物理化学学报 >> 1994, Vol. 10 >> Issue (10): 874-881.doi: 10.3866/PKU.WHXB19941003
纪纯新, 魏昭彬, 辛勤
Ji Chun-Xin, Wei Zhao-Xin, Xin Qin
摘要:
利用TPS(Temperature-programmed-sulfiding)方法考察了WO_3在γ-Al_1O_3TiO_2-Al_2O_3及活性碳上的硫化过程.结果发现,随着WO_3担载量的增加,表面W物种硫化峰的数目增加,表明WO_3的担载量超过一定量后,在这三种担体表面,都有几种W物种同时存在;WO_3/TiO_2-Al_2O_3与WO_3/Al_2O_3相比,当WO_3担载量低于一个单层分布时,硫化温度明显降低,而超过一个单层分布后,两者的硫化温度相接近,表明TiO_2的调变作用对低于一个单层分布的WO_3的硫化行为有较大的影响.以活性碳作为担体可明显降低W物种的硫化温度,并且活性碳在程序升温过程中,当温度超过700K后出现了气化现象.文中还就WO_3在TiO_2-Al_2O_3担体表面的结构模型提出了设想.