物理化学学报 >> 2003, Vol. 19 >> Issue (11): 1054-1058.doi: 10.3866/PKU.WHXB20031114
沈少来;唐景昌;曹松;汪雷
Shen Shao-Lai;Tang Jing-Chang;Cao Song;Wang Lei
摘要: 利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS).阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源.根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm.这个结果在0.005 nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217 nm)和Slab模型计算的结果(0.208 nm)合理地联系起来.此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫.