
物理化学学报 >> 1986, Vol. 2 >> Issue (06): 554-559.doi: 10.3866/PKU.WHXB19860612
沈建; 郭也平; 邓薰南
Shen Jian; Guo Yeping; Deng Xunnan
摘要: 在旋转园盘电极上测定的碲化镉电沉积极化曲线, 转速与沉积电流的关系, 以及X射线衍射分析和表面分析, 确认在比纯镉析出电位正的区域可以沉积得碲化镉。提出了电沉积反应机理, 计算了碲化镉由Te与Cd~(++)生成的标准电极电位, 解释了极化曲线, 并指出制备不同导电类型碲化镉之电位范围。