| 1 |
Liu Y. ; Liu Z. ; Zhu B. ; Yu J. ; He K. ; Leow W. R. ; Wang M. ; Chandran B.K. ; Qi D. ; Wang H. ; et al Adv. Mater. 2017, 29, 1701780.
doi: 10.1002/adma.201701780
|
| 2 |
Campbell P. M. ; Tarasov A. ; Joiner C. A. ; Ready W. J. ; Vogel E. M. ACS Nano 2015, 9, 5000.
doi: 10.1021/nn507174c
|
| 3 |
Mathews R. H. ; Sage J. P. ; Sollner T. C. L. G. ; Calawa S. D. ; Chen C. L. ; Mahoney L. J. ; Maki P. A. ; Molvar K. M. P. IEEE. 1999, 87, 596.
doi: 10.1109/5.752517
|
| 4 |
Broekaert T. P. E. ; Brar B. ; Van Der Wagt J. P. A. ; Seabaugh A. C. ; Morris F. J. ; Moise T. S. ; Beam E. A. ; Frazier G. A. IEEE J. Solid-St. Circ. 1998, 33, 1342.
doi: 10.1109/4.711333
|
| 5 |
Brown E. R. ; Soderstrom J. R. ; Parker C. D. ; Mahoney L. J. ; Molvar K. M. ; Mcgill T. C Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 2291.
doi: 10.1063/1.104902
|
| 6 |
Chen S. L. ; Griffin P. B. ; Plummer J. D. IEEE T. Electron Dev. 2009, 56, 634.
doi: 10.1109/TED.2009.2014194
|
| 7 |
Fallahazad B. ; Lee K. ; Kang S. ; Xue J. M. ; Larentis S. ; Corbet C. ; Kim K. ; Movva H. C. P. ; Taniguchi T. ; Watanabe K. ; et al Nano Lett. 2015, 15, 428.
doi: 10.1021/nl503756y
|
| 8 |
Zheng J. Z. ; Zhang J. C. ; Wang Z. ; Zhong L. B. ; Sun Y. H. ; Liang Z. Q. ; Li Y. Y. ; Jiang L. ; Chen X. D. ; Chi L. F. Adv. Mater. 2018.
doi: 10.1002/adma.201802731
|
)
