物理化学学报, 2022, 38(1): 2101013. doi: 10.3866/PKU.WHXB202101013

综述

石墨烯导热研究进展

宋厚甫1, 康飞宇,1,2,3

Recent Progress on Thermal Conduction of Graphene

Song Houfu1, Kang Feiyu,1,2,3

收稿日期: 2021-01-7   接受日期: 2021-02-8  

基金资助: 广东省科技计划项目(2020B1212060015)及深圳盖姆石墨烯研究中心资助

Corresponding authors: Feiyu Kang. Email: fykang@sz.tsinghua.edu.cn

Received: 2021-01-7   Accepted: 2021-02-8  

Fund supported: 广东省科技计划项目(2020B1212060015)及深圳盖姆石墨烯研究中心资助

作者简介 About authors

康飞宇，1962年出生。获香港科技大学博士学位; 现任清华大学深圳国际研究生院副院长，清华大学教授、博士生导师。主要研究方向为新型碳材料的制备、表征和应用，特别是石墨、石墨烯及其在锂离子电池与其它储能器件中的应用 , E-mail：fykang@sz.tsinghua.edu.cn

Abstract

With the irreversible trend of miniaturization and the pursuit of a high power density in electronic devices, heat dissipation has become crucial for designing next-generation electronic products. Graphene, which has the highest thermal conductivity among all discovered solid materials, has attracted attention from both academia and the industry. As a two-dimensional material with atom-scale thickness, graphene is suitable for investigating the phonon transport behavior at reduced dimensions. The mass production technique of graphene makes it a promising material for thermal management in consumer electronics, information technology, medical devices, and new energy automobiles. In this review, we summarize the recent progress on the thermal conduction of graphene. In the first part, we introduce the thermal conductivity measurement methods for graphene, including the optothermal Raman method, suspended-pad method, and time-domain thermoreflectance (TDTR) method. The thermal measurement of graphene with high accuracy is key to understanding the heat transfer mechanism of graphene; however, it is still a significant challenge. Despite the development of measurement methods, the thermal measurement of suspended single-layer graphene is limited by the graphene transfer technique, estimation of the thermal contact resistance, sensitivity to the in-plane thermal conductivity in the thermal model, and other factors. In the second part, we discuss the theoretical study of the thermal conductivity of graphene via first principle calculations and molecular dynamics simulation. The "selection rule" of phonon scattering explains the thickness-dependent thermal conductivity of few-layer graphene, and the understanding of the contribution of phonon modes to the thermal conductivity of graphene has been updated recently by taking multiple-phonon scattering into consideration. The size effect on the thermal conductivity of graphene is discussed in this section for a better understanding of the phonon transport behavior of graphene. In the third part, we conclude with the thermal management applications of graphene, including a highly thermally conductive graphene film, graphene fiber, and graphene-enhanced thermal interface materials. For graphene films, which are the pioneering thermal management applications in industrial use, we focus on the challenge of fabricating highly thermally conductive graphene films with large thicknesses and propose possible technical methods. For graphene-enhanced thermal interface materials, we summarize the main factors affecting the thermal properties and discuss the tradeoff between the high thermal conductivity of graphene flakes and the dispersibility of graphene in the polymer matrix. It was demonstrated that a 3D thermal conductive network is essential for efficient heat dissipation in graphene-based composites. Finally, a summary of opportunities and challenges in the thermal study of graphene is presented at the end of the review. Research on the thermal properties of graphene has made immense progress since the discovery of the thermal conductivity of graphene more than a decade ago, and will continue in order to address the urgent requirements of thermal management.

Keywords： Graphene ; Thermal conductivity ; Phonon ; Thermal interface material ; Suspended pad ; Size effect

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本文引用格式

宋厚甫, 康飞宇. 石墨烯导热研究进展. 物理化学学报[J], 2022, 38(1): 2101013. doi:10.3866/PKU.WHXB202101013

Song Houfu. Recent Progress on Thermal Conduction of Graphene. Acta Physico-Chimica Sinica[J], 2022, 38(1): 2101013. doi:10.3866/PKU.WHXB202101013

1 引言

石墨烯是具有单原子层厚度的二维材料，因为其独特的电学、光学、力学、热学性能而备受关注1-5。相对于电学性质的研究，石墨烯的热学性质研究起步较晚。2008年，Balandin课题组6用拉曼光谱法第一次测量了单层石墨烯的热导率，观察发现石墨烯热导率最高可达5300 W·m-1·K-1，高于石墨块体和金刚石，是已知材料中热导率的最高值，吸引了研究者的广泛关注。随着理论研究的深入和测量技术的进步，研究发现单层石墨烯具有高于石墨块体的热导率与其特殊的声子散射机制有关，成为验证和发展声子导热理论的重要研究对象7, 8。

对石墨烯热导率的研究很快对石墨烯在导热领域的应用有所启发。随着石墨烯大规模制备技术的发展，基于氧化石墨烯方法制备的高导热石墨烯膜热导率可达~2000 W·m-1·K-19。高导热石墨烯膜的热导率与工业应用的高质量石墨化聚酰亚胺膜相当，且具有更低成本和更好的厚度可控性10。另一方面，石墨烯作为二维导热填料，易于在高分子基体中构建三维导热网络，在热界面材料中具有良好应用前景。通过提高石墨烯在高分子基体中的分散性、构建三维石墨烯导热网络等方法，石墨烯填充的热界面复合材料热导率比聚合物产生数倍提高，并且填料比低于传统导热填料11。石墨烯无论作为自支撑导热膜，还是作为热界面材料的导热填料，都将在下一代电子元件散热应用中发挥重要价值12。

本文综述了石墨烯热导率的测量方法、石墨烯热导率的研究结果以及石墨烯导热的应用。首先介绍石墨烯的三种测量方法：拉曼光谱法、悬空热桥法和时域热反射法。然后介绍石墨烯热导率的测量结果，包括其热导率的尺寸依赖、厚度依赖以及通过缺陷、晶粒大小等热导率调控方法。随后介绍石墨烯导热的应用，主要包括高导热石墨烯膜、石墨烯纤维及石墨烯导热填料在热界面材料中的应用。最后对石墨烯导热研究的发展进行展望。

2 石墨烯热导率的测量方法

由于石墨烯的厚度为纳米尺度，商用的测量设备(激光闪光法、平板热源法等)无法准确测量其热导率，需要采用微纳尺度热测量方法。常见的微纳尺度传热测量技术包括拉曼光谱法、悬空热桥法、3ω法、时域热反射法等几种6, 13-15。下面将重点介绍适用于石墨烯的热导率测量方法。

2.1 拉曼光谱法

单层石墨烯热导率是研究者最感兴趣的话题。2008年，Balandin课题组6最早用拉曼光谱法测量了单层石墨烯的热导率。单层石墨烯由高定向热解石墨(HOPG)经过机械剥离法得到，悬空于刻有沟槽的SiNx/SiO2基底上，悬空长度为3 μm。测量时，选用拉曼光谱仪中波长为488 nm的激光同时作为热源和探测器，光斑大小为0.5-1 μm。激光对石墨烯产生加热作用导致石墨烯温度升高，而石墨烯拉曼光谱的G峰和2D峰随温度产生线性偏移，从而可以得到石墨烯的升温。利用热量在平面内径向扩散的傅里叶传热方程，可以得到石墨烯的平面方向内热导率。通过这一方法，测得石墨烯热导率测量结果为5300 ± 480 W·m-1·K-1，是已知材料中热导率的最高值。

拉曼光谱法第一次实现了单层石墨烯热导率的测量，但是其测量过程中存在较大的误差，导致不同测量结果存在差异：材料热导率由傅里叶传热方程计算得到，其中材料的吸收热量Q和升温ΔT两个参数都难以准确测量。首先，测量过程中采用了石墨块体的光吸收6%作为吸热计算的依据，与单层石墨烯在550 nm的光吸收率2.3%存在较大差异，导致测量结果可能被高估一倍左右16。其次，升温ΔT通过石墨烯拉曼光谱G峰和2D峰的红移或反斯托克斯/斯托克斯峰强比计算得到，两者随温度变化率较小，需要较高的升温(ΔT ~ 50 K)，导致难以准确测量特定温度下的热导率。

基于拉曼光谱法，研究者不断改进测量技术，降低实验误差。在早期测量中由于石墨烯下方的SiNx基底热导率较低，约为5 W·m-1·K-1，在传热模型中将SiNx视为热沉存在一定误差。后来，Cai等17通过在带孔的SiNx/SiO2薄膜表面蒸镀Au的方式，提高了石墨烯的接触热导，满足了热沉的边界条件，同时用功率计实时测量了石墨烯的吸收功率。同时，由于石墨烯覆盖在SiNx/SiO2薄膜上有孔和无孔的区域，可以分别测量悬空石墨烯和支撑石墨烯的热导率。张兴课题组18使用双波长闪光拉曼方法，引入两束脉冲激光，周期性地加热样品并改变加热光与探测光的时间差，这样做可以将加热光和探测光的拉曼信号分开，为准确测量样品温度提供了新思路。在后续的研究中，拉曼光谱法也被应用于h-BN 19、MoS220, 21、WS222等二维材料热导率的测量。

