
物理化学学报 >> 2011, Vol. 27 >> Issue (01): 135-142.doi: 10.3866/PKU.WHXB20110103
罗英1,2, 崔晓莉1,3, 解晶莹2
收稿日期:2010-06-21
修回日期:2010-10-15
发布日期:2010-12-31
通讯作者:
崔晓莉
E-mail:xiaolicui@fudan.edu.cn
基金资助:国家重点基础研究发展规划项目(973)(2010CB933703)以及上海市科学技术委员会纳米专项(1052nm01800) 及福建省福州大学光催化重点实验室—省部共建国家重点实验室培育基地资助项目(K-081018)
LUO Ying1,2, CUI Xiao-Li1,3, XIE Jing-Ying2
Received:2010-06-21
Revised:2010-10-15
Published:2010-12-31
Contact:
CUI Xiao-Li
E-mail:xiaolicui@fudan.edu.cn
Supported by:The project was supported by the National Key Basic Research Program of China (973) (2010CB933703), Shanghai Science and Technology Commission, China (1052nm01800), and State Key Laboratory Breeding Base of Photocatalysis (K-081018), Fuzhou University, China.
摘要:
通过阳极氧化的方法制备TiO2纳米管薄膜, 在MoO3存在的条件下对该薄膜进行热处理得到TiO2-MoO3复合纳米管阵列薄膜. 利用X射线衍射(XRD), 扫描电子显微镜(SEM), X射线光电子能谱(XPS), 电化学阻抗谱(EIS), Mott-Schottky 及光电化学方法对得到的薄膜进行了表征. XRD结果表明, TiO2-MoO3复合纳米管薄膜中的TiO2主要为锐钛矿晶型. SEM实验证实了薄膜纳米管结构的存在, 样品中的MoO3均匀地分散在TiO2纳米管表面. 利用XPS方法分析了TiO2-MoO3复合纳米管薄膜元素的组成, 结果表明, MoO3在TiO2表面形成TiO2-MoO3复合纳米管薄膜. 研究了热处理温度以及热处理时间对样品的光电化学性能的影响, 相对于单纯TiO2纳米管薄膜, 适量引入MoO3提高了样品在可见光区的光电响应能力, 样品的平带电位负移. 在450 °C热处理60 min制得的TiO2-MoO3复合半导体纳米管阵列薄膜光电响应活性最高.
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