窄带隙IV-VI族半导体PbTe(111)的表面氧化及氧的热脱附机理

doi:10.3866/PKU.WHXB201202131

物理化学学报 >> 2012, Vol. 28 >> Issue (05): 1252-1256.doi: 10.3866/PKU.WHXB201202131

窄带隙IV-VI族半导体PbTe(111)的表面氧化及氧的热脱附机理

吴海飞¹, 吴珂², 张寒洁², 廖清², 何丕模²

1. 绍兴文理学院物理系, 浙江绍兴 312000;
2. 浙江大学物理系, 杭州 310027

收稿日期:2011-11-30 修回日期:2012-01-20 发布日期:2012-04-26
通讯作者: 何丕模 E-mail:phypmhe@dial.zju.edu.cn
基金资助:
国家自然科学基金(60506019, 10674118, 10774129)资助项目

Oxidation and Oxygen Thermal Desorption Mechanism on Narrow-Gap IV-VI Semiconductor PbTe(111) Surface

WU Hai-Fei¹, WU Ke², ZHANG Han-Jie², LIAO Qing², HE Pi-Mo²

1. Department of Physics, Shaoxing University, Shaoxing 312000, Zhejiang Province, P. R. China;
2. Department of Physics, Zhejiang University, Hangzhou 310027, P. R. China

Received:2011-11-30 Revised:2012-01-20 Published:2012-04-26
Contact: HE Pi-Mo E-mail:phypmhe@dial.zju.edu.cn
Supported by:
The project was supported by the National Natural Science Foundation of China (60506019, 10674118, 10774129).

摘要/Abstract

摘要： 利用X射线光电子能谱(XPS)、扫描隧道显微镜(STM)以及低能电子衍射(LEED), 对PbTe(111)薄膜的表面氧化及氧的热脱附机理进行了研究. 结果表明: PbTe(111)薄膜经500 V Ar⁺轰击加上250 °C高温退火循环处理, 可得到呈(1×1)周期性排列的清洁表面. 将此清洁表面暴露于大气两天后, 表面被氧化形成了PbO₂、PbO和TeO₂, 氧化层的厚度大于2个单原子层(ML), 与清洁PbTe(111)表面相比, 被氧化的PbTe(111)表面的Te 3d_5/2与Pb 4f_7/2芯态谱峰的面积比明显减小, 表明被氧化的PbTe(111)表面是富Pb 的. 在热脱附处理过程中, PbO₂和TeO₂的芯态峰消失, 且O 1s 芯态峰的强度迅速减弱, 表明加热处理不仅使PbO₂和TeO₂发生了分解, 同时也使氧发生了脱附, 但PbO即使在350 °C退火仍吸附于PbTe(111)表面.

关键词: 表面氧化, 脱附, PbTe(111), X射线光电子能谱, 扫描隧道显微镜

Abstract: Oxidation and thermal desorption mechanism on the PbTe(111) surface were investigated using X-ray photoemission spectroscopy (XPS), scanning tunneling microscopy (STM), and low-energyelectron diffraction (LEED). The initial cleaning of the surface by 500 VAr⁺ sputtering followed by annealing at 250 °C yielded a perfect (1×1) PbTe(111) surface. XPS measurements showed that PbO₂, PbO, and TeO₂ were present at the PbTe(111) surface after air exposure for 2 days, and the intensity ratio of Te 3d_5/2 and Pb 4f_7/2 increased rapidly compared to that of the clean PbTe(111) surface, indicating Te depletion and Pb enrichment of the surface. XPS and STM measurements showed that the thickness of the oxide layer was more than 2 monolayers (MLs). During thermal treatment, the core levels of PbO₂ and TeO₂ disappeared and the intensity of the O 1s core level decreased, indicating surface decomposition of PbO₂ and TeO₂, and desorption of oxygen, whereas PbO was still present on the surface after annealing at up to 350 °C.

Key words: Surface oxidation, Desorption, PbTe(111), X-ray photoemission spectroscopy, Scanning tunneling microscopy

吴海飞, 吴珂, 张寒洁, 廖清, 何丕模. 窄带隙IV-VI族半导体PbTe(111)的表面氧化及氧的热脱附机理[J]. 物理化学学报, 2012, 28(05): 1252-1256.

WU Hai-Fei, WU Ke, ZHANG Han-Jie, LIAO Qing, HE Pi-Mo. Oxidation and Oxygen Thermal Desorption Mechanism on Narrow-Gap IV-VI Semiconductor PbTe(111) Surface[J]. Acta Phys. -Chim. Sin., 2012, 28(05): 1252-1256.

链接本文: https://www.whxb.pku.edu.cn/CN/10.3866/PKU.WHXB201202131

https://www.whxb.pku.edu.cn/CN/Y2012/V28/I05/1252

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窄带隙IV-VI族半导体PbTe(111)的表面氧化及氧的热脱附机理

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