2.2 悬空热桥法

悬空热桥法是利用微纳加工方法制备微器件并测量纳米材料一维热输运的常用方法，多用于纳米线、纳米带、纳米管热导率的测量23。微器件由两个SiNx薄膜组成，每个SiNx薄膜连接在6个SiNx悬臂上，并且沉积有Pt电极用作温度计，两个薄膜分别作为加热器(Heater)和传感器(Sensor)，样品悬空加载薄膜上，电极通电后加热样品，通过电极电阻的变化测量样品的升温，从而计算热导率。Seol等8最早将这一方法应用在石墨烯热导率的测量中，石墨烯被制备成宽度为1.5-3.2 μm，长度为9.5-12.5 μm的条带，覆盖在厚度为300 nm的SiO2悬臂上，两端连接在四个Au/Cr电极上作为温度计，测量得到SiO2衬底上的单层石墨烯热导率为600 W·m-1·K-1。SiO2衬底上石墨烯热导率低于悬空石墨烯热导率及石墨热导率，是因为ZA声子和衬底间存在较强的声子散射。

悬空热桥法的挑战在于如何将石墨烯悬空于微器件上，避免转移过程中出现石墨烯脱落、破碎的问题。Li课题组24通过聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)保护转移法首先实现了少层石墨烯热导率的测量：首先将机械剥离法得到的少层石墨烯转移到SiO2/Si衬底上，然后旋涂PMMA作为保护层，用KOH溶液刻蚀SiO2并将PMMA/石墨烯转移至悬空热桥微器件上，再利用PMMA作为电子束光刻的掩膜版，通过O2等离子体将石墨烯刻蚀成指定大小的矩形进行测量。Shi课题组25利用异丙醇提高了石墨烯的转移效率，测量了悬空双层石墨烯的热导率。Xu等26进一步改良了实验工艺，通过“先转移，后制备悬空器件”的方法实现了单层石墨烯热导率的测量：首先将化学气相沉积(CVD)生长的单层石墨烯转移到SiNx衬底上，再利用电子束光刻和O2等离子体将石墨烯刻蚀成长度和宽度已知的条带，然后沉积Cr/Au在石墨烯两端作为电极，最后用KOH溶液刻蚀使其悬空。这一方法的优势在于避免了PMMA造成污染，但是对操作和工艺都提出了很高的要求。

悬空热桥法也被应用于h-BN 27, 28、MoS229, 30、黑磷31等二维材料热导率的测量。基于悬空热桥法，李保文课题组32进一步发展了电子束自加热法，利用电子束照射样品产生加热，消除通电加热体系中界面热阻造成的误差。

2.3 时域热反射法

时域热反射法(Time-domain thermoreflectance，TDTR)是一种以飞秒激光为基础的泵浦-探测(pump-probe)技术，由Cahill课题组15于2004年基于瞬态热反射方法提出，常用来测量材料的热导率和界面热导。在时域热反射法测量中，一束脉冲飞秒激光被偏振分束镜分为泵浦光和探测光，泵浦光对待测材料进行加热，探测光测量材料表面温度的变化。泵浦光和探测光之间的光程差通过位移台精确控制，并在每一个不同光程差的位置进行采样，得到材料表面温度随时间变化的曲线，这一曲线与材料的热性质有关。通过Feldman多层传热模型进行拟合，得到材料的热导率33。实际测量中通常在材料表面沉积一层金属作为传热层(transducer)，利用金属反射率(R)随温度(T)的变化关系(dR/dT)，通过探测金属反射率的变化检测材料表面温度变化34。

时域热反射方法的优点在于能够同时测量材料沿c轴和平面方向的热导率，并且能够得到不同平均自由程声子对于热导率的贡献。Zhang等35利用这一方法同时测量了石墨烯沿ab平面和c轴方向的热导率，发现石墨烯沿c轴方向的声子平均自由程在常温下可达100-200 nm，远高于分子动力学预测的结果。测量不同厚度的石墨烯(d = 24-410 nm)表现出c轴方向热导率随厚度增加而增加的现象，常温下的热导率为0.5-6 W·m-1·K-1，并且随着厚度增加而趋近于石墨块体的c轴热导率(8 W·m-1·K-1) 36。这一现象反映出，在常温下石墨烯c轴方向热导率是由声子-声子散射主导，为探讨石墨烯的传热机理提供了实验支撑。时域热反射方法的局限在于难以测量厚度较小的样品，这是因为当热流在穿透样品后到达基底，需要将基底与样品之间的界面热阻、基底的热导率作为未知数在传热模型中进行拟合，造成误差较大。对于块体石墨，时域热反射方法测量平面方向热导率为1900 ± 100 W·m-1·K-1，与Klemens的预测结果37一致。对于厚度为194 nm的薄层石墨，测量热导率为1930 ± 1400 W·m-1·K-1，误差明显增大35。Feser等38通过调控光斑尺寸改变传热模型对石墨平面方向传热的敏感度，利用beam offset方法测量了HOPG热导率。Rodin等39将频域热反射(FDTR)与beam offset的方法结合起来，同时准确测量了HOPG的纵向和横向热导率。Chen课题组40发展了无传热层(transducer less)的二维材料热导率测量方法，这种方法既可以采取FDTR频域扫描的测量方式，也可以与beam-offset方法结合，提高对平面方向热导率测量的准确度。这些测量方法为薄层材料热导率测量提供了可能的技术路径，即通过对待测样品的物理结构设计(transducerless)和传热模型设计(调控光斑尺寸与测量频率)，选择性地增加对平面方向热导率的敏感度，使得即便在样品很薄、热流穿透的情况下，多引入的未知数在传热模型内具有较小的敏感度，从而实现少层/单层石墨烯平面方向热导率的测量。

时域热反射法也被应用于黑磷41, 42、MoS243、WSe244等二维材料热导率的测量。基于时域热反射方法发展出频域热反射(FDTR)、two-tint、时间分辨磁光克尔效应(TR-MOKE)等测量方法以提高测量准确度45-47。

以上主要总结了石墨烯热导率的常用微纳尺度测量技术，包括拉曼光谱法、悬空热桥法和时域热反射法，不同方法的主要测量结果汇总于表 1。值得注意的是，部分悬空热桥法测量的热导率显著偏低，是由于PMMA污染抑制了石墨烯声子散射25。当样品厚度在微米尺度时，可通过激光闪光法进行测量，这种方法常用于块体石墨和湿化学方法制备的石墨烯薄膜，对于经过热处理还原和石墨化的石墨烯薄膜，激光闪光法测量热导率在1100-1940 W·m-1·K-110, 48，热导率的差别主要来自石墨烯薄膜的制备工艺。受限于篇幅，我们将四种测量方法的示意图及主要原理汇总于图 1，关于微纳尺度热测量的详细总结可参考相应综述文章49-51。

表1   石墨烯热导率测量主要研究结果

Table 1  A summary of measurement result on graphene thermal conductivity.

SampleThermal conductivity (W·m-1·K-1)Measurement methodPreparation method
Suspended
Single-layer graphene 65300 ± 480RamanMechanical exfoliation
Single-layer graphene 172500 + 1100/-1050RamanCVD
2-layer graphene 25620 ± 80Suspended-padMechanical exfoliation
Single-layer graphene 261689 ± 100Suspended-padCVD
Supported
Single-layer graphene 8579 ± 34Suspended-padMechanical exfoliation, SiO2 substrate
Single-layer graphene 16630RamanMechanical exfoliation, SiO2 substrate
Single-layer graphene 17370 + 650/-320RamanCVD, Au/SiNx substrate
3-layer graphene 24327Suspended-padMechanical exfoliation, SiNx substrate
Bulk
Multi-layer graphene 351930 ± 1400TDTRMechanical exfoliation, thickness 194 nm
HOPG 381800TDTRBulk
HOPG 391861 ± 744TDTRBulk
HOPG 401843TDTRBulk
Graphene film 481100Laser flashReduced graphene oxide
Graphene film 101940Laser flashReduced graphene oxide

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图1

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图1   常见热测量方法示意图49

Fig 1   Scheme of setups for different thermal measurements 49.

(a) Optothermal Raman method. (b) Suspended-pad method. (c) Time-domain thermoreflectance (TDTR) method, where blue and orange lines
represent pump and probe laser beams, respectively. (d) Laser flash method, where the left and right parts illustrate measurements of in-plane and
cross-plane thermal conductivities. Adapted with permission from Ref. 49, Copyright 2018, Elsevier.


3 石墨烯热导率的研究进展

石墨烯的热传导主要由声子贡献。和金刚石类似，石墨烯在平面方向由强化学键C―C键构成，并且由于碳原子较轻，具有极高的声速，从而在平面方向具有和金刚石相当的热导率(~2000 W·m-1·K-1)52。关于石墨烯热传导的主要声子贡献来源，学界的认知随着研究的更新而发生变化。最早，人们预期石墨烯传热主要由纵向声学支(LA)和横向声学支(TA)贡献，这两支声子的振动平面都是沿石墨的ab平面方向。这样的预期是合理的，因为另一支横向声学支(ZA)声子的振动平面垂直于ab平面，而石墨烯作为单原子层材料，垂直平面的振动困难。而且ZA声子的色散关系是~ω2，在q → 0时声速迅速减小为0，因而对石墨烯热导率几乎不产生贡献53-55。后来，Lindsay等7通过对玻尔兹曼方程进行数值求解发现，由于单层石墨烯的二维材料特性，三声子散射中与ZA声子关联的过程受到抑制，这一规则被称为“选择定则(Selection rule)”。基于这一原因，ZA声子散射的相空间减小了60%;同时，考虑到ZA声子的数量较多，ZA声子实际成为了单层石墨烯中热导贡献最大的一支，占比约为70% 56。

