物理化学学报 >> 1995, Vol. 11 >> Issue (12): 1114-1119.doi: 10.3866/PKU.WHXB19951212

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固体薄膜的超高真空化学气相沉积

卢炯平   

  1. Semiconductor Process and Device Center,Texas Instruments,13536 North Central Expressway MS 944,Dallas,TX 75243,USA
  • 收稿日期:1995-06-20 修回日期:1900-01-01 发布日期:1995-12-15
  • 通讯作者:

Lu Jiong-Ping   

  1. Semiconductor Process and Device Center,Texas Instruments,13536 North Central Expressway MS 944,Dallas,TX 75243,USA
  • Received:1995-06-20 Revised:1900-01-01 Published:1995-12-15
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摘要：

描述了用于进行超高真空化学气相沉积（UHVCVD）研究的一实验装置，并讨论氧钛、砷化镓、铑和铁薄膜在硅单晶表面上的UHVCVD及其原位表征．还简单地探讨了UHVCVD在制备模型催化剂中的应用．

关键词: 化学气相淀积, 固体薄膜, 氧化钛, 砷化镓, 铑, 铁, 硅, 模型催化剂, 超高真空, 俄歇电子能谱, X-射线光电子能谱