物理化学学报 >> 2001, Vol. 17 >> Issue (12): 1102-1106.doi: 10.3866/PKU.WHXB20011209
王升富;杜丹;邹其超
Wang Sheng-Fu;Du Dan;Zou Qi-Chao
摘要: 磷钼钨杂多阴离子通过分子间静电作用吸附在L-半胱氨酸自组装单分子膜修饰金电极表面,制备了磷钼钨杂多酸-L-半胱氨酸自组装超分子膜电极,探讨了成膜条件.采用循环伏安(CV)、计时库仑(CC)、水平衰减全反射傅立叶变换红外光谱(ATR-FTIR)表征了膜的组成及电化学性质.实验发现,该膜电极在1.0 mol•L-1H2SO4溶液中,于0.8~-0.2 V(υs SCE)间CV扫描出现3对稳定、可逆的氧化还原峰,计时库仑法计算了薄膜内的电子传递系数D为 2.64×10-7 cm2•s-1,初步探讨了膜电极的氧化还原性能.