.;Li, L. J.; Dubey, M.; Kong, J.; Palacios, T. Nano Lett. 2012,12, 4674. doi: 10.1021/nl302015v
(87) Lee, H. S.; Min, S.W.; Park, M. K.; Lee, Y. T.; Jeon, P. J.;Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. Small 2012, 8, 3111. doi: 10.1002/smll.v8.20
(88) Cheng, Y.W.; Yang, Z.;Wei, H.;Wang, Y. Y.;Wei, L. M.;Zhang, Y. F. Acta Phys. -Chim. Sin. 2010, 26 (12), 3127.[程应武, 杨志, 魏浩, 王艳艳, 魏良明, 张亚飞. 物理化学学报, 2010, 26 (12), 3127.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20101138
(89) Miremadi, B. K.; Singh, R. C.; Morrison, S. R.; Colbow, K.Appl. Phys. A-Mater. 1996, 63, 271.
(90) He, Q. Y.; Zeng, Z. Y.; Yin, Z. Y.; Li, H.;Wu, S. X.; Huang, X.;Zhang, H. Small 2012, 8, 2994. doi: 10.1002/smll.v8.19
(91) Gourmelon, E.; Lignier, O.; Hadouda, H.; Couturier, G.;Bernede, J. C.; Tedd, J.; Pouzet, J.; Salardenne, J. Sol. EnergyMater. Sol. Cells 1997, 46, 115. doi: 10.1016/S0927-0248(96)00096-7
(92) Yin, Z. Y.; Li, H.; Li, H.; Jiang, L.; Shi, Y. M.; Sun, Y. H.; Lu,G.; Zhang, Q.; Chen, X. D.; Zhang, H. ACS Nano 2012, 6, 74.doi: 10.1021/nn2024557
(93) Wang, Q. H.; Zadeh, K. K.; Kis, A.; Coleman, J. N.; Strano, M.S. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 699. doi: 10.1038/nnano.2012.193
(94) Lee, H. S.; Min, S.W.; Chang, Y. G.; Park, M. K.; Nam, T.;Kim, H.; Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. Nano Lett. 2012, 12,3695. doi: 10.1021/nl301485q
(95) Choi,W.; Cho, M. Y.; Konar, A.; Lee, J. H.; Cha, G. B.; Hong,S. C.; Kim, S.; Kim, J. Y.; Jena, D.; Joo, J.; Kim, S. Adv. Mater.2012, 24, 5832. doi: 10.1002/adma.201201909
(96) Deng, Z. R.; Yang, S. Y.; Meng, L. C.; Lou, Z. D. ActaPhys. -Chim. Sin. 2008, 24 (4), 700. [邓召儒, 杨盛谊, 孟令川, 娄志东. 物理化学学报, 2008, 24 (4), 700.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20080427
(97) Chen, R. F.; Xie, G. H.; Zhao, Y.; Zhang, S. L.; Yin, J.; Liu, S.Y.; Huang,W. Org. Electron. 2011, 12, 1619. doi: 10.1016/j.orgel.2011.05.025
(98) Tang, X. Q.; Yu, J. S.; Li, L.;Wang, J.; Jiang, Y. D. ActaPhys. -Chim. Sin. 2008, 24 (6), 1012. [唐晓庆, 于军胜,李璐, 王军, 蒋亚东. 物理化学学报, 2008, 24 (6), 1012.]doi: 10.3866/PKU.WHXB20080617
(99) Chen, R. F.; Zheng, C.; Fan, Q. L.; Huang,W. Prog. Chem.2010, 22, 696.
(100) Reynolds, K. J.; Barker, J. A.; Greenham, N. C.; Friend, R. H.;Frey, G. L. J. Appl. Phys. 2002, 92, 7556. doi: 10.1063/1.1522812
(101) Liu, J. Q.; Zeng, Z. Y.; Cao, X. H.; Lu, G.;Wang, L. H.; Fan,Q. L.; Huang,W.; Zhang, H. Small 2012, 8, 3517. doi: 10.1002/smll.v8.22