自下而上法制备硫掺杂石墨烯薄膜应用于微型超级电容器

doi:10.3866/PKU.WHXB201703171

物理化学学报 >> 2017, Vol. 33 >> Issue (5): 853-854.doi: 10.3866/PKU.WHXB201703171

自下而上法制备硫掺杂石墨烯薄膜应用于微型超级电容器

刘忠范

北京大学化学与分子工程学院,北京100871

发布日期:2017-04-20

Bottom-Up Fabrication of Sulfur-Doped Graphene Films for Micro-Supercapacitors

Zhong-Fan LIU

College of Chemistry and Molecular Engineering, Peking University, 100871, P. R. China

Published:2017-04-20

摘要/Abstract

刘忠范. 自下而上法制备硫掺杂石墨烯薄膜应用于微型超级电容器[J]. 物理化学学报, 2017, 33(5), 853-854. doi: 10.3866/PKU.WHXB201703171

Zhong-Fan LIU. Bottom-Up Fabrication of Sulfur-Doped Graphene Films for Micro-Supercapacitors[J]. Acta Physico-Chimica Sinica 2017, 33(5), 853-854. doi: 10.3866/PKU.WHXB201703171

链接本文: https://www.whxb.pku.edu.cn/CN/10.3866/PKU.WHXB201703171

https://www.whxb.pku.edu.cn/CN/Y2017/V33/I5/853

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自下而上法制备硫掺杂石墨烯薄膜应用于微型超级电容器

Bottom-Up Fabrication of Sulfur-Doped Graphene Films for Micro-Supercapacitors

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