随着计算方法的进步，研究者对石墨烯中声子传导的理解逐步加深。Ruan课题组57在考虑四声子散射的条件下计算了单层石墨烯的热导率，由于ZA声子数量多，导致由ZA声子参与的四声子散射过程多，通过求解玻尔兹曼输运方程(BTE)发现，ZA声子对于单层石墨烯热导率的贡献实际约为30%。Cao等58通过分子动力学计算发现，考虑高阶声子散射时ZA声子对石墨烯热导率的贡献将降低。另外，第一性原理计算表明石墨烯中存在水动力学热输运和第二声现象59，以及实验测量和分子动力学计算中发现石墨烯存在的热整流现象60，都使得石墨烯的声子输运研究不断更新。下面针对理想的单层石墨烯单晶材料讨论其热导率的依赖关系。

3.1 石墨烯热导率的厚度依赖

石墨烯作为单原子层材料，表现出不同于石墨块体的声子学特征。很自然地产生一个问题，随着石墨烯的原子层数增加，石墨烯会以何种形式、在何种厚度表现出接近石墨块体的热学性质。前文Lindsay等7的工作从计算角度给出了解释，在多层石墨烯和石墨中，三声子散射与原子间力常数的关系不同于单层石墨烯，导致选择定则不再适用，ZA声子的散射变大，热导率下降。这一趋势可以从图 2a中明显观察到，当石墨烯的厚度从单原子变为双原子层时，ZA声子贡献的热导率大幅下降，石墨烯整体热导率降低。随着原子层数目增加，热导率持续下降。对于原子层数在5层及以上的石墨烯，其热导率已十分接近石墨块体。这一趋势也与Ghosh等61对悬空石墨烯热导率的测量结果一致，在原子层数超过4层之后，石墨烯热导率接近块体石墨(图 2c)。而对于放置在基底上的支撑石墨烯和上下均有基底的夹层石墨烯(Encased)，热导率随层数变化没有明显规律，这主要是因为ZA声子与基底相互作用，对热导率的贡献低于悬空石墨烯，而ZA声子与基底相互作用的强度随原子层数增加而变化，导致热导率随层数变化表现出不同规律(不变或增大) 62。研究石墨烯本征热导率仍需对少层及单层石墨烯热导率进行测量，对样品制备和实验测量都具有很大挑战。

图2

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图2   石墨烯热导率的尺寸效应56, 63

Fig 2   The impact of length and thickness on graphene thermal conductivity 56, 63.

(a) Calculated thermal conductivity for few-layer graphene vs layer number N for N = 1–5 (black circles). Also shown are the per-branch
contributions for ZA (red triangles), TA (green squares), and LA (blue diamonds) branches. The corresponding calculated graphite values are
shown by the horizontal lines. (b) Calculated thermal conductivity for graphene (N = 1, solid black curve), bilayer graphene (N = 2, dashed red curve), and
4-layer graphene (N = 4, dotted blue curve) as a function of sample length L for T = 300 K. On this scale, the N = 3 and N= 5 curves cannot be
distinguished from that for N = 4. Thermal conductivity of graphene as a function of (c) sample length and (d) thickness. Adapted with
permission from Ref. 56, Copyright 2011, American Physical Society and Ref. 63, Copyright 2018, American Physical Society.


3.2 石墨烯热导率的横向尺寸依赖

由傅里叶传热定律，材料热导率$\kappa = \frac{1}{3}{C_v}vl$，其中Cv为材料体积比热容，v为声子群速度，l为声子平均自由程。对于给定的温度，热容与声速均为定值，因而材料热导率主要由声子平均自由程决定。通常情况下，块体材料在三个维度上的尺寸都远大于声子平均自由程，声子为扩散输运，声子平均自由程主要由声子-声子散射确定，是材料固有的性质，表现出热导率与横向尺寸无关。但是对于石墨烯而言，由于制备待测样品的长度在微米级，与平面内声子平均自由程相当，存在弹道输运现象，表现出石墨烯的热导率与横向尺寸存在依赖关系。

石墨烯平面方向声子平均自由程可通过计算得到。Nika等54通过第一性原理计算分别对LA和TA声子求得Gruneisen参数，得到石墨烯平面方向声子平均自由程在10 μm左右，即石墨烯尺寸小于10 μm时会表现出明显的热导率随尺寸增加而增加现象(图 2b)。后续计算表明，在考虑三声子过程和声子-边界散射角度的情况下，石墨烯热导率在横向尺寸L小于30 μm时遵循log(L)增加的规律，在横向尺寸为30 μm左右时达到最大值，并随横向尺寸增加而下降64。

检验计算结果需要对不同尺寸的单层石墨烯进行热导率测量，这对实验操作的精细度提出了极高要求。Xu等26利用悬空热桥法测量了不同长度(300-9 μm)的单层石墨烯热导率，观察到其热导率随长度增加而单调增加。测量结果与分子动力学预测的热导率随长度以log(L)趋势增加的结果相符，证明了石墨烯作为二维材料的热性质(图 2d)。但是作者也没有排除另外两种可能：(1)低频声子随尺寸增加而被激发，对传热贡献较大54; (2)石墨烯尺寸增加改变三声子散射的相空间，影响选择定则7。由于石墨烯作为二维材料的特性，以及声子平均自由程较大、热导率较高，仍然需要进一步的理论和实验探究以深入挖掘石墨烯热导率随横向尺寸变化的物理原因。

在实际应用的单晶及多晶石墨烯材料中，热导率的影响因素还包括晶粒尺寸65、缺陷66、同位素67、化学修饰等68，相关研究及综述已有报道51。

4 石墨烯导热的应用

上一节中介绍了石墨烯具有本征的高热导率，从理论计算和实验测量中均得到了验证。上述实验测量中，研究者往往采用机械剥离法和CVD法制备石墨烯，这两种方法制备的样品具有质量高、可控性强的特点，适用于研究石墨烯的本征性质。但是，由于机械剥离法和CVD法制备石墨烯具有产量低、制备周期长、难以规模化等特点，不适用于石墨烯的宏量制备。相对应地，通过还原氧化石墨烯、电化学剥离等湿化学方法可以大批量制备石墨烯片，石墨烯片通过片层间的化学键作用可形成石墨烯膜、石墨烯纤维、石墨烯宏观体等三维结构，从而可实际应用于导热场景。

4.1 高导热石墨烯膜的应用

石墨烯薄膜可用作电子元件中的散热器，散热器通常贴合在易发热的电子元件表面，将热源产生的热量均匀分散。散热器通常由高热导率的材料制成，常见散热器有铜片、铝片、石墨片等。其中热导率最高、散热效果最好的是由聚酰亚胺薄膜经石墨化工艺得到的人工石墨导热膜，平面方向热导率可达700-1950 W·m-1·K-1，厚度为10-100 μm，具有良好的导热效果，在过去很长一段时间内都是导热膜的最理想选择。在此背景之下，研究高导热石墨烯膜有两个重要意义，其一，是由于人工石墨膜成本较高，且高质量聚酰亚胺薄膜制备困难，业界希望高导热石墨烯膜能够作为替代方案。其二，是由于电子产品散热需求不断增加，新的散热方案不仅要求导热膜具有较高的热导率，也要求导热膜具有一定厚度，以提高平面方向的导热通量。在人工石墨膜中，由于聚酰亚胺分子取向度的原因，石墨化聚酰亚胺导热膜只有在厚度较小时才具有较高的热导率69。而石墨烯导热膜则易于做成厚度较大的导热膜(~100 μm)，在新型电子器件热管理系统中具有良好的应用前景。因此，石墨烯导热膜的研究也主要沿着两个方向，其一，是提高石墨烯导热膜的面内方向热导率，以接近或超过人工石墨膜的水平。其二，是提高石墨烯导热膜的厚度，扩大导热通量，同时保持良好的热传导性能。以下将从这两方面分别讨论。

4.1.1 提高石墨烯膜热导率的关键技术

高导热石墨烯薄膜的常见制备方法是还原氧化石墨烯。首先通过Hummers法得到氧化石墨烯(GO，graphene oxide)分散液，然后通过自然干燥、真空抽滤、电喷雾等方法得到自支撑的氧化石墨烯薄膜，并通过化学还原、热处理等方法得到还原氧化石墨烯(rGO)薄膜，最后通过高温石墨化提高结晶度，得到高导热石墨烯薄膜70-72。

影响高导热石墨烯膜热导率最重要的因素是组装成膜的石墨烯片的热导率，主要由氧化石墨烯的还原工艺决定。由于氧化石墨烯分散液的制备通常在强酸条件下进行，破坏石墨烯的平面结构，同时引入了环氧官能团，造成声子散射增加。氧化石墨烯的还原工艺对还原产物的结构、性能影响较大，因而需要选择合适的还原工艺制备石墨烯导热膜73。氧化石墨烯膜在1000 ℃热处理后可以除去环氧、羟基、羰基等环氧官能团71，但是石墨烯晶格缺陷的修复仍需更高温度74。Shen等48通过自然蒸干的方式制备了氧化石墨烯薄膜，并通过2000 ℃热处理的方式对氧化石墨烯薄膜进行石墨化，C/O原子比由石墨烯薄膜的2.9提高到石墨化后的73.1，X射线衍射(XRD)图谱上石墨烯薄膜11.1°峰完全消失，26.5°的峰宽缩窄，对应石墨(002)方向上原子层间距为0.33 nm，测量热导率为1100 W·m-1·K-1，热导率优于由膨胀石墨制备的石墨导热片75。Xin等76用电喷雾方法制备大尺寸氧化石墨烯薄膜并在2200 ℃下高温还原，得到热导率为1283 W·m-1·K-1的石墨烯导热膜，通过SEM截面图观察发现具有紧密的片层排列结构，且具有较好的柔性。通过拉曼光谱、XPS和XRD表征可以看出，2200 ℃为氧化石墨烯还原的最适宜温度，当还原温度更高时，石墨烯的电导率和热导率提升不再显著(图 3)。

图3

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图3   高导热石墨烯膜的制备与表征76

Fig 3   The preparation and characterization of highly thermal conductive graphene film 76.

