
物理化学学报 >> 1989, Vol. 5 >> Issue (03): 285-292.doi: 10.3866/PKU.WHXB19890308
樊美公
Fan Meigong
摘要: 研究了芘在正十碳烷氧基和三甲基硅氧基改性硅腔表面上的荧光光谱和寿命。在这二种硅胶上,激基缔合物是由基态聚积体直接受光和受激发的单分子和基态的单分子所形成、在硅胶≡Si—O—C_(10)H_(21)-n上比在硅胶≡Si—O—SiMe_3上所形成的聚积体较少。化学改性与物理改性相结合可使芘在较大的浓度范围内主要以单分子分散。激基缔合物的形成主要是由动力学过程所控制。研究了温度对芘的荧光光谱和寿命的影响。激基缔合物形成过程的活化能约为7kcal mol~(-1)。讨论了环境对单分子荧光光谱结构的影响。