物理化学学报 >> 2003, Vol. 19 >> Issue (05): 478-480.doi: 10.3866/PKU.WHXB20030521
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郭敏;刁鹏;任焱杰;王斌;蔡生民
Guo Min;Diao Peng;Ren Yan-Jie;Wang Bin;Cai Sheng-Min
摘要: 通过低温压热的方法,在经过预先处理长满晶核的SnO2导电玻璃基底上制备出具有高度取向的ZnO亚微米棒阵列.用扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)及X射线粉末衍射(XRD),对制备出的ZnO亚微米棒的结构和形貌进行了表征.SEM测试结果表明,ZnO亚微米棒是六方型的,近乎垂直地长在基底上,棒的直径为400~500 nm,长度约为2 μm. SAED和XRD结果表明,ZnO亚微米棒为单晶,属于六方晶系,并且沿[001]方向择优取向生长.