(a) Graphene film roll with 4.5-inch width (i) made by electrospray deposition integrated with a roll-to-roll process. (b) Cross-sectional SEM image of pristine graphene film made by electrospray deposition showing a layer-by-layer assembly. (f) image of pristine graphene film, graphene film annealed at 1800 ℃ (middle) and 2200 ℃ (right). (d–e) Electrical and thermal properties of freestanding graphene films: (d) Graphene film without thermal annealing and (e) annealed graphene film. The increased density is caused by mechanical press resulting in a more film compact structure. (c–e), Defect recovery, removal of functional groups and improvement of crystallinity of freestanding graphene film by high temperature annealing: (c) Raman spectra, (d) XPS and (e) XRD patterns of the as‐made graphene films and high temperature annealed graphene films. The magnified (by 5 times) O 1s peak has been shown in (d) on the right top of each XPS spectrum. The XRD pattern of pure graphite is included in (e) for comparison. Adapted with permission from Ref. 76, Copyright 2014, John Wiley and Sons.


影响高导热石墨烯膜热导率的第二个因素是石墨烯的片层尺寸。前文Xu等26的工作表明，单层石墨烯的导热声子平均自由程可达~10 μm量级，选择大尺寸的石墨烯片层有利于减少声子与材料边界的散射，提高热导率。Kumar等77用片层大小超过80 μm的石墨片作为原材料，经Hummers法制备得到平均片层大小约30 μm的氧化石墨烯分散液，并通过真空抽滤得到氧化石墨烯薄膜，经过57%的HI处理还原后得到石墨烯膜，测量得到强度达到77 MPa，热导率超过1390 W·m-1·K-1。Peng等10用平均片层尺寸108 μm的GO制备了氧化石墨烯薄膜，并通过3000 ℃热处理还原，得到热导率高达1940 W·m-1·K-1的石墨烯薄膜。

除了通过还原氧化石墨烯薄膜，石墨烯膜还可通过石墨烯分散液的方法制备。Teng等78利用球磨方法将石墨块体剥离成石墨烯片层，并得到浓度为2.6 mg·mL-1的石墨烯的N-甲基吡咯烷酮(NMP)分散液。再通过抽滤、烘干、2850 ℃热处理得到石墨烯薄膜，测量热导率为1529 W·m-1·K-1。一般认为，由石墨烯分散液制备石墨烯薄膜的最大优势在于保留了石墨烯的平面结构，使得薄膜具有比较高的本征热导率。这一优势从理论上讲具有合理性，但是仔细分析便可发现并非绝对：由于制备石墨烯分散液往往需要施加强机械力(研磨、球磨等)，石墨烯分散液中的片层尺寸通常较小(小于1 μm); 而且由于缺少含氧官能团，石墨烯片层间的相互作用较弱，存在着优劣势相互抵消的可能性，所以在实际应用前仍需要经过石墨化过程。我们认为，这一方法的优势在于易规模化、生产效率高。由于不存在片层相互作用，石墨烯分散液抽滤成膜速度较快(~几小时)，易于连续抽滤; 对比氧化石墨烯抽滤成膜，通常需要几天方可得到几十微米厚度的薄膜。同时，由于制备石墨烯分散液可由机械研磨完成，易于实现规模化、标准化，因而具有良好的工业应用前景79。

4.1.2 提高石墨烯膜厚度的关键技术

制备较厚的石墨烯导热膜也是研究者关心的课题。理论上讲，增加石墨烯膜的厚度只需刮涂较厚的氧化石墨烯薄膜即可。但实际操作中存在如下问题：(1)刮涂厚膜的成膜质量不高。由于氧化石墨烯分散液的浓度较低(低于10% (w))，除氧化石墨烯外其余部分均为水，需要长时间蒸发。氧化石墨烯片层与水分子以氢键相互作用，蒸发时水分子逸出，使得氧化石墨烯片层之间通过氢键形成交联，在表面形成一层“奶皮”状的薄膜10。这层薄膜使氧化石墨烯分散液内部的水分蒸发减慢，且导致氧化石墨烯片层取向不一致，降低成膜质量。(2)难以通过一步法得到厚膜。由于氧化石墨烯分散液浓度较低，无论刮涂、旋涂还是喷雾等方法都无法一次制备厚度为~100 μm的氧化石墨烯薄膜。Luo等80研究发现，氧化石墨烯薄膜在蒸干成形后仍然可以在去离子水浸润的情况下相互粘接，出现这种现象是因为氧化石墨烯片层在水的作用下通过氢键彼此连接，使得氧化石墨烯薄膜可以像纸一样进行粘贴起来。Zhang等81利用类似的方法将制备好的氧化石墨烯薄膜在水中溶胀并逐层粘贴，经过干燥、热压、石墨化、冷压之后，得到厚度为200 μm的超厚石墨烯薄膜，热导率为1224 W·m-1·K-1，通过红外摄像机实测散热效果优于铜、铝及薄层石墨烯导热膜(图 4)。目前制备百微米厚度高导热石墨烯薄膜的研究相对较少，除了溶胀粘接的方法之外，还可以通过电加热、金属离子键合等方法实现氧化石墨烯薄膜的搭接82, 83，有望为制备百微米厚度高导热石墨烯膜提供新思路。石墨烯导热膜的部分研究成果总结于表 2中。

图4

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图4   百微米厚度石墨烯导热膜的制备、表征与热性能测试81

Fig 4   The preparation, characterization and thermal feature of graphene film with a thickness of over 100 μm 81.

(a) Schematic of the fabrication process of the ultrathick GF and photographs at each step. Scale bar from top to bottom: 4, 1, 1, 1, 1, 1 cm. (b–e) A series of thick films pasted with different layers, including 6 layers (b), 12 layers (c), 16 layers (d) and 24 layers (e). (f) Mechanism diagram of the fusion between the two nano-thick films. (g) TEM image of the cross section of an individual 30 nm nano-thick GF. (h, i) TEM images of the pasted 60 nm nano-thick GF, revealing the robust coalescence of the two 30 nm thick films at the contact interface. (j) Infrared thermal image of GFs and metallic foils. The right three samples have a thickness of 200 μm, attached vertically on a constant temperature heat source. (k) Temperature of the graphite bulk versus time when it was heated by 24-layer PGF, 16-layer PGF, 12-layer PGF, 6-layer PGF and single thin PGF. Adapted with permission from Ref. 81, Copyright 2020, Elsevier.


表2   石墨烯导热膜主要研究成果

Table 2  A summary of study on thermal conductive graphene paper.

MaterialThermal conductivity/(W·m-1·K-1)Preparation method
GO 92025Doctor-blade, 3000 ℃ annealing reduction +3000 ℃ second annealing reduction
GO 101940Casting, 3000 ℃ annealing reduction
GO 481100Evaporation, 2000 ℃ annealing reduction
GO 761283–1434Electro-spray deposition，2850 ℃ annealing reduction
GO 771390Vacuum filtration, HI reduction
Graphene 781529Ball milling，2850 ℃ annealing reduction
GO 811224Doctor-blade, film paste Hot pressing + 2800 ℃ annealing reduction

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4.2 高导热石墨烯纤维的应用

高导热石墨烯纤维是一种新型碳质纤维，通过石墨烯分散液经过湿法纺丝的方法有序组装而成。其主要优势在于同时具备良好的力学、电学和热学性能84-87，并且可以通过湿法纺丝的方法大量制备，易于实现规模化，与纺织工艺结合，可达到千米级的产量88。

石墨烯纤维与石墨烯薄膜的原材料相似，通常为氧化石墨烯分散液或官能化的石墨烯分散液，因而其热导率的主要影响因素也具有共同之处，石墨烯的片层大小和石墨烯片层间的界面强度有重要作用。值得注意的是，Xin等89的研究发现，组装石墨烯纤维时使用两种不同片层大小的石墨烯分散液进行级配具有最好的物理性能。他们将大片层(横向尺寸~23 μm)与小片层(横向尺寸~0.8 μm)的石墨烯分散液混合纺丝，热处理后得到了热导率高达1290 W·m-1·K-1的石墨烯纤维，导热性能优于单一组分制备的石墨烯纤维。大片层石墨烯为长平均自由程声子提供了传热空间，小片层石墨烯在大片层石墨烯之间起到键合作用，提高了石墨烯片层之间的界面致密度，从而提升了石墨烯纤维热导率。

4.3 石墨烯在热界面材料中的应用

石墨烯作为高导热材料，可作为导热填料应用于热界面材料(Thermal interface material，TIM)中。热界面材料是应用于芯片封装中的一种材料，主要作用是填充芯片中的空气间隙，起到给芯片提供力学支撑、电磁屏蔽、辅助散热的作用。传统的热界面材料使用的是填充有陶瓷90, 91、金属92、碳材料93, 94等作为导热填料的树脂基复合材料，利用高分子材料的力学性能提供保护，通过添加导热填料提高散热能力。由于树脂的热导率非常低(小于0.5 W·m-1·K-1)，并且商用的导热填料热导率也较低(氧化铝热导率~35 W·m-1·K-1)，整体热界面材料的热导率多为1-10 W·m-1·K-1之间95。研究者尝试将高导热的石墨烯作为导热填料，提高热界面材料的导热能力96-98。以下重点介绍石墨烯增强树脂基复合材料的热导率的主要影响因素。

