
物理化学学报 >> 2015, Vol. 31 >> Issue (Suppl): 106-110.doi: 10.3866/PKU.WHXB2014Ac12
张宏亮1,2, 施立群2, 宿冉冉2, 张海斌1, 陈德敏3
发布日期:2015-05-20
通讯作者:
施立群
E-mail:13210200004@fudan.edu.cn
基金资助:国家自然科学基金(51271176)资助项目
ZHANG Hong-Liang1,2, SHI Li-Qun2, SU Ran-Ran2, ZHANG Hai-Bin1, CHEN De-Min3
Published:2015-05-20
Contact:
SHI Li-Qun
E-mail:13210200004@fudan.edu.cn
Supported by:The project was supported by the National Natural Science Foundation of China (51271176).
摘要:
Zr-Co是迄今为止研究较多、性能较好的储氚材料, 材料中的氚会自发衰变生成3He. 随着材料中3He的积累, 氦会逐渐聚集成泡, 这将对材料的储氚性能造成严重的破坏. 温度和氦浓度将显著影响材料中氦的行为.本文采用4He模拟氚衰变生成的3He在材料中的行为, 用磁控溅射的方法制备了不同氦含量的Zr-Co薄膜, 并用卢瑟福背散射(RBS)方法分析薄膜的元素组成及厚度, 弹性反冲探测(ERD)方法分析样品的氦含量及深度分布. 分别采用恒温退火和动态热解析方法研究了4He 在Zr-Co 样品中的滞留和存在状态, 并用X 射线衍射(XRD)方法分析其微观结构.
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