物理化学学报 >> 2020, Vol. 36 >> Issue (12): 1912054.doi: 10.3866/PKU.WHXB201912054
所属专题: 神经界面
李亚民1,3, 王阳1,2, 陈弘达1,3, 王毅军1,3, 刘媛媛1,3, 裴为华1,3,4,*()
收稿日期:
2019-12-23
录用日期:
2020-01-24
发布日期:
2020-03-03
通讯作者:
裴为华
E-mail:peiwh@semi.ac.cn
作者简介:
裴为华,中国科学院半导体研究所研究员。2005年毕业于中国科学院半导体研究所,获微电子与固体电子学博士学位。2005–2008年在清华大学生物医学工程系和德国马普微结构与物理研究所做博士后研究。研究方向:可记录或调控神经活动的神经接口器件
基金资助:
Yamin Li1,3, Yang Wang1,2, Hongda Chen1,3, Yijun Wang1,3, Yuanyuan Liu1,3, Weihua Pei1,3,4,*()
Received:
2019-12-23
Accepted:
2020-01-24
Published:
2020-03-03
Contact:
Weihua Pei
E-mail:peiwh@semi.ac.cn
Supported by:
摘要:
光遗传技术为神经科学研究提供了一种可精准、快速控制单个神经元活动的手段。为了对神经元实现光遗传调控,将光安全、高效地导入脑内,需要专门的光电极(Optrode)给予支持。光电极是光遗传工具应用的重要组成部分,其功能是把光导入脑内调控神经元活动,同时记录神经元电信号在光调控下变化情况的一种植入式神经接口器件。随着光遗传技术在神经环路、认知与记忆等神经科学研究中应用的深入,以及其在癫痫、感官功能损伤等疾病治疗方面的探索,与光遗传技术相配合的光电极从材料选择、器件结构、给光方式和集成工艺等方面都呈现出百花齐放的发展态势,本文将按照现有植入式光电极的结构特点,将光电极器件分成基于波导型和基于微发光二极管型两大类,论述不同类别光电极器件优缺点及演进方向,对未来植入式光电极的理想结构形态及亟待解决的问题进行了讨论和展望。
李亚民, 王阳, 陈弘达, 王毅军, 刘媛媛, 裴为华. 植入式光电极器件发展[J]. 物理化学学报, 2020, 36(12), 1912054. doi: 10.3866/PKU.WHXB201912054
Yamin Li, Yang Wang, Hongda Chen, Yijun Wang, Yuanyuan Liu, Weihua Pei. Development of Implantable Optrode Devices[J]. Acta Phys. -Chim. Sin. 2020, 36(12), 1912054. doi: 10.3866/PKU.WHXB201912054
表1
各类型光电极的特点"
Optrodes type | Cost | Spatial resolution | Implanted damage | Light / energy supply mode |
Optical fiber-optrode | low | low | big | optical fiber |
optical waveguide-optrode based on MENS | high | middle | middle | optical fiber |
LD/LED waveguide-optrode | high | middle | big/middle | wire |
hard μLED optrode | high | high | middle | wire/wireless |
soft μLED optrode | high | high | small | wire/wireless |
1 |
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