4.3.1 分散性

石墨烯片层作为填料，在基体中的分散性对复合材料的导热性能有至关重要的影响。传统的热界面材料中，导热填料在基体中的分散性良好，填充比例可以高达90% (w)，即便导热填料为球形结构，也可以形成完整的导热网络，而导热网络的形成对于复合材料导热性能的提升至关重要99, 100。石墨烯作为片层状材料，在树脂基体中必须相互搭接，方可形成有效导热网络。为了实现这一目标，要求石墨烯在树脂基体中具有良好的分散性。常见的制备方法包括基于氧化石墨烯分散液和石墨烯分散液两种工艺路径。对于氧化石墨烯分散液，由于氧化石墨烯中存在大量羟基、羧基等基团，与极性溶剂相溶性较好，可以制备较高浓度的分散液(~30 mg·mL-1)，提高在树脂基体中的填充量101。这种方法的主要挑战在于需要对氧化石墨烯进行还原以提高热导率。对于石墨烯分散液，由于保留了石墨烯的平面结构而具有相对较高的高热导率，但是由于官能化程度较低，石墨烯与树脂基体界面为范德华力搭接，存在分散性不佳的问题102, 103。

提高分散性的一种方法是对石墨烯进行化学键修饰，通过化学反应给石墨烯引入特定基团，使石墨烯与高分子基体形成化学键，提高分散性。Guo等104利用NH2-POSS与水合肼与氧化石墨烯共同作用，在氧化石墨烯表面接枝氨基并进行还原，得到化学修饰的石墨烯。将此种化学修饰石墨烯与聚酰亚胺基体混合，得到热导率为1.05 W·m-1·K-1的复合材料，固含量为5% (w)，比聚酰亚胺热导率高4倍。Zhang等105通过硅烷偶联剂ATBN在膨胀石墨表面引入氨基，提高了石墨烯与环氧树脂基体的键合强度，同时增强了环氧树脂固化的力学性能，得到热导率为3.8 W·m-1·K-1的石墨烯增强复合材料，比环氧树脂热导率高出19倍。这种方法的主要优势在于形成石墨烯与小分子之间的化学键，提高石墨烯与树脂基体间的界面强度。主要问题在于化学反应过程通常会引入缺陷，使得石墨烯自身的热导率下降。Shen等106研究发现化学键改性的效果与石墨烯片层大小有关：当石墨烯片层尺寸小于临界尺寸(通常为微米级)时，化学键改性对热导率提升起主要作用; 当石墨烯片层尺寸大于临界尺寸时，热导率主要由石墨烯自身决定。

提高分散性的另一种方法是对石墨烯进行非化学键修饰，这种方法主要利用石墨烯与小分子之间形成π-π键共轭，并利用小分子上的其他基团与高分子基体形成相互作用。形成共轭π键并不需要破坏石墨烯的C―C键，从而减少了化学反应过程中缺陷的产生。Teng等107利用含芘结构的高分子Py-PGMA对石墨烯在丙酮分散液中进行非化学键修饰，起到“桥梁”的作用：一方面芘结构与石墨烯形成共轭π键，另一方面PGMA中的环氧结构与环氧树脂基体在加热与固化剂作用下进行偶联，提高了石墨烯在环氧树脂基体中的分散度，得到了热导率为1.9 W·m-1·K-1的环氧树脂复合材料。

另外还可以通过机械方法提高石墨烯与树脂基体间的界面强度，包括使用强力超声方法提高分散度、真空抽滤混合、热压等108-110。总结来看，提高分散度往往意味着在保留石墨烯本征的高热导率与提高石墨烯和高分子基体的界面热导间做出权衡，如何定量分析两个因素对复合材料热导率的影响将是值得研究者关注的问题111, 112。

4.3.2 三维导热网络

石墨烯在树脂基体中形成导热网络是提高热界面材料热导率的重要条件。相比于传统热界面材料中填充球形氧化铝，石墨烯因为其二维材料的特性，比表面积大，更容易形成导热网络，因而在相同填料比的条件下更具优势。由于石墨烯片层具有较大的宽厚比，自发形成三维导热网络并不容易。

一种方法是利用模板法通过CVD生长得到三维结构的石墨烯泡沫。这种方法以具有孔结构的材料为模板，通过CVD方法在表面沉积得到石墨烯，再通过刻蚀剂去除模板，得到石墨烯泡沫113-115。Shi课题组116及首先测量了CVD法生长的石墨烯泡沫的热导率，发现其热导率为1.7 W·m-1·K-1，而石墨烯固含量仅为0.45% (volume fraction，x)。后来，该课题组将石蜡灌封进石墨烯泡沫形成复合材料(图 5a，b)，测量得到其热导率为3.2 W·m-1·K-1，比石蜡自身的热导率提高了18倍，并且石墨烯的填充比仅为1.23 (x) 11。后续工作中，Kholmanov等117在石墨烯泡沫中通过CVD法原位生长碳纳米管，在泡沫孔结构中形成导热网络(图 5c，d)，将丁四醇灌封后形成导热复合材料，热导率为4.1 W·m-1·K-1，比无碳纳米管填充的石墨烯泡沫-丁四醇复合材料热导率提高了1.8倍(图 5d，e)。考虑到CVD法制备的石墨烯以少层石墨烯为主，这一方法在建立三维导热结构的最大程度减少了石墨烯的填充比，适用于超轻、超薄的精细结构导热应用。

图5

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图5   石墨烯泡沫作为三维导热网络的高导热聚合物基复合材料11, 117

Fig 5   Using graphene foam as 3D thermal conductive network for polymer-based composite 11, 117.

(a) SEM image of UGF before wax filling. (b) SEM of UGF-wax composite. (c) SEM image of UGF-CNT hybrid structure. (d) SEM image of UGF-CNT/erythritol composites. (e) thermal diffusivity, and (f) thermal conductivity of erythritol, UGF/erythritol, and UGF-CNT/erythritol, containing additional data for powdered UGF/erythritol, powdered UGF-CNT/erythritol, and UGF-NBCNT/erythritol composites. Adapted with permission from Refs. 11, 117, Copyright 2014, Royal Society of Chemistry and Ref. 90, Copyright 2015, American Chemical Society.


另一种方法是利用石墨烯片层自组装形成水凝胶，再通过冷冻干燥、冰模板法等方法形成三维的石墨烯宏观结构118-120。水凝胶中石墨烯的含量可低至2.6% (w)，其余部分均由水组成，因而由水凝胶形成的石墨烯三维结构可以有效降低石墨烯固含量121。Wong课题组122利用定向凝固的方法用大尺寸的氧化石墨烯液晶制备了氧化石墨烯三维结构，石墨烯片层受过冷度的影响形成纵向排列为主的定向结构。通过高温还原后灌封环氧树脂，得到复合材料的热导率为2.1 W·m-1·K-1，比环氧树脂自身热导率提升超过12倍，并且填充比低至0.92% (x)。这种方法实际上是以石墨烯气凝胶为骨架，填充聚合物形成复合材料。其优势在于石墨烯气凝胶的制备工艺与调控手段已经很成熟，且比起CVD方法生长的石墨烯泡沫更易实现规模化制备。不足之处在于需要经过还原反应得到石墨烯，而氧化石墨烯制备过程中的缺陷不易完全修复。

石墨烯填充的高导热聚合材料主要工作汇总于表 3。从以上工作可以看出，通过气相沉积方法和湿化学方法均可得到三维石墨烯导热宏观结构，浸渍聚合物后可以得到高导热的三维石墨烯网络增强复合材料。其主要优势是用较低的填充量即可形成导热网络，而主要挑战在于石墨烯宏观结构要具有一定的强度，否则在与聚合物复合过程中容易出现碎裂123。比起传统的混料过程，制备石墨烯泡沫与石墨烯气凝胶工艺相对复杂，如何实现工业生产中的实际应用仍需在工艺路线上继续创新。

表3   石墨烯填充高导热复合材料主要研究成果

Table 3  A summary of highly thermal conductive composite with graphene filler.

FillersLoadingThermal conductivity/(W·m-1·K-1)Method
rGO 9625% (x)6.4Mixing
rGO 9720% (w)5.8Silane functionalized
Graphene 9810% (x)5.1Sodium cholate functionalized
rGO 1045% (w)1.1[polyimide] NH2-functionalized, in situ polymerization
Expanded graphite 10525% (w)3.8Silane functionalized
rGO 1074% (w)1.9Pyrene derivatives functionalized
Graphene + CNT 10820% (x) + 20% (x)6.3GNP, multi-walled carbon nanotube
GO 11010% (w)0.2Hot pressed
Graphene 3D network 111.23% (x)3.2[Wax] CVD grown, annealed
Graphene + CNT 3D network 11715.8% (x) (in total)4.1[Erythritol] CVD grown, annealed

x: volume fraction; w: mass fraction.

