(1) Wang, Z. L. Nanowires and Nanobelts: Materials, Properties and Devices; Kluwer: Dordrecht, 2003.
(2) Nalwa, H. S. Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology; American Scientific Publishers: New York,2004.
(3) Alivisatos, A. P. Science 1996, 271, 933. doi: 10.1126/science.271.5251.933
(4) Xia, Y.; Yang, P.; Sun, Y.;Wu, Y.; Mayers, B.; Gates, B.; Yin, Y.;Kim, F.; Yan, H. Adv. Mater. 2003, 15, 353. doi: 10.1002/adma.200390087
(5) El-Sayed, M. A. Accounts Chem. Res. 2001, 34, 257. doi: 10.1021/ar960016n
(6) Jun, Y.W.; Choi, J. S.; Cheon, J.W. Angew. Chem. Int. Edit.2006, 45, 3414. doi: 10.1002/(ISSN)1521-3773
(7) Jiang, P.; Bertone, J. F.; Colvin, V. L. Science 2001, 291, 453.doi: 10.1126/science.291.5503.453
(8) Huang, Y.; Duan, X.; Cui, Y.; Lauhon, L.; Kim, K.; Lieber, C.M. Science 2001, 294, 1313. doi: 10.1126/science.1066192
(9) Duan, X.; Huang, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2002, 2, 487. doi: 10.1021/nl025532n
(10) Duan, M.; Lai, X.; Goodman, D.W. Science 1998, 281, 1647.doi: 10.1126/science.281.5383.1647
(11) Sun, S.; Murray, C. B.;Weller, D.; Folks, L.; Moser, A. Science2000, 287, 1989. doi: 10.1126/science.287.5460.1989
(12) Jiao, S. H.; Xu, L. F.; Jiang, K.; Xu, D. S. Adv. Mater. 2006, 18,1174. doi: 10.1002/(ISSN)1521-4095
(13) Liang, Y. Q.; Zhen, C. G.; Zou, D. C.; Xu, D. S. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 16338. doi: 10.1021/ja044545v
(14) Yu,W. D.; Li, X. M.; Gao, X. D. Appl. Phys. Lett. 2004, 84,2658. doi: 10.1063/1.1695097
(15) Fan,W. L.; Song, X. Y.; Bu, Y. X.; Sun, S. X.; Zhao, X. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 23247. doi: 10.1021/jp0646832
(16) Miao, Z.; Xu, D. S.; Ouyang, J. H.; Guo, G. L.; Zhao, X. S.;Tang, Y. Q. Nano Lett. 2002, 2, 717. doi: 10.1021/nl025541w
(17) Takahashi, K.; Limmer, S. J.;Wang, Y.; Cao, G. Z. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 9795. doi: 10.1021/jp0491820
(18) Yang, J. H.; Liu, G. M.; Lu, J.; Qiu, Y. F.; Yang, S. H. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 103109. doi: 10.1063/1.2711532
(19) She, G.W.; Zhang, X. H.; Shi,W. S.; Fan, X.; Chang, J. C.Electrochem. Commun. 2007, 9, 2784. doi: 10.1016/j.elecom.2007.09.019
(20) Siegfried, M. J.; Choi, K. S. Angew. Chem. Int. Edit. 2005, 44,3218. doi: 10.1002/(ISSN)1521-3773
(21) Guo, S. J.; Fang, Y. X.; Dong, S. J.;Wang, E. K. Inorg. Chem.2007, 46, 9539.
(22) Xu, L. F.; Chen, Q.W.; Xu, D. S. J. Phys. Chem. C 2007, 111,11560. doi: 10.1021/jp071536a
(23) Li, X.; Jiang, Y.; Shi, Z.W.; Xu, Z. Chem. Mater. 2007, 19,5424. doi: 10.1021/cm071180f
(24) Cha, Q. X. Introduction to Electrode Kinetics, 3rd ed.; ScientificPublishers: Beijing, 2007; pp 301-315. [查全性. 电极过程动力学导论, 第三版. 北京: 科学出版社, 2007: 301-315.]
(25) Tian, Z.W. Electrochemical Research Methods, 1st ed.;Scientific Publishers: Beijing, 1984. [田昭武. 电化学研究方法, 第一版. 北京: 科学出版社, 1984.]
