| 1 |
Nakamura S. ; Mukai T. ; Senoh M. J. Appl. Phys. 1994, 76, 8189.
doi: 10.1063/1.357872
|
| 2 |
Nakamura S. ; Krames M. R. P. Ieee 2013, 101, 2211.
doi: 10.1109/JPROC.2013.2274929
|
| 3 |
Nakamura S. ; Senoh M. ; Nagahama S. ; Iwasa N. ; Yamada T. ; Matsushita T. ; Kiyoku H. ; Sugimoto Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35
doi: 10.1143/JJAP.35.L74
|
| 4 |
Kneissl M. ; Kolbe T. ; Chua C. ; Kueller V. ; Lobo N. ; Stellmach J. ; Knauer A. ; Rodriguez H. ; Einfeldt S. ; Yang Z. ; et al Semicond. Sci. Tech. 2011, 26, 014036.
doi: 10.1088/0268-1242/26/1/014036
|
| 5 |
Binari S. C. ; Redwing J. M. ; Kelner G. ; Kruppa W. Electron. Lett. 1997, 33, 242.
doi: 10.1049/el:19970122
|
| 6 |
Mishra U. K. ; Parikh P. ; Wu Y. F. P. Ieee 2002, 90, 1022.
doi: 10.1109/JPROC.2002.1021567
|
| 7 |
Mathis S. K. ; Romanov A. E. ; Chen L. F. ; Beltz G. E. ; Pompe W. ; Speck J. S. J. Cryst. Growth 2001, 231, 371.
doi: 10.1016/S0022-0248(01)01468-3
|
| 8 |
Qi Y. ; Wang Y. Y. ; Pang Z. Q. ; Dou Z. P. ; Wei T. B. ; Gao P. ; Zhang S. S. ; Xu X. Z. ; Chang Z. H. ; Deng B. ; et al J. Am. Chem. Soc.
doi: 10.1021/jacs.8b03871
|
)