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5 总结与展望

自从单层石墨烯热导率被实验测得以来，石墨烯导热的研究取得了长足的发展。本文总结了石墨烯热导率的测量方法，重点介绍了拉曼光谱法、悬空热桥法和时域热反射法。探讨了石墨烯热导率的影响因素，并介绍了石墨烯在导热器件中的应用。在石墨烯导热研究方兴未艾的同时，我们注意到理论研究、实验测量和实际应用中仍然存在挑战。

首先，是石墨烯高导热的声子学解释。2010年Lindsay提出ZA声子是单层石墨烯中热导率贡献最大的声子模，这一理论成功解释了单层石墨烯热导率高于石墨块体。而当考虑四声子散射时，ZA模声子的贡献又低于LA、TA。如何理解单原子层中的ZA声子振动、如何预测高阶声子散射对石墨烯热导的贡献，仍需要深入的理论计算提供支持。

其次，是准确测量石墨烯热导率的长度依赖和厚度依赖。随着测量技术进步，拉曼光谱法和悬空热桥法能够准确测量单层石墨烯的热导率。但是如何实现指定厚度石墨烯的转移、如何实现大尺度悬空石墨烯样品的放置，仍具有一定的技术挑战。这一部分研究是最难、最有意义也最令人感兴趣的，预期未来微纳尺度传热测量方法将继续进步，对理论预测的结果进行验证。

最后，是石墨烯导热应用的工艺因素。目前，石墨烯导热膜的热学性能和力学性能已经与石墨化聚酰亚胺膜相当，并在特定领域实现了商业应用。而在这一课题中，高导热石墨烯材料的制备与技术工艺密切相关。如何实现石墨烯片层高热导率与石墨烯片层紧密搭接的双目标优化，如何低成本大规模地构建石墨烯三维导热网络，要回答这些问题仍需对石墨烯制备工艺进行深入摸索与不断改良。随着石墨烯导热研究在理论计算和实验测量的不断深入，我们相信，高导热石墨烯材料将在电子器件、能源存储、生物医学、国防军工等领域发挥更大的价值。

参考文献

Novoselov K. S. ; Geim A. K. ; Morozov S. V. ; Jiang D. ; Zhang Y. ; Dubonos S. V. ; Grigorieva I. V. ; Firsov A. A. Science 2004, 306, 666.

DOI:10.1126/science.1102896      [本文引用: 1]

Castro Neto A. H. ; Guinea F. ; Peres N. M. R. ; Novoselov K. S. ; Geim A. K. Rev. Mod. Phys. 2009, 81, 109.

DOI:10.1103/RevModPhys.81.109      [本文引用: 1]

Lee C. ; Wei X. ; Kysar J. W. ; Hone J. Science 2008, 321, 385.

DOI:10.1126/science.1157996     

Grigorenko A. N. ; Polini M. ; Novoselov K. S. Nat. Photonics 2012, 6, 749.

DOI:10.1038/nphoton.2012.262     

Novoselov K. ; Mishchenko O. A. ; Carvalho O. A. ; Neto A. C. Science 2016, 353, 6298.

DOI:10.1126/science.aac9439      [本文引用: 1]

Balandin A. A. ; Ghosh S. ; Bao W. ; Calizo I. ; Teweldebrhan D. ; Miao F. ; Lau C. N. Nano Lett. 2008, 8, 902.

DOI:10.1021/nl0731872      [本文引用: 4]

Lindsay L. ; Broido D. ; Mingo N. Phys. Rev. B 2010, 82, 115427.

DOI:10.1103/PhysRevB.82.115427      [本文引用: 4]

Seol J. H. ; Jo I. ; Moore A. L. ; Lindsay L. ; Aitken Z. H. ; Pettes M. T. ; Li X. ; Yao Z. ; Huang R. ; Broido D. ; et al Science 2010, 328, 213.

DOI:10.1126/science.1184014      [本文引用: 3]

Akbari A. ; Cunning B. V. ; Joshi S. R. ; Wang C. H. ; Camacho-Mojica D. C. ; Chatterjee S. ; Modepalli V. ; Cahoon C. ; Bielawski C. W. ; Bakharev P. ; et al Matter 2020, 2, 1198.

DOI:10.1016/j.matt.2020.02.014      [本文引用: 2]

Peng L. ; Xu Z. ; Liu Z. ; Guo Y. ; Li P. ; Gao C. Adv. Mater. 2017, 29, 1700589.

DOI:10.1002/adma.201700589      [本文引用: 6]

Ji H. ; Sellan D. P. ; Pettes M. T. ; Kong X. ; Ji J. ; Shi L. ; Ruoff R. S. Energy Environ. Sci. 2014, 7, 1185.

DOI:10.1039/c3ee42573h      [本文引用: 5]

Chen Z. L. ; Gao P. ; Liu Z. F. Acta Phys. -Chim. Sin. 2020, 36, 1907004.

[本文引用: 1]

陈召龙; 高鹏; 刘忠范. 物理化学学报, 2020, 36, 1907004.

DOI:10.3866/PKU.WHXB201907004      [本文引用: 1]

Shi L. ; Li D. ; Yu C. ; Jang W. ; Kim D. ; Yao Z. ; Kim P. ; Majumdar A. J. Heat Transf. 2003, 125, 881.

DOI:10.1115/1.1597619      [本文引用: 1]

Cahill D. G. ; Katiyar M. ; Abelson J. R. Phys. Rev. B 1994, 50, 6077.

DOI:10.1103/physrevb.50.6077     

Cahill D. G. Rev. Sci. Instrum. 2004, 75, 5119.

DOI:10.1063/1.1819431      [本文引用: 2]

Faugeras C. ; Faugeras B. ; Orlita M. ; Potemski M. ; Nair R. R. ; Geim A. ACS Nano 2010, 4, 1889.

DOI:10.1021/nn9016229      [本文引用: 2]

Cai W. ; Moore A. L. ; Zhu Y. ; Li X. ; Chen S. ; Shi L. ; Ruoff R. S. Nano Lett. 2010, 10, 1645.

DOI:10.1021/nl9041966      [本文引用: 3]

Fan A. ; Hu Y. ; Ma W. ; Wang H. ; Zhang X. J. Therm. Sci. 2019, 28, 159.

DOI:10.1007/s11630-019-1084-x      [本文引用: 1]

Zhou H. ; Zhu J. ; Liu Z. ; Yan Z. ; Fan X. ; Lin J. ; Wang G. ; Yan Q. ; Yu T. ; Ajayan P. M. Nano Res. 2014, 7, 1232.

DOI:10.1007/s12274-014-0486-z      [本文引用: 1]

Sahoo S. ; Gaur A. P. ; Ahmadi M. ; Guinel M. J.-F. ; Katiyar R. S. J. Phys. Chem. C 2013, 117, 9042.

DOI:10.1021/jp402509w      [本文引用: 1]

Yan R. ; Simpson J. R. ; Bertolazzi S. ; Brivio J. ; Watson M. ; Wu X. ; Kis A. ; Luo T. ; Hight Walker A. R. ; Xing H. G. ACS Nano 2014, 8, 986.

DOI:10.1021/nn405826k      [本文引用: 1]

Peimyoo N. ; Shang J. ; Yang W. ; Wang Y. ; Cong C. ; Yu T. Nano Res. 2015, 8, 1210.

DOI:10.1007/s12274-014-0602-0      [本文引用: 1]

Kim P. ; Shi L. ; Majumdar A. ; McEuen P. L. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 215502.

DOI:10.1103/PhysRevLett.87.215502      [本文引用: 1]

Wang Z. ; Xie R. ; Bui C. T. ; Liu D. ; Ni X. ; Li B. ; Thong J. T. L. Nano Lett. 2011, 11, 113.

DOI:10.1021/nl102923q      [本文引用: 2]

Pettes M. T. ; Jo I. ; Yao Z. ; Shi L. Nano Lett. 2011, 11, 1195.

DOI:10.1021/nl104156y      [本文引用: 3]

Xu X. ; Pereira L. F. C. ; Wang Y. ; Wu J. ; Zhang K. ; Zhao X. ; Bae S. ; Bui C. T. ; Xie R. ; Thong J. T. L. ; et al Nat. Commun. 2014, 5, 1.

DOI:10.1038/ncomms4689      [本文引用: 4]

Jo I. ; Pettes M. T. ; Kim J. ; Watanabe K. ; Taniguchi T. ; Yao Z. ; Shi L. Nano Lett. 2013, 13, 550.

DOI:10.1021/nl304060g      [本文引用: 1]

Wang C. ; Guo J. ; Dong L. ; Aiyiti A. ; Xu X. ; Li B. Sci. Rep. 2016, 6, 25334.

DOI:10.1038/srep25334      [本文引用: 1]

Jo I. ; Pettes M. T. ; Ou E. ; Wu W. ; Shi L. Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 201902.

DOI:10.1063/1.4876965      [本文引用: 1]

Zhao Y. ; Zheng M. ; Wu J. ; Huang B. ; Thong J. T. Nanotechnology 2020, 31, 225702.

DOI:10.1088/1361-6528/ab7647      [本文引用: 1]

Lee S. ; Yang F. ; Suh J. ; Yang S. ; Lee Y. ; Li G. ; Choe H. S. ; Suslu A. ; Chen Y. ; Ko C. Nat. Commun. 2015, 6, 1.

DOI:10.1038/ncomms9573      [本文引用: 1]

Aiyiti A. ; Bai X. ; Wu J. ; Xu X. ; Li B. Sci. Bull. 2018, 63, 452.

DOI:10.1016/j.scib.2018.02.022      [本文引用: 1]

Feldman A. High Temp. High Press. 1999, 31, 293.

DOI:10.1068/htrt171      [本文引用: 1]

Wang Y. ; Park J. Y. ; Koh Y. K. ; Cahill D. G. J. Appl. Phys. 2010, 108, 043507.

DOI:10.1063/1.3457151      [本文引用: 1]

Zhang H. ; Chen X. ; Jho Y.-D. ; Minnich A. Nano Lett. 2016, 16, 1643.

DOI:10.1021/acs.nanolett.5b04499      [本文引用: 3]

Taylor R. Philos. Mag. 1966, 13, 157.

DOI:10.1080/14786436608211993      [本文引用: 1]

Klemens P. G. ; Pedraza D. F. Carbon 1994, 32, 735.

DOI:10.1016/0008-6223(94)90096-5      [本文引用: 1]

Feser J. P. ; Cahill D. G. Rev. Sci. Instrum. 2012, 83, 104901.

DOI:10.1063/1.4757863      [本文引用: 2]

Rodin D. ; Yee S. K. Rev. Sci. Instrum. 2017, 88, 014902.