(26) Han, D. G.; Gao, Z. D.; Gao, P. L. Physical Chemistry, 1st ed.;Higher Education Press: Beijing, 2001; pp 645-656. [韩德刚,高执棣, 高盘良. 物理化学, 第一版. 北京: 高等教育出版社,2001: 645-656.]
(27) Wang, Z. L.; Kong, X. Y.; Ding, Y. Adv. Funct. Mater. 2004, 14,943. doi: 10.1002/(ISSN)1616-3028
(28) Mann, S. Nature 1993, 265, 499.
(29) Lao, J. Y.;Wen, J. G.; Ren, Z. F. Nano Lett. 2002, 2, 1287. doi: 10.1021/nl025753t
(30) Liu, J.; Zhang, Y.; Qi, J. J. Mater. Lett. 2006, 60, 2623. doi: 10.1016/j.matlet.2006.01.051
(31) Huang, L.;Wright, S.; Yang, S. J. Phys. Chem. B 2004, 108,19901. doi: 10.1021/jp045556d
(32) Izaki, M.; Omi, T. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 2439. doi: 10.1063/1.116160
(33) Peulon, S.; Lincot, D. J. Electrochem. Soc. 1998, 145, 864. doi: 10.1149/1.1838359
(34) Pauprte, T.; Lincot, D. Electrochim. Acta 2000, 45, 3345. doi: 10.1016/S0013-4686(00)00405-9
(35) Liu, R.; Vertegel, A. A.; Bohannan, E.W.; Sorenson, T. A.;Switzer, J. A. Chem. Mater. 2001, 13, 508. doi: 10.1021/cm000763l
(36) Xu, L. F.; Guo, Y.; Liao, Q.; Zhang, J. P.; Xu, D. S. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 13519. doi: 10.1021/jp051007b
(37) Ray, S. C. Sol. Energy Mat. Sol. Cells 2001, 68, 307. doi: 10.1016/S0927-0248(00)00364-0
(38) Ghijsen, J.; Tjeng, L. H.; van Elp, J.; Eskes, H.;Westerink, J.;Sawatzky, G. A.; Czyzyk, M. T. Phys. Rev. B 1998, 38, 11322.
(39) Hara, M.; Kondo, T.; Komoda, M.; Ikeda, S.; Shinohara, K.;Tanaka, A.; Kondo, J. N.; Domen, K. Chem. Commun. 1998,357.
(40) Ikeda, S.; Takata, T.; Kondo, T.; Hitoki, G.; Hara, M.; Kondo, J.N.; Domen, K.; Hosono, H.; Kawazoeb, H.; Tanakac, A. Chem. Commun. 1998, 2185.
(41) Li, X.; Gao, H.; Murphy, C. J.; Gou, L. Nano Lett. 2004, 4,1903. doi: 10.1021/nl048941n
(42) Liu, R.; Kulp, E. A.; Oba, F.; Bohannan, E.W.; Ernst, F.;Switzer, J. A. Chem. Mater. 2005, 17, 725. doi: 10.1021/cm048296l
(43) Chang, Y.; Teo, J. J.; Zeng, H. C. Langmuir 2005, 21, 1074. doi: 10.1021/la047671l
(44) Sunagawa, I. Crystals: Growth, Morphology & Perfection;Cambridge University Press: Cambridge, UK, 2005.
(45) Wang, Z. L. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 1153. doi: 10.1021/jp993593c
(46) Shi, E.W.; Chen, Z. Z.; Yuan, R. L.; Zheng, Y. Q. Hydrothermal Crystallography, 1st ed.; Scientific Publishers: Beijing, 2004.[施尔畏, 陈之战, 元如林, 郑燕青. 水热结晶学, 第一版. 北京:科学出版社, 2004.]
(47) Zhong,W. Z.; Hua, S. K. Crystal Growth Morphology;Scientific Publishers: Beijing, 1999. [仲维卓, 华素坤. 晶体生长形态学. 北京: 科学出版社, 1999.]
(48) Zhou, Y. C.; Switzer, J. A. Mater. Res. Innovations 1998, 2, 22.doi: 10.1007/s100190050056
(49) Switzer, J. A.; Kothari, H. M.; Bohannan, E.W. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 4027.
(50) Liu, R.; Bohannan, E.W.; Switzer, J. A.; Oba, F.; Ernst, F. Appl. Phys. Lett. 1994, 83, 1944.
