
物理化学学报 >> 2008, Vol. 24 >> Issue (01): 127-132.doi: 10.3866/PKU.WHXB20080122
赵新新; 宓一鸣
ZHAO Xin-Xin; MI Yi-Ming
摘要: 用密度泛函理论(DFT)研究了Cu(001)表面CO吸附单层的表面性质. 总能计算结果表明, 顶位结构总能最低, 相应位置的CO分子吸附能最大. 谷位吸附结构的衬底原子层间距相对于清洁表面的膨胀量约为10%, 从而导致了谷位吸附的不稳定性. 在顶位、桥位和谷位三个吸附结构中, C和Cu原子之间的距离dC-Cu分别为0.1868、0.1975和0.2231 nm, 对应的CO分子键长为0.1154、0.1165 和0.1175 nm. 计算了CO分子的态密度(DOS). 结果表明, 衬底与分子的作用主要是分子和金属轨道的杂化. 在吸附过程中, 电荷主要从碳原子的s轨道向p轨道转移. 在顶位、桥位和谷位吸附结构中, 每个碳原子内电荷的转移量分别为0.45e、0.54e 和0.55e. 衬底向吸附分子的电荷转移量不大, CO 吸附分子层为一绝缘层.