DOI:10.1063/1.4973297      [本文引用: 2]

Qian X. ; Ding Z. ; Shin J. ; Schmidt A. J. ; Chen G. Rev. Sci. Instrum. 2020, 91, 064903.

DOI:10.1063/5.0003770      [本文引用: 2]

Sun B. ; Gu X. ; Zeng Q. ; Huang X. ; Yan Y. ; Liu Z. ; Yang R. ; Koh Y. K. Adv. Mater. 2017, 29, 1603297.

DOI:10.1002/adma.201603297      [本文引用: 1]

Jang H. ; Wood J. D. ; Ryder C. R. ; Hersam M. C. ; Cahill D. G. Adv. Mater. 2015, 27, 8017.

DOI:10.1002/adma.201503466      [本文引用: 1]

Zhu G. ; Liu J. ; Zheng Q. ; Zhang R. ; Li D. ; Banerjee D. ; Cahill D. G. Nat. Commun. 2016, 7, 13211.

DOI:10.1038/ncomms13211      [本文引用: 1]

Chiritescu C. ; Cahill D. G. ; Nguyen N. ; Johnson D. ; Bodapati A. ; Keblinski P. ; Zschack P. Science 2007, 315, 351.

DOI:10.1126/science.1136494      [本文引用: 1]

Kang K. ; Koh Y. K. ; Chiritescu C. ; Zheng X. ; Cahill D. G. Rev. Sci. Instrum. 2008, 79, 114901.

DOI:10.1063/1.3020759      [本文引用: 1]

Schmidt A. J. ; Cheaito R. ; Chiesa M. Rev. Sci. Instrum. 2009, 80, 094901.

DOI:10.1063/1.3212673     

Liu J. ; Choi G.-M. ; Cahill D. G. J. Appl. Phys. 2014, 116, 233107.

DOI:10.1063/1.4904513      [本文引用: 1]

Shen B. ; Zhai W. T. ; Zheng W. G. Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 4542.

DOI:10.1002/adfm.201400079      [本文引用: 4]

Song H. ; Liu J. ; Liu B. ; Wu J. ; Cheng H.-M. ; Kang F. Joule 2018, 2, 442.

DOI:10.1016/j.joule.2018.01.006      [本文引用: 4]

Wang Y. ; Xu N. ; Li D. ; Zhu J. Adv. Funct. Mater. 2017, 27

DOI:10.1002/adfm.201604134     

Wu X. ; Tang W. ; Xu X. Acta Phys. Sin. 2020, 69, 196602.

[本文引用: 2]

吴祥水; 汤雯婷; 徐象繁. 物理学报, 2020, 69, 196602.

DOI:10.7498/aps.69.20200709      [本文引用: 2]

Ward A. ; Broido D. ; Stewart D. A. ; Deinzer G. Phys. Rev. B 2009, 80, 125203.

DOI:10.1103/PhysRevB.80.125203      [本文引用: 1]

Nika D. ; Pokatilov E. ; Askerov A. ; Balandin A. Phys. Rev. B 2009, 79, 155413.

DOI:10.1103/PhysRevB.79.155413      [本文引用: 1]

Nika D. L. ; Ghosh S. ; Pokatilov E. P. ; Balandin A. A. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 203103.

DOI:10.1063/1.3136860      [本文引用: 2]

Klemens P. G. Int. J. Thermophys. 2001, 22, 265.

DOI:10.1023/A:1006776107140      [本文引用: 1]

Lindsay L. ; Broido D. ; Mingo N. Phys. Rev. B 2011, 83, 235428.

DOI:10.1103/PhysRevB.83.235428      [本文引用: 4]

Feng T. ; Ruan X. Phys. Rev. B 2018, 97, 045202.

DOI:10.1103/PhysRevB.97.045202      [本文引用: 1]

Zou J.-H. ; Ye Z.-Q. ; Cao B.-Y. J. Chem. Phys. 2016, 145, 134705.

DOI:10.1063/1.4963918      [本文引用: 1]

Cepellotti A. ; Fugallo G. ; Paulatto L. ; Lazzeri M. ; Mauri F. ; Marzari N. Nat. Commun. 2015, 6, 6400.

DOI:10.1038/ncomms7400      [本文引用: 1]

Wang H. ; Hu S. ; Takahashi K. ; Zhang X. ; Takamatsu H. ; Chen J. Nat. Commun. 2017, 8, 1.

DOI:10.1038/ncomms15843      [本文引用: 1]

Ghosh S. ; Bao W. ; Nika D. L. ; Subrina S. ; Pokatilov E. P. ; Lau C. N. ; Balandin A. A. Nat. Mater. 2010, 9, 555.

DOI:10.1038/nmat2753      [本文引用: 1]

Sadeghi M. M. ; Jo I. ; Shi L. Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2013, 110, 16321.

DOI:10.1073/pnas.1306175110      [本文引用: 1]

Gu X. ; Wei Y. ; Yin X. ; Li B. ; Yang R. Rev. Mod. Phys. 2018, 90, 041002.

DOI:10.1103/RevModPhys.90.041002      [本文引用: 3]

Nika D. L. ; Askerov A. S. ; Balandin A. A. Nano Lett. 2012, 12, 3238.

DOI:10.1021/nl301230g      [本文引用: 1]

Lee W. ; Kihm K. D. ; Kim H. G. ; Shin S. ; Lee C. ; Park J. S. ; Cheon S. ; Kwon O. M. ; Lim G. ; Lee W. Nano Lett. 2017, 17, 2361.

DOI:10.1021/acs.nanolett.6b05269      [本文引用: 1]

Mortazavi B. ; Ahzi S. Carbon 2013, 63, 460.

DOI:10.1016/j.carbon.2013.07.017      [本文引用: 1]

Chen S. ; Wu Q. ; Mishra C. ; Kang J. ; Zhang H. ; Cho K. ; Cai W. ; Balandin A. A. ; Ruoff R. S. Nat. Mater. 2012, 11, 203.

DOI:10.1038/nmat3207      [本文引用: 1]

Chien S. K. ; Yang Y. T. ; Chen C. K. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 033107.

DOI:10.1063/1.3543622      [本文引用: 1]

Murakami M. ; Nishiki N. ; Nakamura K. ; Ehara J. ; Okada H. ; Kouzaki T. ; Watanabe K. ; Hoshi T. ; Yoshimura S. Carbon 1992, 30, 255.

DOI:10.1016/0008-6223(92)90088-E      [本文引用: 1]

Chen H. ; Müller M. B. ; Gilmore K. J. ; Wallace G. G. ; Li D. Adv. Mater. 2008, 20, 3557.

DOI:10.1002/adma.200800757      [本文引用: 1]

Chen C. M. ; Huang J. Q. ; Zhang Q. ; Gong W. Z. ; Yang Q. H. ; Wang M. Z. ; Yang Y. G. Carbon 2012, 50, 659.

DOI:10.1016/j.carbon.2011.09.022      [本文引用: 1]

Liu Y. ; Li P. ; Wang F. ; Fang W. ; Xu Z. ; Gao W. ; Gao C. Carbon 2019, 155, 462.

DOI:10.1016/j.carbon.2019.09.021      [本文引用: 1]

Pei S. ; Cheng H.-M. Carbon 2012, 50, 3210.

DOI:10.1016/j.carbon.2011.11.010      [本文引用: 1]

Rozada R. ; Paredes J. I. ; Villar-Rodil S. ; Martínez-Alonso A. ; Tascón J. M. Nano Res. 2013, 6, 216.

DOI:10.1007/s12274-013-0298-6      [本文引用: 1]

Wu H. ; Drzal L. T. Carbon 2012, 50, 1135.

DOI:10.1016/j.carbon.2011.10.026      [本文引用: 1]

Xin G. ; Sun H. ; Hu T. ; Fard H. R. ; Sun X. ; Koratkar N. ; Borca-Tasciuc T. ; Lian J. Adv. Mater. 2014, 26, 4521.

DOI:10.1002/adma.201400951      [本文引用: 5]

Kumar P. ; Shahzad F. ; Yu S. ; Hong S. M. ; Kim Y.-H. ; Koo C. M. Carbon 2015, 94, 494.

DOI:10.1016/j.carbon.2015.07.032      [本文引用: 2]

Teng C. ; Xie D. ; Wang J. ; Yang Z. ; Ren G. ; Zhu Y. Adv. Funct. Mater. 2017, 27

DOI:10.1002/adfm.201700240      [本文引用: 2]

Cai X. ; Luo Y. ; Liu B. ; Cheng H. M. Chem. Soc. Rev. 2018, 47, 6224.

DOI:10.1039/c8cs00254a      [本文引用: 1]

Luo C. ; Yeh C. N. ; Baltazar J. M. L. ; Tsai C. L. ; Huang J. Adv. Mater. 2018, 30, 1706229.

DOI:10.1002/adma.201706229      [本文引用: 1]

Zhang X. ; Guo Y. ; Liu Y. ; Li Z. ; Fang W. ; Peng L. ; Zhou J. ; Xu Z. ; Gao C. Carbon 2020, 167, 249.

DOI:10.1016/j.carbon.2020.05.051      [本文引用: 5]

Liu Y. ; Liang C. ; Wei A. ; Jiang Y. ; Tian Q. ; Wu Y. ; Xu Z. ; Li Y. ; Guo F. ; Yang Q. Mater. Today Nano 2018, 3, 1.

DOI:10.1016/j.mtnano.2018.09.005      [本文引用: 1]

Lin S. ; Zhong Y. ; Zhao X. ; Sawada T. ; Li X. ; Lei W. ; Wang M. ; Serizawa T. ; Zhu H. Adv. Mater. 2018, 30, 1803004.