(51) Liu, R.; Oba, F.; Bohannan, E.W.; Ernst, F.; Switzer, J. A.Chem. Mater. 2003, 15, 4882. doi: 10.1021/cm034807c
(52) Siegfried, M. J.; Choi, K. S. Adv. Mater. 2004, 16, 1743. doi: 10.1002/(ISSN)1521-4095
(53) Brown, K. E. R.; Choi, K. S. Chem. Commun. 2006, 3311.
(54) Xu, L. F. Electrochemical Synthesis, Morphological Control andPerformance of Semiconductor Materials. Ph. D. Dissertation,Peking University, Beijing, 2007. [许荔芬. 半导体材料的电化学制备、形貌调控和性能研究[D]. 北京: 北京大学, 2007.]
(55) Jiao, S. H.; Jiang, K.; Zhang, Y. H.; Xiao, M.; Xu, L. F.; Xu, D.S. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 3358. doi: 10.1021/jp710145a
(56) Cornell, R. M.; Schwertmann, U. The Iron Oxides, 2nd ed.;Wiley-VCH:Weinheim, Germany, 2004.
(57) Sone, E. D.;Weiner, S.; Addadi, L. Cryst. Growth Des. 2005, 5,2131. doi: 10.1021/cg050171l
(58) Lowenstam, H. A. Science 1971, 171, 487. doi: 10.1126/science.171.3970.487
(59) Mazeina, L.; Alexandra, N. Chem. Mater. 2007, 19, 825. doi: 10.1021/cm0623817
(60) Leibenguth, J. L.; Cohen, M. J. Electrochem. Soc. 1972, 119,987. doi: 10.1149/1.2404424
(61) Jiao, S. H.; Xu, L. F.; Hu, K. L.; Li, J. J.; Gao, S.; Xu, D. S.J. Phys. Chem. C 2010, 114, 269. doi: 10.1021/jp909072m
(62) Cheng, J. P.; Guo, R. Y.;Wang, Q. M. Appl. Phys. Lett. 2004,85, 5140. doi: 10.1063/1.1825067
(63) Jeong, J. S.; Lee, J. Y.; Cho, J. H. Chem. Mater. 2005, 17, 2752.doi: 10.1021/cm049387l
(64) Wu, G. S.; Xie, T.; Yuan, X. Y.; Li, Y.; Yang, L.; Xiao, Y. H.;Zhang, L. D. Solid State Commun. 2005, 134, 485. doi: 10.1016/j.ssc.2005.02.015
(65) Xu, L. F.; Liao, Q.; Zhang, J. P.; Ai, X. C.; Xu, D. S. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 4549. doi: 10.1021/jp068485m
(66) Lao, J. Y.; Huang, J. Y.;Wang, D. Z.; Ren, Z. F. J. Mater. Chem.2004, 14, 770. doi: 10.1039/b311639e
(67) Park, J. H.; Park, J. G. Appl. Phys. A 2005, 80, 43. doi: 10.1007/s00339-004-2936-z
(68) Law, M.; Greene, L. E.; Johnson, J. C.; Saykally, R.; Yang, P. D.Nat. Mater. 2005, 4, 455. doi: 10.1038/nmat1387
(69) Zhang, T. R.; Dong,W. J.; Brewer, M. K.; Konar, D. J.; Njabon,R. N.; Tian, Z. R. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 10960. doi: 10.1021/ja0631596
(70) Li, C.; Fang, G. J.; Su, F. H.; Li, G. H.;Wu, X. G.; Zhao, X. Z.Cryst. Growth Des. 2006, 6, 2588. doi: 10.1021/cg050357k
(71) Liu, J. P.; Huang, X. T.; Li, Y. Y.; Sulieman, K. M.; He, X.; Sun,F. L. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 21865. doi: 10.1021/jp064487v
(72) Shen, G. Z.; Chen, D.; Lee, C. J. J. Phys. Chem. B 2006, 110,15689. doi: 10.1021/jp0630119
(73) Zhang, D. F.; Sun, L. D.; Jia, C. J.; Yan, Z. G.; You, L. P.; Yan,C. H. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 13492. doi: 10.1021/ja054771k
(74) Gao, P. X.;Wang, Z. L. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2883. doi: 10.1063/1.1702137
(75) Qin, Y.;Wang, X. D.;Wang, Z. L. Nature 2008, 451, 809. doi: 10.1038/nature06601 |