物理化学学报 >> 2008, Vol. 24 >> Issue (03): 502-506.doi: 10.3866/PKU.WHXB20080327
赵影; 曾艳丽; 孙政; 郑世钧; 孟令鹏
ZHAO Ying; ZENG Yan-Li; SUN Zheng; ZHENG Shi-Jun; MENG Ling-Peng
摘要: 运用B3LYP和MP2方法在6-311++G(d,p)基组水平上, 对H2CO-XY(XY=F2、Cl2、Br2、ClF、BrF、BrCl)卤键体系进行构型全优化, 得到了O…X—Y型卤键复合物. 结果表明, MP2/6-311++G(d,p)计算结果与实验值较吻合. 并在MP2水平下计算了分子间的相互作用能, 用完全均衡校正CP(counterpoise procedure)方法对基函数重叠误差(BSSE)进行了校正. 利用电子密度拓扑分析方法对卤键复合物的电子密度拓扑性质进行了分析研究.