DOI:10.1002/adma.201803004      [本文引用: 1]

Xu Z. ; Liu Z. ; Sun H. ; Gao C. Adv. Mater. 2013, 25, 3249.

DOI:10.1002/adma.201300774      [本文引用: 1]

Meng Y. ; Zhao Y. ; Hu C. ; Cheng H. ; Hu Y. ; Zhang Z. ; Shi G. ; Qu L. Adv. Mater. 2013, 25, 2326.

DOI:10.1002/adma.201300132     

Cheng Y. ; Wang K. ; Qi Y. ; Liu Z. Acta Phys. -Chim. Sin. 2022, 38, 2006046.

程熠; 王坤; 亓月; 刘忠范. 物理化学学报, 202, 38, 2006046.

DOI:10.3866/PKU.WHXB202006046     

Jian M. ; Zhang Y. ; Liu Z. Acta Phys. -Chim. Sin. 2022, 38, 2007093.

[本文引用: 1]

蹇木强; 张莹莹; 刘忠范. 物理化学学报, 2022, 38, 2007093.

DOI:10.3866/PKU.WHXB202007093      [本文引用: 1]

Xu Z. ; Liu Y. ; Zhao X. ; Peng L. ; Sun H. ; Xu Y. ; Ren X. ; Jin C. ; Xu P. ; Wang M. Adv. Mater. 2016, 28, 6449.

DOI:10.1002/adma.201506426      [本文引用: 1]

Xin G. ; Yao T. ; Sun H. ; Scott S. M. ; Shao D. ; Wang G. ; Lian J. Science 2015, 349, 1083.

DOI:10.1126/science.aaa6502      [本文引用: 1]

Wang Q. ; Xia H. ; Zhang C. J. Appl. Polym. Sci. 2001, 80, 1478.

DOI:10.1002/app.1239      [本文引用: 2]

Ji J. ; Chiang S.-W. ; Liu M. ; Liang X. ; Li J. ; Gan L. ; He Y. ; Li B. ; Kang F. ; Du H. Thermochim. Acta 2020, 690, 178649.

DOI:10.1016/j.tca.2020.178649      [本文引用: 1]

Pashayi K. ; Fard H. R. ; Lai F. ; Iruvanti S. ; Plawsky J. ; Borca-Tasciuc T. J. Appl. Phys. 2012, 111, 104310.

DOI:10.1063/1.4716179      [本文引用: 1]

Gou Y. ; Liu Z. ; Zhang G. ; Li Y. Int. J. Heat Mass Transf. 2014, 74, 358.

DOI:10.1016/j.ijheatmasstransfer.2014.03.009      [本文引用: 1]

Li H. ; Chen W. ; Xu J. ; Li J. ; Gan L. ; Chu X. ; Yao Y. ; He Y. ; Li B. ; Kang F. Thermochim. Acta 2019, 676, 198.

DOI:10.1016/j.tca.2019.04.008      [本文引用: 1]

Chen H. ; Ginzburg V. V. ; Yang J. ; Yang Y. ; Liu W. ; Huang Y. ; Du L. ; Chen B. Prog. Polym. Sci. 2016, 59, 41.

DOI:10.1016/j.progpolymsci.2016.03.001      [本文引用: 1]

Yu A. ; Ramesh P. ; Itkis M. E. ; Bekyarova E. ; Haddon R. C. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 7565.

DOI:10.1021/jp071761s      [本文引用: 2]

Ganguli S. ; Roy A. K. ; Anderson D. P. Carbon 2008, 46, 806.

DOI:10.1016/j.carbon.2008.02.008      [本文引用: 1]

Shahil K. M. ; Balandin A. A. Nano Lett. 2012, 12, 861.

DOI:10.1021/nl203906r      [本文引用: 2]

Bigg D. M. Polym. Compos. 1986, 7, 125.

DOI:10.1002/pc.750070302      [本文引用: 1]

Zhu Y. ; Chen K. ; Kang F. Solid State Commun. 2013, 158, 46.

DOI:10.1016/j.ssc.2013.01.013      [本文引用: 1]

Stankovich S. ; Dikin D. A. ; Piner R. D. ; Kohlhaas K. A. ; Kleinhammes A. ; Jia Y. ; Wu Y. ; Nguyen S. T. ; Ruoff R. S. Carbon 2007, 45, 1558.

DOI:10.1016/j.carbon.2007.02.034      [本文引用: 1]

Coleman J. N. ; Lotya M. ; O'Neill A. ; Bergin S. D. ; King P. J. ; Khan U. ; Young K. ; Gaucher A. ; De S. ; Smith R.J. ; et al Science 2011, 331, 568.

DOI:10.1126/science.1194975      [本文引用: 1]

Nicolosi V. ; Chhowalla M. ; Kanatzidis M. G. ; Strano M. S. ; Coleman J. N. Science 2013, 340, 1226419.

DOI:10.1126/science.1226419      [本文引用: 1]

Guo Y. ; Xu G. ; Yang X. ; Ruan K. ; Ma T. ; Zhang Q. ; Gu J. ; Wu Y. ; Liu H. ; Guo Z. J. Mater. Chem. C 2018, 6, 3004.

DOI:10.1039/c8tc00452h      [本文引用: 2]

Zhang Y. ; Choi J. R. ; Park S.-J. Compos. Part A: Appl. Sci. Manuf. 2018, 109, 498.

DOI:10.1016/j.compositesa.2018.04.001      [本文引用: 2]

Shen X. ; Wang Z. ; Wu Y. ; Liu X. ; Kim J.-K. Carbon 2016, 108, 412.

DOI:10.1016/j.carbon.2016.07.042      [本文引用: 1]

Teng C.-C. ; Ma C.-C. M. ; Lu C.-H. ; Yang S.-Y. ; Lee S.-H. ; Hsiao M.-C. ; Yen M.-Y. ; Chiou K.-C. ; Lee T.-M. Carbon 2011, 49, 5107.

DOI:10.1016/j.carbon.2011.06.095      [本文引用: 2]

Huang X. ; Zhi C. ; Jiang P. J. Phys. Chem. C 2012, 116, 23812.

DOI:10.1021/jp308556r      [本文引用: 2]

Zeng X. ; Ye L. ; Yu S. ; Li H. ; Sun R. ; Xu J. ; Wong C. P. Nanoscale 2015, 7, 6774.

DOI:10.1039/c5nr00228a     

Ding P. ; Zhang J. ; Song N. ; Tang S. ; Liu Y. ; Shi L. Compos. Sci. Technol. 2015, 109, 25.

DOI:10.1016/j.compscitech.2015.01.015      [本文引用: 2]

Xu J. ; Gao B. ; Du H. ; Kang F. Int. J. Therm. Sci. 2016, 104, 348.

DOI:10.1016/j.ijthermalsci.2015.12.023      [本文引用: 1]

Xiong Y. H. ; Wu H. ; Gao J. S. ; Chen W. ; Zhang J. C. ; Yue Y. N. Acta Phys. -Chim. Sin. 2019, 35, 1150.

[本文引用: 1]

熊扬恒; 吴昊; 高建树; 陈文; 张景超; 岳亚楠. 物理化学学报, 2019, 35, 1150.

DOI:10.3866/PKU.WHXB201901002      [本文引用: 1]

Chen Z. ; Ren W. ; Gao L. ; Liu B. ; Pei S. ; Cheng H.-M. Nat. Mater. 2011, 10, 424.

DOI:10.1038/nmat3001      [本文引用: 1]

Shi L. ; Chen K. ; Du R. ; Bachmatiuk A. ; Rümmeli M. H. ; Xie K. ; Huang Y. ; Zhang Y. ; Liu Z. J. Am. Chem. Soc. 2016, 138, 6360.

DOI:10.1021/jacs.6b02262     

Chen Z. ; Xu C. ; Ma C. ; Ren W. ; Cheng H. M. Adv. Mater. 2013, 25, 1296.

DOI:10.1002/adma.201204196      [本文引用: 1]

Pettes M. T. ; Ji H. ; Ruoff R. S. ; Shi L. Nano Lett. 2012, 12, 2959.

DOI:10.1021/nl300662q      [本文引用: 1]

Kholmanov I. ; Kim J. ; Ou E. ; Ruoff R. S. ; Shi L. ACS Nano 2015, 9, 11699.

DOI:10.1021/acsnano.5b02917      [本文引用: 4]

Cong H.-P. ; Ren X.-C. ; Wang P. ; Yu S.-H. ACS Nano 2012, 6, 2693.

DOI:10.1021/nn300082k      [本文引用: 1]

Lv W. ; Zhang C. ; Li Z. ; Yang Q.-H. J. Phys. Chem. Lett. 2015, 6, 658.

DOI:10.1021/jz502655m     

Sun H. ; Xu Z. ; Gao C. Adv. Mater. 2013, 25, 2554.

DOI:10.1002/adma.201204576      [本文引用: 1]

Xu Y. ; Sheng K. ; Li C. ; Shi G. ACS Nano 2010, 4, 4324.

DOI:10.1021/nn101187z      [本文引用: 1]

Lian G. ; Tuan C. C. ; Li L. Y. ; Jiao S. L. ; Wang Q. L. ; Moon K. S. ; Cui D. L. ; Wong C. P. Chem. Mater. 2016, 28, 6096.

DOI:10.1021/acs.chemmater.6b01595      [本文引用: 1]

Idowu A. ; Boesl B. ; Agarwal A. Carbon 2018, 135, 52.

DOI:10.1016/j.carbon.2018.04.024      [本文引用: 1]

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