物理化学学报 >> 2007, Vol. 23 >> Issue (08): 1219-1223.doi: 10.3866/PKU.WHXB20070815
袁昊; 李庆华; 沙菲; 解丽丽; 田震; 王利军
YUAN Hao; LI Qing-Hua; SHA Fei; XIE Li-Li; TIAN Zhen; WANG Li-Jun
摘要: 以正硅酸乙酯为硅源, 四丙基氢氧化铵(TPAOH)为模板剂和碱源, 采取水热晶化技术, 通过原位法在硅晶片表面制备出纯二氧化硅透明分子筛薄膜; 采用紫外光解法代替传统高温焙烧法脱除分子筛薄膜孔道内的模板剂, 制备出具有低介电常数的氧化硅分子筛薄膜. 使用FTIR、XRD和SEM对样品进行了结构表征, 并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数, 纳米硬度计测量薄膜的杨氏模量和硬度. 与传统的高温焙烧方法相比, 紫外光解法处理条件温和, 同时省时、省能、操作简易.